ТРАНЗИСТОРА - перевод на Английском

• transistor
• transistors

Примеры использования Транзистора на Русском языке и их переводы на Английский язык

Правый сигнал вызывает сигнал негативные на базе транзистора, а затем сигнал положительные Нелл' dell' осциллограф HAL.
The right signal causes a signal negative on the base of the transistor and then a signal positive in the scope of HAL.

после изобретения транзистора, событием в истории микроэлектроники, однако в 1959 году она осталась незамеченной.
after the invention of the transistor, but in 1959 it went unnoticed.

Наличие заряда внутри затвора изменяет пороговое напряжение транзистора V t h{\ displaystyle V_{ th}},
The presence of charge within the gate shifts the transistor's threshold voltage, V t h{\displaystyle\,

Зимой 1954- 1955 годов изобретатель транзистора, приглашенный профессор Стэнфордского университета Уильям Шокли решил основать собственное дело- массовое производство новейших транзисторов и динисторов.
In the winter of 1954-1955, William Shockley, an inventor of the transistor and a visiting professor at Stanford University, decided to establish his own mass production of advanced transistors and Shockley diodes.

Обнародованное летом 1948 года изобретение транзистора породило в обществе развитых стран ожидание новой технической революции.
The invention of the transistor in 1947 led to the expectation of a new technological revolution.

изобретатель транзистора, единственный в мире ученый, дважды удостаивавшийся Нобелевской премии в одной и той же номинации 1956 и 1972.
in 1956 for the transistor and in 1972 for superconductivity.

В Гармонический анализ напряжений и токов транзистора с цепью коррекции между коллектором
Harmonic analysis of voltages and currents of the transistor with correction circuit between a collector

приведения в действие элемента переключения( как правило, транзистора) используется микропроцессор.
gauge sensor information and actuate the switching element which is typically a transistor.

быть то же( CBE вместо ЕДК) и затем следует вращать тело транзистора 180 градусов.
same(CBE instead of EBC) and then the body of the transistor should be rotated 180 degrees.

переключение характеристик транзистора может быть произведено навсегда.
the switching characteristics of the transistor can be permanently changed.

По сути накопленный заряд на плавающем затворе позволяет пороговому напряжению транзистора программировать его состояние.
In effect, the stored charge on the floating gate allows the threshold voltage of the transistor to be programmed.

В финальной сцене показывают Ред и незнакомца, встретившихся в виртуальном мире внутри Транзистора.
In the closing credits sequence, it is shown that the man is reunited with Red within the virtual world of the Transistor.

двухтактного выходного каскада осуществляется путем измерения тока через эмиттер транзистора Q19 и последующего ограничения тока,
the voltage gain stage: Q22 senses the voltage across Q19's emitter resistor(50Ω); as it turns on, it diminishes the

они должны быть C- B- E, как один стоят ровной поверхности транзистора.
they should be C-B-E, as one faces the transistor's flat surface.

более их не могут быть соединены вместе, так как тогда может возникнуть такая ситуация, что оба транзистора одновременно окажутся открыты и повреждены протекающим через них сквозным током.
simple push-pull outputs is that two or more of them cannot be connected together, because if one tried to pull while another tried to push, the transistors could be damaged.

Изобретение транзистора сделало возможным производство дешевых электрических пультов, которые содержат пьезоэлектрический кристалл, питающийся электрическим током и колеблющийся с частотой, превышающей верхний предел слуха человека
The rapid decrease in price of transistors made possible cheaper electronic remotes that contained a piezoelectric crystal that was fed by an oscillating electric current at a frequency near or above the upper threshold of human hearing,

Если принять напряжение на переходе база- эмиттер транзистора в качестве входной величины
If a voltage is applied to the BJT base-emitter junction as an input quantity

В октябре 1952 года Бернард Оливер подал патентную заявку на способ изготовления составного транзистора( структуры из трех электрически связанных плоскостных транзисторов)
In May 1952, Sidney Darlington filed a patent application in the United States for a structure with two or three transistors integrated onto a single chip in various configurations;

С появлением транзистора и с развитием полупроводников в целом,
With the advent of the transistor and the work in semiconductors generally,

в этом случае ключ называется« насыщенным» например это определяется коэффициентом усиления транзистора hfe или бетой.
in this condition the switch is said to be"saturated" e.g. this is determined by a transistor's gain hfe or"beta.