ТРАНЗИСТОРОВ - перевод на Английском

• transistors
• transistor

Примеры использования Транзисторов на Русском языке и их переводы на Английский язык

См. паспорт изделия Модули серии М13Б- Н- мост на основе МОSFЕТ- транзисторов.
See user's manual of product Modules of series М13B- an Н-bridge based on IGBT-transistors.

состоит из 350 млн транзисторов.
contains 350 million gates.

Продемонстрированы образцы транзисторов, в которых управляемый электронный транспорт определялся одноэлектронным туннелированием через$ 2\ div 3$ примесных атома.
We demonstrated the single-electron transistor with controllable electron transport through 2- 3 phosphorus dopants only.

Реле на основе МОSFЕТ- транзисторов МТ14 95 Модули МТ14- реле с трансформаторной развязкой коммутации постоянного тока полупроводниковое нормально разомкнутое двуполярное реле с малым током включения.
Transistor relay with current protection MT16PT 93 Modules MT16PT- a relay with transformer isolation for DC and AC commutation(a semi-conductor optoelectronic normally open bipolar relay with small switch-on current) with current protection.

Стандартная ячейка состоит из группы транзисторов и соединений между ними, которые реализуют либо некоторую логическую функцию( AND,
A standard cell is a group of transistor and interconnect structures that provides a boolean logic function(e.g.,

Обычно изначально стандартная ячейка проектируется на уровне транзисторов, в форме транзисторного en: netlist.
Usually, the initial design of a standard cell is developed at the transistor level, in the form of a transistor netlist or schematic view.

Драйверы транзисторов выпускаются в различных конструктивных исполнениях;
Transistor drivers are manufactured in different designs;

Драйверы транзисторов имеют выходной ток до 48 А, среднюю выходную мощность- до 8 Вт
The transistor drivers have output current up to 48 A,

Разработан оригинальный метод изготовления из высоколегированного кремния на изоляторе наноструктур одноэлектронных транзисторов на основе единичных примесных атомов в кремнии.
We developed the original technique for the single-electron transistor fabrication from silicon-on-insulator material with an island formed by single phosphorus atoms.

Соотношения связывают допуски с исходными режимами и параметрами транзисторов, с параметрами пассивных элементов схем.
The relations connect the allowed variations with the transistor parameters, its initial regime and the parameters of the circuit passive elements.

Опытные образцы процессора Cyrix III были созданы на основе ядра Joshua разработки Cyrix, содержащего 22 миллиона транзисторов.
The pre-release Cyrix III CPUs were based upon a 22 million transistor Joshua core designed by Cyrix.

В апреле 1960 года Fairchild начала выпуск первых серийных планарных транзисторов( 2N1613), а в октябре 1960 года анонсировала полный отказ от меза- транзисторов.
In April 1960, Fairchild launched the planar transistor 2N1613, and by October 1960 completely abandoned the mesa transistor technology.

Тем не менее, быстродействие устройств, созданных по кремниевой технологии, постепенно увеличивается, а размер транзисторов уменьшается, и МИС уже могут изготавливаться на базе кремния.
However, the speed of Si-based technologies has gradually increased as transistor feature sizes have reduced, and MMICs can now also be fabricated in Si technology.

проектирование на более высоком уровне абстракции, чем уровень транзисторов( см. logic family) или уровень логических вентилей.
the designs are usually engineered at a higher level of abstraction than transistor level(logic families) or logic gate level.

которую они посчитали наиболее вероятной, большинство транзисторов процессора было пущено на реализацию целочисленной арифметики.
most likely application of the CPU, the integer execution resources received most of the transistor budget.

Второй построен по дискретной схеме с применением транзисторов и представляет собой фильтр низких частот( LP)
The second is built on a discrete circuit with the use of transistors and represents a low-pass filter(LP) with switchable slope of 12

Согласно эмпирическому наблюдению Гордона Мура- количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 18- 24 месяца.
According to empirical observation of Gordon Moore- the number of the transistors placed on a crystal of integrated scheme doubles each 18-24 months.

Крутизна транзисторов составляла 1000 См/ мм, а максимальная плотность тока
The transistors exhibit transconductance G m =1000 mS/mm

Если драйвер силовых транзисторов достаточно мощный
If the driver for the transistors is powerful

Тестер удобен при входном контроле полупроводниковых приборов и подборе транзисторов в согласованные пары;
The tester is suitable for incoming inspection of semiconductor devices and the selection of transistors in a matched pair;