GALLIUM - переклад на Українською

• галію
• галій

Приклади вживання Gallium Англійська мовою та їх переклад на Українською

silicon, gallium and the rare earths.
кремній, галій та рідкісні землі.

It is a metal composed of gallium, indium and tin,
Це метал, що складається з галію, індію та олова,

magnesium alloy, and gallium.
сплав магнію і галій.

high density), gallium arsenide has undoubted advantages over silicon.
велика щільність), у арсеніду галію є безсумнівні переваги перед кремнієм.

Besides them in the manufacture of solar batteries are increasingly used components such as arsenide, gallium, copper, cadmium telluride,
Крім них при виробництві сонячних елементів все частіше використовуються такі компоненти, як арсенід, галій, мідь, кадмій,

the researchers used a nanostructure made from gallium arsenide and gallium aluminum arsenide, in which the energies of
дослідники використовували наноструктури з арсеніду галію і арсеніду галію алюмінію, в якому енергія руху електронів

And because gallium ions are so heavy(comparatively speaking),
І тому, що іонів галію настільки важкі(порівняно кажучи), якщо використовується для збору

Gallium melt when held in the hand- the melting temperature is 29,5° C and to melt tungsten,
Галій плавиться, якщо тримати його в руці- його температура плавлення становить 29,

establishing that other elements besides gallium can achieve the brightness
встановивши, що інші елементи, крім галію може досягти яскравості

Solutions based on silicon carbide(SiC) and gallium nitride(GaN) possess the best properties for building modern microwave amplifiers(UWB Tech, Qorvo, TriQuint).
Рішення на основі карбіду кремнію(SiC) та нітриду галію(GaN) мають кращі властивості для побудови сучасних СВЧ-підсилювачів(UWB Tech, Qorvo, TriQuint).

that has allowed us to create these ground-breaking carbon nanotube transistors that surpass silicon and gallium arsenide transistors,” said Arnold.
що дозволило нам створити ці новаторським вуглецевих нанотрубок транзисторів, які перевершують кремній і арсенід галію транзисторів”,- говорить Арнольд.

Braunstein observed infrared emission generated by simple diode structure based on gallium antimonide(GaSb), gallium arsenide, indium phosphide(InP),
Браунштайн спостерігав інфрачервоне випромінювання, що генерувалося звичайною діодною структурою на основі антимоніду галію(GaSb), арсеніду галію, фосфіду індію(InP)

though gallium participates in semi-conductors such as gallium arsenide.
галій є у напівпровідниках, таких як арсенід галію.

that has allowed us to create these groundbreaking carbon nanotube transistors that surpass silicon and gallium arsenide transistors," says Arnold.
що дозволило нам створити ці новаторським вуглецевих нанотрубок транзисторів, які перевершують кремній і арсенід галію транзисторів”,- говорить Арнольд.

But in years past, gallium(atomic number 31)
А от у минулі роки галій(порядковий номер 31)

Santech manufactures a range of Gallium alloys that can be tailored to customers specific needs and applications, typically GaInSn, GaIn, GaAl, GaSn and Copper Indium Gallium Selenide(CIGS).
Santech виробляє ряд сплавів, які можуть галій бути адаптовані до конкретних потреб клієнтів і додатків, зазвичай GaInSn, коефіцієнт посилення, GaAl, ГАСН і мідь індій галій селеніду(CIGS).

Thin film structures on the base of rare earth aluminum and gallium garnets that are intended for utilization as active media of subminiature microchip lasers, high-power industrial disk lasers, passive Q-switches, thin film solid state scintillators.
Плівкові структури на основі рідкісноземельних алюмінієвих та галієвих гранатів, що призначені для використання в якості активних середовищ надмініатюрних мікрочіпових лазерів, надпотужних технологічних дискових лазерів та пасивних пристроїв модуляції добротності резонаторів лазерів.

it's been made from a material such as silicon or gallium arsenide, which is not only rigid, but would also be expensive for large areas.
він був виготовлений з такого матеріалу, як арсенід кремнію або галій, який не тільки жорсткий, але і задорогий для великих площ.

The CZTS approach produces an efficient photo-absorber using earth-abundant materials that cost around a thousand times less than rare-earth elements like indium, gallium and selenium.
Метод CZTS забезпечує ефективне фото-поглинання з використанням матеріалів, які доступні в надлишку і коштують приблизно в тисячі разів менше, ніж рідкоземельні елементи, такі як індій, галій і селен”.

Gallium arsenide(GaAs) is also widely used in high-speed devices
Арсенід галію(GaAs) також широко застосовується у високошвидкісних пристроях, але до цих пір