ゲート電極 - 英語 への翻訳

• gate electrode
• gate electrodes

日本語 での ゲート電極 の使用例とその 英語 への翻訳

電子デバイスのゲート電極膜。
Gate electrode films for electronic devices.

のゲート電極７を形成する。
The gate electrode 7 is formed.

のゲート電極７を形成する。
Next, the gate electrode 7 is formed.

ゲート電極は２段階のエッチング処理により形成する。
The gate electrode is formed by a two stage etching process.

以上の工程により、帽子状型のゲート電極を得る。
Through the above processes, a shape of a hat-shaped gate electrode is obtained.

ゲート電極２７は、金属膜で形成できる。
The control gate 27 may be formed of a metal layer.

その場合、導電体２０３の一部が第２のゲート電極として機能することができる。
In this case, part of the conductor 203 can function as the second gate electrode.

ゲート電極は、メモリ機能体の側壁のみに形成されるか、あるいはメモリ機能体の上部を覆わないことが好ましい。
Preferably, the gate electrode is formed only on the side wall of the memory function body or formed such that the upper portion of the memory function body is not covered.

接続され、第５の配線と、第３のゲート電極とは電気的に接続された半導体装置である。
And the fifth wiring and the third gate electrode are electrically connected to each other.

たとえば、トランジスターのゲート電極の絶縁に用いられる二酸化ハフニウムは、バルク中に電荷がトラップされると機能が低下してくる。
For example, hafnium dioxide- used to insulate transistor gate electrodes- can begin to fail if charges become trapped in its bulk.

なお、ゲート電極は、後述するメモリ機能体の側壁のみに形成されるか、あるいはメモリ機能体の上部を覆わないことが好ましい。
It is preferable that the gate electrode is formed only on the side wall of the memory function body described later or does not cover the upper part of the memory function body.

年にBowerは、最初にゲート電極を定義するとゲートとソース/ドレイン間の寄生容量を最小化できるだけでなく、ズレが無くなることを示した。
In 1966, Robert W. Bower realized that if the gate electrode was defined first, it would be possible not only to minimize the parasitic capacitances between gate and source and drain, but it would also make them insensitive to misalignment.

例えば、ゲート電極が半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。
For example, when the gate electrode covers the side surface of the semiconductor layer, the effective channel width may be larger than the apparent channel width, and the influence may not be negligible.

Ｐチャネル型ＴＦＴは、同様にクラッド構造のゲート電極が形成され、チャネル形成領域４７６、第３の不純物領域４７７、４７８が形成された。
In the p-channel TFT, the gate electrode of a clad structure was similarly formed, and a channel formation region 476, and third impurity regions 477 and 478 were formed.

また、本実施例の電流制御用ＴＦＴ４５０１はゲート電極４５０２とＬＤＤ領域４５０９との間にゲート容量と呼ばれる寄生容量を形成する。
Further, the current controlling TFT[0407] 4501 according to this Embodiment is constituted in such a manner that a parasitic capacitance called gate capacitance is formed between the gate electrode 4502 and the LDD region 4509.

およびゲート電極６が形成される。
(6) Gate electrodes are formed.

を介してゲート電極４６が設けられている。
And a gate electrode 43 are provided.

とゲート電極４３が設けられる。
And a gate electrode 43 are provided.

Ｘで表されたチャネル長は、ゲート電極２２に隣接するＰボディ領域１６の長さである。
The channel length designated by X is the length of the P body region 16 adjacent to the gate electrode 22.

ＦＴ７０１はゲート電極１９a、１９bが電気的に接続されており、いわゆるダブルゲート構造となっている。
A has the gate electrodes 19 a and 19 b electrically connected, becoming a so-called double gate structure.