炭化ケイ素 - 英語 への翻訳

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日本語 での 炭化ケイ素 の使用例とその 英語 への翻訳

また、エンジン制御ユニット(EMU)および電子制御ユニット(ECU)向けの車載用プロセッサ、車載用サブシステムの中心となる高効率スマート・パワー製品、ハイブリッド・電気自動車向けのSiC(炭化ケイ素)製品などが自動車の環境性能の向上に役立ちます。
Driving is greener with our automotive processors for engine management units(EMUs) and electronic control units(ECUs), high-efficiency smart power electronics at the heart of all automotive subsystems, Silicon Carbide devices for hybrid and electric cars, and more.

現在、中国の炭化珪素の工業生産は、黒い炭化ケイ素と緑の炭化ケイ素の2種類に分かれており、六方晶であり、比重は3.20〜3.25であり、微小硬度は2840〜3320kg/mm2である。
At present China's industrial production of silicon carbide is divided into two black silicon carbide and green silicon carbide, are the six-party crystal, specific gravity is 3.20~ 3.20, the microhardness of 2840~ 3320 kg/was.

シールリングまたはシール面はメカニカルシールの主要部分であり、ドライプレスおよび焼結を利用して、シール面またはシールリングおよびwelocmeを作成し、メカニカルシールおよびメカニカルシール面または炭化ケイ素、セラミック、タングステンカーバイドのリングと協力しますカーボンなど。
Seal rings or seal faces are main parts of mechanical seals and dry pressing and sintering is utiliezed to make seal faces or seal rings and welocme to co-operate with us for mechanical seals and mechanical seal faces or rings in silicon carbide, ceramic, tungsten carbide and carbon etc.

中でもボリュームゾーンである鉄道、スマートグリッドではどちらも2020年までSiIGBT開発に集中させ、炭化ケイ素(SiC)など次世代素材の活用を2020年以後に「後回し」している。
In particular, for volume zones such as railroads and smart grids, development will be limited to Si IGBTs up to 2020, and the next-generation materials, such as Silicon Carbide(SiC), will not be utilized until 2020.

ブッシュ、ブッシング/スリーブは、基本的にベアリングと炭化ケイ素シャフトおよびブッシュ/スリーブ/ブッシングの同じ使用で、摩擦、摩擦、高温に対する優れた耐性を備え、摩擦を減らし、可動シャフトの摩耗を節約するように設計されています。高圧および磁気ポンプなどで使用できます。
A bush, bushing/sleeve is designed to reduce the friction and to save wear of a moving shaft, basically with the same use of bearings and silicon carbide shafts and bushes/sleeves/bushings, with excellent resistance to corrosion, firction and high temperature, can be used in high pressure and magnetic pumps and so on.

中国での価格戦争が比較的深刻であるため、シリコン基板はよりコストと価格の利点です：シリコン基板は、ダイ領域を減らすことができるだけでなく、窒化ガリウムエピタキシャル層ドライエッチングステップで排除することができる導電性基板であり、炭化ケイ素およびサファイアより低い硬度と組み合わせることにより、処理はいくらかのコストを節約することができる。
For China that is relatively serious in price wars, silicon substrate has more cost and price advantage: silicon substrate is conductive substrate, not only can reduce the core area, but also can omit the gallium nitride epitaxial layer of dry etching steps, coupled with the hardness of silicon than sapphire and silicon carbide low, in the processing can also save some costs.

三井金属機能性粉体事業部開発品:SiC基板用研摩材NANOBIXパワーデバイス用材料として注目されている炭化ケイ素(SiC)単結晶は非常に硬い材料であることから、この表面を原子レベルまで平滑にするには優れた研摩技術および長時間の研摩が必要でした。
MITSUI KINZOKU Engineered Powders Division| New Products: Abrasive for SiC Since silicon carbide(SiC) single crystal is receiving attention as a material for many power devices. However, it is extreamly hard and requires considerable skill and time to smoothen the surface down to the atom level.

現在、広バンドギャップ半導体ガリウム窒化物のエピタキシャル成長のためのサファイアまたは炭化ケイ素基板の大部分は、この2つの材料価格は非常に高価であり、大きな外資企業によって独占されているが、シリコンカーバイドおよびサファイア基板の価格はシリコン基板はより安価であり、より大きな基板を生成し、MOCVDの利用を改善し、それによってダイの歩留まりを増加させる。
At present, most of the market use sapphire or silicon carbide substrate to epitaxial growth broadband gap semiconductor gallium nitride, both of these materials are very expensive and are monopolized by large foreign enterprises, and the price of silicon substrate is much cheaper than sapphire and silicon carbide substrate, which can make a larger substrate, improve the utilization rate of MOCVD, thereby improving the core yield.

月30日から10月7日まで、10か国からの21人の専門家が、フッ素エデン閃石及び炭化ケイ素（SiC）繊維／ウィスカーとともに、単層カーボン・ナノチューブ（SWCNTs）及び多層カーボン・ナノチューブ（MWCNTs）を含むカーボン・ナノチューブ（CNT）の発がん性を評価するために、国際がん研究機関（IARC：リヨン、フランス）の会合に出席した。
From 30th September- 7th October 2014, 21 experts from ten countries attended a meeting at the International Agency for Research on Cancer(IARC, Lyon, France) to assess the carcinogenicity of carbon nanotubes(CNTs), including single-walled(SWCNTs) and multi-walled(MWCNTs), as well as fluoro-edenite and silicon carbide(SiC) fibres and whiskers.

SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスは、その素材であるSiCが従来のSi(シリコン)と比較して、電力損失を数分の一に低減できる省エネ半導体として、エアコン、太陽光発電システム、電気自動車(EV)、鉄道車両などの電力変換器に搭載され、今後の発展が大いに期待されています。
Silicon carbide(SiC) is a semiconductor material that achieves significant energy saving for power devices by reducing power loss to a fraction of the level achievable with conventional silicon(Si)-based devices. SiC-based power devices are used on the transformers of such systems as air conditioners, solar power systems, electric vehicles, and trains today, and a wider range of applications are expected in the future.

陶磁器炭化ケイ素。
Silicon Carbide Ceramic.

炭化ケイ素ビーム。
Silicon Carbide Beams.

炭化ケイ素プロダクト。
Silicon Carbide Products.

炭化ケイ素製造工程。
Silicon Carbide Production Process.

炭化ケイ素外乱ノズル。
Silicon carbide disturbance nozzles.

TPSS炭化ケイ素セラミックス。
TPSS Si-Impregnated Silicon Carbide Products.

炭化ケイ素ボディアーマー：シックボディアーマー。
Silicon carbide body armor: ssic body armor.

TPSS炭化ケイ素セラミックス。
TPSS silicon carbide products.

炭化ケイ素（微粉）。
Silicon Carbide Powder.

炭化ケイ素およびセラミックシャフト。
Silicon carbide and ceramic shafts.