Thermal Processing of Metal Oxides- Harper International.
금속 산화물 및 polysiloxane로 만드는 Ø.
Ø Made of metallic oxide and polysiloxane.
다이오드와 달리, 금속 산화물 배리스터는 양극성.
Unlike diodes, the metal oxide varistor exhibits in both polarities.
어떤 금속 산화물든지 결코 만지지 않거나 단단하게 청소되지 않을 것입니다.
Never touch any metallic oxide or it will hardly be cleaned.
금속 산화물, 즉 금속 b-diketonates와 금속 carboxylates의 각종 선구자 사이에서,
Among the various precursors of metal oxides, namely metal b-diketonates, and metal carboxylates,
큰 이미지: 1W AC 300V는 열으로 운동 20D의 금속 산화물 배리스터를 보호했습니다.
Large Image: 1W AC 300V Thermally Protected MOV 20D, Metallic Oxide Varistor.
예를 들면 금속 산화물 (TiO2, 실리카 (Silica), 세리아 (Ceria), ZnO, …).
e.g. metal oxides(TiO2, Silica, Ceria, ZnO,…).
저항의 크기는 금속 산화물 복합물 /구조 및 센서의 작동 온도에 따라 변한다.
The magnitude of the resistive changes depends on the metal-oxide composition/structure and the operating temperature of the sensor.
낮은 지수 및 높은 지수의 적절한 소재를 선택할 때, 코팅 기술자들은 낮은 흡수율을 가진 절연질의 금속 산화물(dielectric metal oxides)을 선호합니다.
When choosing the appropriate low-index and high-index materials, coating technicians favor dielectric metal oxides because of their low absorptivity.
SiC를 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터,
SiC epi wafer is mainly used for Schottky diodes, metal-oxide semiconductor field-effect transistors,
Altair Nanotechnologies, Inc. (Altairnano) (NASDAQ: 그것이라고 알려진 ALTI는) 수여되었었습니다 "혼합 금속 산화물과 금속 산화물 화합물 생성의 방법을 위한 미국 특허를.".
Altair Nanotechnologies, Inc.(Altairnano)(NASDAQ: ALTI), announced it had been granted a U.S. patent for the"Method of Producing Mixed Metal Oxides and Metal Oxide Compounds.".
금속 산화물 또는 비금속 산화물의 BET 표면적은 약 5 내지 약 1000m 2 /g 사이일 수 있다.
The BET surface area of the metal oxide or metalloid oxide can be between about 5 and about 1000 m2/g.
예를 들면, 금속 산화물 현탁액에 TSPP를 추가하는 것은 IEP가 최저 PH 값에 이동하거나 전부 사라지는 원인이 될 것입니다.
For example, adding TSPP to a metal oxide suspension will cause the IEP to shift to extremely low pH values or disappear altogether.
금속 산화물 영화 저항기는 금속 영화와 탄소 영화 저항기 보다는 고온에서 저항할 수 있습니다.
The metal oxide film resistors are able to withstand at higher temperatures than metal film and carbon film resistors.
HIVOLT에는 이 금속 산화물 배리스터 (MOVs) 제조에 있는 아주 경험있는 cability가, 있습니다.
HIVOLT has very experienced cability in manufacturing these Metal Oxide Varistors(MOVs), and.
금속 산화물 바리스터 MOV는 낮은 전압의 경우 높은 전기 저항을 가지며 높은 전압의 경우 저항이 떨어지는 특성이 있습니다.
The metal oxide varistor, MOV, has a characteristic where for low voltages it has a high electrical resistance, and for higher voltages the resistance falls.
타겟(41)으로서는, 아연을 포함하는 금속 산화물 타겟을 이용하는 것이 바람직하다.
As the target 41, a metal oxide target containing zinc is preferably used.
나노link에는 나노미터 근거를 두, 마스터 배치의 변경한 기능 가는 금속 산화물 준비가 있고,
Nanolink has nanometer metallic oxide preparation, grinding scattering,
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