방법 B의 단계 1에서는, 소자 사양에 적합한 2개의 경면-연마된 실리콘 웨이퍼 22 및 23을 제조한다.
In Step 1 of Method B, there are prepared two mirror silicon wafers 22 and 23 suitable for device specifications.
Home / 용도 예 / 기계 가공 분야에서 사용 예제 / 제 78 호 실리콘 웨이퍼의 질소 건조.
Home/ Best Applications List/ Machine/ No.78 Dryness of Silicon wafers by the Nitrogen gas.
실리콘 웨이퍼의 작업 다이는 잘라진 후 보내져 칩으로 조립된다.
The working die from the silicon wafer are cut and sent to be assembled into a chip.
실리콘 웨이퍼나 MEMS의 검사, 공정 제어 및 결함 분석은 빠르고 정확해야 합니다.
Inspection, process control, and defect analysis of silicon wafers or MEMS has to be fast and accurate.
시스템의 3D 매핑 기능을 사용하여 실리콘 웨이퍼와 같은 부품의 코팅 지형을 볼 수 있습니다.
The system's 3D mapping capability can be used to view the topography of a coating on a part such as a silicon wafer.
유리 시트 또는 실리콘 웨이퍼도 기재 305로서 사용될 수 있다.
a glass sheet or a silicon wafer also could be utilized as a base 305.
AEK, 대만 에서 실리콘 웨이퍼 셀 을 구입 그들을 함께 솔더 및 알루미늄 액자입니다 힘든 하지만 유연하고 밀폐 된 패널을 형성하기 위해 강화 유리 로 적층 하는 이탈리아의 기계를 사용합니다.
AEK buys silicon wafer cells from Taiwan, solders them together and uses an Italian machine to laminate them with tempered glass to form a tough but flexible and airtight panel that is framed in aluminum.
그러나, 관심 사항으로서, 실리콘 웨이퍼 표면의 초기 거칠기는 약 0.1 RMS nm이고,
However, as a matter of interest, the initial roughness of the silicon wafer surface was about 0.1 RMS nm, and the initial roughness
소자 사양에 적합한 2개의 경면-연마된 실리콘 웨이퍼 22 및 23을 제조한다.
1 of Method B, there are prepared two mirror silicon wafers 22 and 23 suitable for device specifications.
한편 SEMI의 2018 중국 반도체 실리콘 웨이퍼 전망(China Semiconductor Silicon Wafer Outlook)은 포괄적인 연구 보고서로, 중국의 실리콘 웨이퍼 제조 생태계에 대한 심도 깊은 분석을 담은 마이크로소프트 엑셀® 워크북을 포함하고 있다.
SEMI's 2018 China Semiconductor Silicon Wafer Outlook is a comprehensive research report with a Microsoft Excel® workbook containing in-depth analysis of China's silicon wafer manufacturing ecosystem as it relates to the global semiconductor wafer industry.
질화알루미늄 또는 질화규소 및 일반적으로 약 25Å 두께)는 후속의 GaN 침착을 용이하게 하기 위해 실리콘 웨이퍼 150 위에 침착된다.
a buffer layer 145(such as aluminum nitride or silicon nitride and generally about 25 Angstroms thick) is deposited on the silicon wafer 150 to facilitate subsequent GaN deposition.
당사는 특수 설계를 사용하여 실리콘 웨이퍼 및 세라믹 처리에 사용하기 위한 점착제를 생산하고 있습니다.
We use special designs to produce adhesive for use in the processing of silicon wafers and ceramics that enable it to be strong under normal conditions,
단결정 위에 증착 된 단결정 실리콘의 층이다. 실리콘 웨이퍼 (참고: 고도로 도핑 된 단일 결정질의 상부에 다결정 실리콘 층의 층을 성장시키는 것이 가능하다 실리콘 웨이퍼,
is a layer of single crystal silicon deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to Grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline Silicon wafer,
예를 들면, 실리콘 웨이퍼 150 및/또는 완충 층 145의 표면을 선택된 면적들에서 거칠게 하여 상응하는 GaN 영역들이 단일 결정을 갖지 않게 하거나, 실리콘 웨이퍼 150에 트렌치들을 에칭시켜 웨이퍼 150 전체에 걸쳐 연속적 GaN 결정이 존재하지 않도록 하는 것이 비제한적으로 포함된다.
for example and without limitation, include roughening the surface of the silicon wafer 150 and/or buffer layer 145 in selected areas, so that corresponding GaN regions will not be a single crystal, or etching trenches in the silicon wafer 150, such that there is also no continuous GaN crystal across the entire wafer 150.
While the three-dimensional silicon wafer's structure significantly increases its solar-absorbing surface area, its wavy shape
이것이 불가능하더라도, 원형 실리콘 웨이퍼에서 취해질 수 있는 IC 칩의 수는 감소되므로, 이는 실질적으로 선택될 수 없다.
Even if it is not impossible, the number of IC chips which can be taken out of a circular silicon wafer is reduced, and therefore it cannot be practically selected.
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