MEMORY CELLS in Japanese translation

• メモリセル
• 記憶細胞は
• メモリーセルを
• 記憶セルは

Examples of using Memory cells in English and their translations into Japanese

ROM and RAM are both made up of memory cells.
ROMやRAMは、複数の記憶素子（メモリセル）から構成されます。

The scientists found that in the germinal centers, IgM can in fact switch to IgG-type memory cells.
実際に、胚中心でIgM型記憶細胞がIgG型記憶細胞へと切り替わることがわかった。

This signaling leads to the release of chemical attractants that recruit more memory cells to the site of reinfection.
この情報伝達により化学誘引物質が放出されて、さらに多くの記憶細胞が再感染部位へと引き寄せられる。

BiCS FLASH's wide open spaces between memory cells reduce cell coupling and improve reliability compared to the 2D NAND flash memory..
DNANDと比較してメモリセル及びメモリセル間のサイズを広げることが可能なため、隣接メモリセル間の干渉による影響が低減され信頼性が向上しました。

Yamaji: Flash memory stores information by holding electrons in parts called memory cells, which exist in innumerable quantities on the integrated circuit chip.
山路：フラッシュメモリは、集積回路チップ上に無数に設けられた「メモリセル」という部分に電子を保持することで情報を記憶しています。

Throughout the lifetime of an animal, these memory cells will“remember” each specific pathogen encountered, and are able to mount a strong and rapid response if the pathogen is detected again.
動物の生涯にわたってこれらの記憶細胞は各々の特異的な病原体に出合った記憶を保持し、病原体が再び感知されると強力な応答を発動できる。

Figures 1a and 1b. The 3D NAND design stacks memory cells vertically in multiple layers to address 2D NAND scaling challenges, and to enable higher densities at lower cost per bit.
図1aおよび1b:3DNAND設計はメモリーセルを垂直に多数積層し、2DNANDが直面したスケーリング上の課題に対応し、ビットあたりコストを削減しつつ高密度を実現しています。

Spaces between memory cells in BiCS FLASH are far wider than in 2D NAND flash memory. This made it possible to improve the programming speed by increasing the amount of data for a single-shot programming sequence.
DNANDと比較してメモリセル及びメモリセル間のサイズを広げることが可能なため、１度に書き込めるデータ量が増加し書き込みスピードが向上しました。

Throughout the lifetime of an animal, these memory cells will remember each specific pathogen encountered and can mount a strong response if the pathogen is detected again.
動物の生涯にわたってこの記憶細胞は、遭遇したそれぞれの特異性のある病原体を記憶しておりその病原体が再び感知されると、つよい応答を繰り出す。

The plurality of memory cells 1050 are arranged in array, and each memory cell 1050 is connected to the bit line 1051 and the word line 1052.
複数のメモリセル１０５０はアレイ状に配置されており、各メモリセル１０５０は、ビット線１０５１及びワード線１０５２に接続されている。

And additional 43 memory cells(VAC: vector accumulation) were allocated for vector operation when executing an interpreter language(described later) job.
インタプリタ言語(後述)ジョブの実行時には、ベクトル演算のために、加えて43個のメモリセル(VAC:vectoraccumulation)が割り当てられた。

Memory cells are why vaccination is effective; however, in the case of heart failure, memory cells may be responsible for an ongoing capacity of T-cells to injure the heart.
記憶細胞は、予防接種が効果的な理由ですが、心不全の場合、記憶細胞が、T細胞に心臓を傷つける継続的能力を与えている可能性があります。

Thus, the memory cells, which are postulated to provide the protection afforded by vaccination and booster immunizations, have more relaxed requirements, which explains their faster response time.
このように、ワクチン接種と追加免疫によって保護が付与されると考えられている記憶細胞は、より緩やかな条件を持っており、そのことから、より素早い応答性が説明できる。

Weill and colleagues found that IgM memory cells persist for a longer period, over the entire 12-month observation period, whereas IgG memory cells wane after 6 months.
また、IgM型記憶細胞は持続期間が長く、12か月にわたる観察期間の間ずっとみられたが、IgG細胞のほうは6か月後には減少した。

Then when a repeated exposure is met, over 2 to 3 days these memory cells give rise to a whole cascade of responses that result in dermatitis.
そして、繰り返された露出が迎えられるとき、これらのメモリ細胞が与えるより2-3日間は、皮膚炎をもたらす反応は全体のカスケードに上がります。

Capacity increase with additional layers In the near future, 3D will be constructed of 48 layers of memory cells that are connected in a vertical NAND string through a cylindrical channel see chart 2.
層の追加により容量を増加近い将来、3Dでは、48層のメモリーセルがシリンダー状チャネル経由で垂直NANDストリング構造に接続されるようになります(図2参照)。

Weill and colleagues found IgM memory cells can undergo further'education,' which fine-tunes their antibody responses, in the body's germinal centers― specialized areas necessary for generating immune responses.
Weillたちは、これらのIgM型記憶細胞に、免疫応答の発生に必要な特殊な領域、胚中心においてさらに「教育」を受け、抗体応答を微調整する能力があることを発見した。

And 2 shows four memory cells in the NAND string, the use of four transistors is only provided as an example.
図１、図２はＮＡＮＤストリング内の４個のメモリ・セルを示すが、この４個のトランジスタの使用態様は、単に一例として提供されるものである。

When devices incorporating new compound semiconductor memory cells are introduced to data centers, peak power consumption can be reduced to one fifth.
新しい化合物半導体メモリセルを採用したデバイスがデータセンターに導入されると、ピーク時の消費電力を5分の1にまで抑えることが可能だとのこと。

However, it is unclear how this is regulated and whether memory cells are formed from the effector cells or differentiate separately(see the Perspective by Feau and Schoenberger).
しかしながら、これらがどのように制御されているのか、そして免疫記憶細胞がエフェクター細胞から作られるのか、或いは別々に分化するかどうかに関しては不明である(FeauandSchoenbergerによる展望記事参照)。