HETEROSTRUCTURES in Russian translation

• гетероструктурах
• гетероструктур
• гетероструктуры

Examples of using Heterostructures in English and their translations into Russian

In 2000, Kroemer, along with Zhores I. Alferov, was awarded the Nobel Prize in Physics"for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics.
Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алферовым,« за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто- электронике».

resonant states of shallow acceptors in strained semiconductor heterostructures and uniaxially stressed germanium».
резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии».

The scientific-technological complex in Skolkovo is a serious chance also for semiconductor heterostructures that convert solar energy.
Научно- технологический комплекс в Сколково- серьезный шанс в том числе и для полупроводниковых гетероструктур, преобразующих солнечную энергию.

silicon-based and semiconductor heterostructures.
кремниевых и полупроводниковых гетероструктур.

The properties of a 2D electron system have been investigated in the regime of the Stoner ferromagnetic instability by the magneto-optical method for even Landau level filling factors on MgZnO/ZnO heterostructures.
В гетероструктурах MgZnO/ ZnO при четных значениях фактора заполнения уровней Ландау с помощью магнитооптического метода исследованы свойства двумерной электронной системы в режиме ферромагнитной неустойчивости Стонера.

The optimal light sources for CdS/CdSe photoresistors are AlGaAs heterostructures(emission wavelength~660 nm) or GaP LEDs λ 697 nm.
Оптимальными излучателями для кадмиевых фоторезисторов являются красные светодиоды на гетероструктурах AlGaAs( длина волны λ 660 нм) или GaP/ GaP( λ 697 нм), имеющие относительно широкие спектры излучения.

Development of electromechanical methods of semiconductor heterostructures forming based on nanostructured layers of tin sulfide
Разработка электромеханических методов формирования полупроводниковых гетеропереходов на основе наноструктурированных слоев сульфида олова

A laboratory process of semiconductor heterostructures formation based on tin sulfide for thin-film photovoltaic cells have been developed.
Разработан лабораторный технологический процесс формирования полупроводниковых гетеропереходов на основе сульфидов олова для тонкопленочных фотоэлектрических элементов.

Simulation results of microrelief on n-GaN layer of GaN/InGaN-based heterostructures of light emitting diode are presented.
Представлены результаты моделирования микрорельефа различной конфигурации на слое n- GaN в светодиодной гетероструктуре на основе GaN/ InGaN.

on silicon substrates for non-polar III-nitride heterostructures by gas-phase deposition using organometallic compounds in the formation of GaN/InGaN quantum wells, provides the formation of arrays of GaN-InGaN nanodots
на подложках кремния для неполярных гетероструктур III- нитридов методом газофазного осаждения с использованием металлорганических соединений в процессе формирования GaN/ InGaN квантовых ям,

novel heterostructures and superlattices, the technologies for epitaxial growth through ultra-thin amorphous layers,
новых гетероструктур и сверхрешеток, эпитаксией через сверхтонкие аморфные слои, умением снимать пленки

Annotation: In the article we considered the problem of the efficiency of luminescence LED heterostructures with multiple quantum well(MQW)
Данный подход продемонстрирован на примере задачи повышения эффективности светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами( MQW),

Thermovoltaic effect in the SmS based heterostructure under pressure.
Термо- вольтаический эффект в гетероструктуре на основе SmS под дав- лением.

gallium arsenide, heterostructure, nanofilm.
арсенид галлия, гетероструктура, нанопленки.

Leading research associate of heterostructure technology department, Dr. Sci.
Ведущий научный сотрудник отдела технологии гетероструктур, д.

Each of the junctions between different bandgap materials is called a heterostructure, hence the name"double heterostructure laser" or DH laser.
Каждое соединение двух таких различных полупроводников называется гетероструктурой, а устройство-« диод с двойной гетероструктурой» ДГС.

These heterostructures were used to manufacture HEMT, which have the gate length L g 180 nm and two-sectional gate topology
На них с помощью электронно-лучевой литографии были изготовлены транзисторы с двумерным электронным газом( HEMT) с длиной затвора L g= 180 нм

Modeling of electron transport and energy spectrum in tunnel heterostructures with metal electrodes was performed.
Выполнено моделирование электронного транспорта и энергетического спектра в туннельных гетероструктурах с металлическими электродами.

Modeling of electrothermal processes in submicron heterostructures" under the supervision of V.
Защищена кандидатская диссертация на тему:« Моделирование электротепловых процессов в субмикронных гетероструктурах» под руководством В. И.

Thesis-«Luminescence properties of Si/SiGe heterostructures doped admixture of erbium».
Диссертация-« Люминесцентные свойства гетероструктур Si/ SiGe, легированных примесью эрбия».