GALLIUMNITRID in English translation

• gallium nitride
• gan

Examples of using Galliumnitrid in German and their translations into English

dotieren Forscher Galliumnitrid(GaN) seit den 1990-er Jahren mit Magnesium. Allerdings ist der Prozess sehr ineffizient.
researchers have doped gallium nitride(GaN) by adding magnesium impurities to create holes, but the process is highly inefficient.

Galliumnitrid basierter quasi-normally-off Gate-Treiber
Gallium nitride based quasi-normally-off gate driver

Für neuartige Halbleiter wie Galliumnitrid, oder für metallische Nitride wie Hafniumnitrid
Novel semiconductors such as gallium nitride, or metallic nitrides such as hafnium

CMOS-kompatible GaN-HEMT-Technologie bei IMS CHIPS Mit der Herstellung von Leistungstransistoren in Galliumnitrid (GaN)-Technologie konnte ein neues Arbeitsgebiet am IMS seine ersten Erfolge feiern.
CMOS-compatible GaN-HEMT technology at IMS CHIPS By manufacturing power transistors in gallium nitride(GaN) technology the IMS has experienced its first taste of success.

Ziel sei die Entwicklung neuer Materialien, die zu einem besseren Verständnis von Galliumnitrid führen und die Herstellung von UV-emittierenden und weißen LEDs ermöglichen.
Our intention is to develop exciting new material structures that will lead to greater understanding and to production of gallium nitride materials for UV and white LEDs.

Durch Galliumnitrid als Halbleitermaterial erwarten wir eine 5-
With gallium nitride as a semiconductor material,

München und Nürnberg- 5. Juni 2018- Die entscheidenden Vorteile von Galliumnitrid(GaN) sind u. a. hohe Leistungsdichte,
Munich and Nuremberg, Germany- 5 June 2018- The key benefits of gallium nitride(GaN) are, amongst others,

Bauteile und Schaltungen für 5G-Basisstationen auf Basis von Galliumnitrid(GaN) entwickelt werden, die wesentlich energieeffizienter sind als herkömmliche Bauelemente aus Silicium Si.
circuits for 5G base stations on the basis of gallium nitride(GaN) that are much more energy-efficient than conventional silicon(Si) components.

die sich wegen der verfügbaren Waferdurchmesser auf absehbare Zeit nicht auf 300 Millimeter migrieren lassen- also vorrangig Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
due to the available wafer diameters- in other words, primarily silicon carbide and gallium nitride.

das für ihn passende Produkt aus unserem Portfolio auszuwählen- neben Silizium eben auch Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
In addition to silicon, this also includes silicon carbide and gallium nitride.

Doch dank der neuen Infineon MERUSTM Multilevel Class-D-Technologie und Galliumnitrid CoolGaNTM e-mode HEMTs ist es heute möglich,
But with the conception of Infineon's MERUS™ multilevel class D technology and gallium nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs,

Für leistungsfähige Hochfrequenzverstärker, wie sie für die Basisstationen und die Infrastruktur der Mobilfunknetze benötigt werden, eignet sich Galliumnitrid besonderes, da damit hohe Frequenzen bei großer Leistung verarbeitet werden können.
GaN-based devices are especially well suited for powerful high frequency amplifiers that are required for base stations and the infrastructure of the cellular network, as it allows to provide high frequencies at high power.

Gate-Drain-Abstände zwischen 2 µm and 10 μm deutlich über jenen von etablierten Halbleitern mit großer Bandlücke wie etwa Siliziumkarbid oder Galliumnitrid.
10 µm. This is significantly higher than those of established wide bandgap semiconductors such as silicon carbide or gallium nitride.

Auch bei Infineon ist Galliumnitrid ein ganz heißes Thema.
Gallium nitride is a very hot topic also at Infineon.

Mit Galliumnitrid können Sie dasselbe erreichen- allerdings mit einem simplen Tiefsetzsteller.
But with GaN you can do the same while using a dumb buck converter.

Das Halbleitermaterial Galliumnitrid(GaN) ist vielseitig einsetzbar.
The semiconductor material gallium nitride(GaN) is very versatile.

Bessere Materialeigenschaften verspricht Galliumnitrid GaN.
Gallium nitride(GaN) promises better material properties.

haben bereits viel geistiges Eigentum bei Galliumnitrid.
we already have a lot of intellectual property in GaN.

Dadurch entfällt der Kostenvorteil Galliumnitrid auf einem Standard-Siliziumwafer aufzuwachsen gegenüber einem Siliziumkarbid-Wafer.
This in turn eliminates the cost advantage of gallium nitride grown on a standard silicon wafer compared to a silicon carbide wafer.

Gerade bei einer solch neuen Technologie wie Galliumnitrid, wo es noch nicht so viel Felderfahrung gibt,
Particularly with such a new technology as GaN, as there is not a lot of field experience yet,