N型 in English translation

n-type
n型
nタイプの
n type
n型
nタイプの
type n
n型
nタイプの
n-linked

Examples of using N型 in Japanese and their translations into English

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今後の予定フューチャーインクからのN型有機半導体の販売開始は、2017年4月を予定しています。
Future Plans Future Ink will begin providing samples of the n-type organic semiconductor material in April 2017.
N型気密装置の欧州規格に対するExD承認(カテゴリー3)であり、ATEX指令94/9/ECを持っています。
It is also Ex D approved(category 3) to the European standard for type N air-tight devices and has ATEX directive 94/9/EC.
N型半導体中では負の電荷(電子)が移動することで電流が流れる。
Electrical current flows by the movement of negative charges(electrons) within the n-type semiconductor.
これは、N型有機半導体が大気中の水や酸素に対して化学的に弱く、長期間にわたって高い性能を維持することが難しかったためです。
This is because n-type organic semiconductors are chemically susceptible to atmospheric water and oxygen, making it difficult to maintain their advanced performance over the long term.
GaNテンプレートを用いることで、LEDメーカーはn型GaNバッファ層の成長が不要となり、成長に要する時間を従来の2分の1程度に短縮することが可能となります。
Using a GaN-template means LED manufacturers do not need to grow an n-type GaN buffer layer and this reduces the time required for growth by about half compared with conventional methods.
ガリウム窒化物:n型、p型および半絶縁性窒化ガリウム基板、ならびに、低、マルコ欠陥密度および転位密度が低い、リード、ldまたは他の用途のための鋳型またはガンエピウェハウェハ。
Gallium Nitride: N type, p type and semi-insulating gallium nitride substrate and template or GaN epi wafer for HEMT with low Marco Defect Density and Dislocation Density for LED, LD or other application.
契約に基づき、GoldenInvestはオーストラリアで、Jolywoodが製造、供給するN型両面太陽電池モジュールを独占的に利用する総容量100MWの発電プロジェクトを開発する。
Per the agreement, Golden Invest will develop power projects with a total capacity of 100 MW in Australia, which will exclusively utilize N-type bifacial solar modules manufactured and supplied by Jolywood.
弊社の販売するN型有機半導体材料が電子デバイス産業新聞主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2017」の半導体用電子材料部門グランプリを受賞しました。
Our N type Semiconductor products(TU-1 and TU-3) has been awarded a Semiconductor of the Year 2017 Grand Prix Prize sponsored by trade publication Electric Device Industry News published by Sangyo Times.
入力コネクタの種類には、N型、Kコネクタ®(SMAおよび3.5mmに互換)、Vコネクタ®(2.4mmに互換)があります。
Input connector types include Type N, and K Connector® (compatible with SMA and 3.5 mm), and V Connector® compatible with 2.4 mm.
に依存しており、電子伝導(n型,或いはnチャンネル)は通常小さい。
conduction of electrons(n type or n channel) is usually poor.
N型モジュールの主な利点としては、金属不純物に対して鈍感、赤外線から電気への変換がより効率的、初期分解率が低いことなどが挙げられます。
Key advantages of n-type modules include insensitivity to metallic impurities, a more efficient conversion of infrared light into electricity, and a lower initial degradation rate.
レーザー照射アニーリングが、pn接合ベースの2次元電子デバイスを作り出すために必要な、n型領域を生成するための、高度な空間的制御と深度制御を提供しています。
The laser radiation annealing provides a high degree of spatial and depth control for creating the n-type regions needed to create p-n junction-based two-dimensional electronic devices.
これは、N型有機半導体が大気中の水や酸素に対して化学的に弱いことが原因で、電子デバイスに用いても高い電気特性を維持することが難しかったためです。
This is because n-type organic semiconductors are chemically susceptible to atmospheric water and oxygen, and it has been difficult for them to maintain advanced electronic properties when used in electronic devices.
電子移動度*2が3cm2/Vsを超え、かつ空気中で安定という高性能なN型有機トランジスタを印刷法で作製することに世界で初めて成功いたしました。
This is the first time in the world to that a printing method has been used to manufacture high-performance n-type organic transistors with an electron mobility*2 exceeding 3cm2/Vs and stable in air.
私たちは、mbeまたはmocvdによって成長されたga、al、in、as、およびpに基づいて、さまざまなタイプのエピウェーハのIII-Vシリコンドープn型半導体材料を製造しています。
We are manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD.
我々は、MBE又はMOCVDによって成長させたGaを、アルにおいて、AsおよびPに基づいてエピタキシャルウエハIII-Vシリコンドープのn型半導体材料の様々なタイプを製造しています。
We are manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD.
C60インデン付加体の分析例C60インデンは誘導体化フラーレンの一種であり、有機薄膜太陽電池のn型半導体材料として注目されている化合物です。
Separation of C60 Indene Buckyprep-D offers improved separation for C60 indene, a derivatized fullerenes, that has received much attention as the n-type semiconductor material of organic thin-film solar cell.
要望に応じて、N型やP型、600Vデバイス用から10KVを超える超高耐圧デバイス用エピまで、あらゆる仕様に対応しております。
Depending on request, we are trying to meet all specifications from N type, P type, to 600 V devices, and Epi for ultra-high voltage devices exceeding 10 KV.
概要抵抗素子にn型シリコンを用い、被測定材の線膨脹係数に合わせ素材の抵抗温度係数をコントロールしたもので、温度による抵抗変化は極めて小さくなっています。
Summary The KSN series gages use an n-type silicon as the resistive element to control the resistance temperature coefficient of the material according to the linear expansion coefficient of the measuring object.
しかし、GaN結晶の質を高め、電気的性質を制御することは難しく、n型結晶は実現されたが、LEDに不可欠のp型結晶は実現できなかった。
However, it was quite difficult to prepare high-quality GaN and control their electrical properties. One could form n-type GaN, but p-type materials indispensable for LEDs remained out of reach.
Results: 89, Time: 0.0285

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