GAN - vertaling in Spaans

• gan

Voorbeelden van het gebruik van Gan in het Nederlands en hun vertalingen in het Spaans

georiënteerde GaN op(10.0) m-vlakke saffier met een middenlaag tussen het saffiersubstraat en de laag GaN gekweekt.
orientado en GaN(10,0) m-plano de zafiro con una capa intermedia entre el substrato de zafiro y la capa de GaN.

De Macht van het Rooster verhoogt ook zijn R&D voor de productie van HB GaN LEDs op siliciumsubstraat voor zelfs nog meer kosten efficiënte apparaten.“.
La Potencia del Cedazo también está escalando encima de su R&D para la producción de la HB GaN led en el substrato de silicio para aún más dispositivos eficientes del costo.”.

de diplomatieke vertegenwoordiging Israël onmiddellijk verplaatst zou moeten worden van Ramat Gan naar de Israëlische hoofdstad Jeruzalem?
está de acuerdo conmigo en que la UE debería trasladar de inmediato su representación diplomática en Israel de Ramat Gan a la capital israelí, Jerusalén?

Het consortium zal Europese technologie voor de volledige die productieketen voor halfgeleiderapparaten ontwikkelen worden gebouwd met sic(het Carbide van het Silicium) en heteroepitaxial GaN(het Nitride van het Gallium op siliciumwafeltjes).
El consorcio desarrollará la tecnología Europea para el encadenamiento completo de la producción para los dispositivos de semiconductor construidos con Sic(Carburo de Silicio) y GaN heteroepitaxial(Nitruro del Galio en las obleas de silicio).

Siew Hua Gan “Cinnamon.
Siew Hua Gan“Canela.

goud op de p-type oppervlakte van GaN en het ontharden in lucht 30 minuten bij 470 graden van C. bestaan.
el oro en el p-tipo superficie de GaN y destemplándolos en el aire por 30 minutos en 470 grados de C.

Onlangs werden lasers van indium galliumnitride(InGaN) op een saffiersubstraat vervaardigd met behulp van een laag epitaxiaal zijwaarts overgroeide GaN, die overeenkomt met de rooster energie tussen de saffier en de halfgeleider.
Recientemente, indio, galio y nitruro(InGaN) láser han sido fabricados sobre un substrato de zafiro con una capa de GaN epitaxial lateral cubierto para que coincida con la energía de red entre el zafiro y el semiconductor.

De topografie toont een stap van het substraat aan de lagen GaN, verscheidene stappen binnen GaN, en sommige niet gedefiniëerde verontreiniging bij de juiste rand.
La topografía muestra un paso de progresión del substrato a las capas de GaN, a varios pasos de progresión dentro del GaN, y a algunas contaminaciones indefinidas en el borde correcto.

Van Energie heeft de ontwikkeling van free-standing substraten GaN en hun vervaardiging door HVPE geïdentificeerd
De Energía ha determinado el revelado de los substratos libres de GaN y de su manufactura por HVPE

De Groei van groot gebied(150mm) Sic en hoog- kwaliteit heteroepitaxial GaN op 150mm de wafeltjes van Si, voorbij het huidige overzicht wereldwijd voor substraten,
Incremento de la área extensa(150m m) Sic y de GaN heteroepitaxial de alta calidad en los fulminantes de 150m m Si, más allá del

Het eiland Gan, Feydhu, Maradhu Feydhu,
La isla de Gan, Feydhu, Maradhu Feydhu,

Tan Sau(opwaarts gerichte palmblok), Gan Sau(splijthand) en Bong Sau(vleugelarm).
el tan sau(bloqueo con palma hacia arriba), el gan sau(mano separada) y el bong sau(brazo alado).

Cree heeft aanzienlijke vooruitgang geboekt in de afgelopen 18 maanden in het aanscherpen van de focus van ons bedrijf aan een semiconductor powerhouse in Silicon Carbide en GaN technologieën.
Cree ha logrado avances significativos en los últimos 18 meses en afilar el foco de nuestro negocio para convertirse en una potencia de semiconductores en Silicon Carbide y tecnologías de GaN.

Een conventionele heterostructuur AlGaN/GaN wordt over het algemeen gevormd door een laag van AlGaN op een dikke laag GaN op semi-insulating of isolerende substraten
Una heteroestructura convencional de AlGaN/GaN es formada generalmente epitaxial depositando una capa de AlGaN en una capa gruesa de GaN en los substratos semiaislantes

economische volume productie overwinnen, uiteindelijk brengend GaN machtsapparaten aan de markt.“.
fabricación económica del volumen, trayendo final los dispositivos de potencia de GaN al mercado.”.

hoge frequentietoepassingen zal gebruiken om introductie op de markt van apparaten in de nabije toekomst toe te laten GaN.
silicio de alta potencia, las aplicaciones de alta frecuencia para permitir la comercialización de los dispositivos de GaN en un futuro próximo.

oplossen van dit probleem, geboekt en nauw met een belangrijke HOOFDfabrikant samengewerkt om deze semi-polar laag GaN voor optoelectronic apparaten te vervaardigen.
está trabajando en estrecha colaboración con un fabricante líder de led para la fabricación de estas capas semi-polar de GaN para dispositivos optoelectrónicos.

bloedcholesterol verminderen en acyl drie de olie van Gan, het deposito van calcium
reducir el colesterol de la sangre y el aceite de Gan del acil tres,

Gan Ying: in 97 na Christus, om handelsbetrekkingen met Rome rechtstreeks te vestigen, werd Gan Ying door Ban Chao naar Da Qin gestuurd(de oude naam van het Romeinse rijk),
Gan Ying: en el 97 dC, con el fin de establecer relaciones comerciales con Roma directamente, Gan Ying fue enviado por Ban Chao a Da Qin(el antiguo nombre del Imperio Romano),

kan men zien dat GaN een nog betere kandidaat zou kunnen zijn aangezien het een gelijkaardige van het kristalstructuur en rooster constanten aan ZnO heeft.
puede ser visto que GaN podría ser un candidato incluso mejor puesto que tiene una estructura cristalina similar y constantes del cedazo a ZnO.