DOPANT - 日本語 への翻訳

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英語 での Dopant の使用例とその 日本語 への翻訳

Breaking the periodicity of a photonic crystal by enlarging, reducing, or removing some of the voids introduces new energy levels within the bandgap(similar to dopant atoms adding energy levels within the electronic bandgap of a semiconductor).
空孔(void)の幾つかを拡大したり、減少させたり、除去することによって、フォトニック結晶の周期性を壊すことは、新しいエネルギーレベルをバンドギャップ内部に導入する（エネルギーレベルを半導体の電子バンドギャップ内に追加するドーパント原子に類似）。

Its beam line architecture has been specially designed with the angle accuracy and beam shape control necessary for exact dopant placement and minimal within-wafer and wafer-to-wafer variability for a variety of applications in logic FinFETs and 3D memory structures.
ビームラインアーキテクチャは、正確なドーパントの位置と、ロジックFinFETsと3Dメモリ構造の様々なアプリケーションにおいて、ウェーハ内およびウェーハ間のばらつきを最小限に抑えるために必要な、入射角精度とビーム形状の制御を達成するために特別にデザインされています。

XFH and PEH have suvccessfully clarified dopant sites and lattice distortions in various materials, such as semiconductors, superconductors, magnetic materials, structural materials and ferroelectric materials, which lead us to the atomic-level insight into the origin of the physical properties of materials.
半導体、超伝導体、磁性材料、構造材料などにおけるドーパントの構造状態や強誘電体における格子歪みなどを解明した実績があり、物性や機能の発現機構に対する原子レベルの知見を提供してきました。

Although many of the examples provided herein describe various layers as comprising a single material, it is understood that combinations of materials, such as a mixture of host and dopant, or more generally a mixture, may be used.
本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。

Some of our most exciting, recent basic research highlights include: Coupling chemical synthesis, atomic resolution microscopy, and first-principles modeling, Illinois Professor Ertekin and PI Ishihara demonstrated for the first time that isolated dopant atoms embedded into titania can function as co-catalysts for the photocatalytic production of hydrogen gas at rates that can be as much as ten times as large as undoped systems.
最近のI2CNERの特筆すべき基礎研究として、以下にご紹介いたします。カップリングによる化学合成や原子分解能顕微鏡法、第一原理モデリングの研究を続けるイリノイ大学のErtekin助教と石原教授は、チタニアの格子中に導入されたドーパント原子が、水素ガスの光触媒製造の助触媒として非ドープ型の10倍ほどの速度で機能することを初めて実証しました。

Sulfur or tellurium are used as dopants to produce n-type semiconductors.
硫黄またはテルルがn型半導体を製造するドーパントとして使用される。

It is possible to bond multiple YAGs by adding different dopants.
異なるドーパントを添加したYAG同士の接合が可能。

Electron state of semiconductor lattice defects and impurities(dopants).
半導体の格子欠陥、不純物(ドーパント)の電子状態。

By melt-annealing, the dopants are superactivated and the low resistance layer is defect free.
メルトアニールによりドーパントの超活性化が行われ、欠陥の無いトップレベルの低抵抗層が得られます。

In Si and inorganic semiconductors such as III-V semiconductors, only SIMS were used for the depth profile analysis of dopants.
SiやIII-V族半導体などの無機物半導体では、ドーパントの深さ方向分析を、もっぱらSIMSが担ってきました。

Moreover, by measuring capacitance while varying the bias voltage, the status of dopants, in a semiconductor can also be known.
さらにバイアス電圧を変えながら静電容量を計測することで半導体のドーパントの状態などを知ることもできる。

Furthermore, the nitrogen dopants helped water droplets stick closer to the carbon heat source, raising the evaporation rate see image.
さらに、窒素ドーパントは、水滴をヒーター付近に付着させ、蒸発スピードを速めるのに役立っているのだ(図参照)。

From lime green to blue Other dopants can also be used such as gallium, or yttrium.
ライムグリーンから青への他の添加物はまたガリウム、かイットリウムのような使用することができます。

The usual experimental route is to introduce magnetic dopants into the material, but that approach is intricate and creates unwanted disorder.
通常の実験手順ではその材料に磁性ドーパントを注入するが、この方法は複雑であり、また望ましくない乱れを生じさせる。

And so if you change the recipe, and you add things when you pour-- so you add things to your liquid silk solution-- where these things are enzymes or antibodies or vaccines, the self-assembly process preserves the biological function of these dopants.
そこでレシピを変えて流し込む時に何か加え―絹の溶液に何か加えそれが酵素であろうが抗体やワクチンであろうが自己組織化の過程がこれらのドーパントの生体機能を守ります。

AIST has been developing element analysis methods on a single-atom level to detect certain special structures including impurities, dopants and defects, that affect the properties of low-dimensional materials such as carbon nanotubes and graphene(AIST press releases on July 6, 2009, January 12, 2010, December 16, 2010 and July 9, 2012).
産総研では、カーボンナノチューブ、グラフェンといった低次元材料の性質を大きく左右する不純物やドーパント、欠陥などの一部の特殊な構造を検出するために、単原子レベルの元素分析手法の開発に取り組んでいる（2009年7月6日、2010年1月12日、2010年12月16日、2012年7月9日産総研プレス発表）。

Dopant Activation Control.
ドーパント活性化コントロール。

Dopant concentration, at.%.
ドーパント濃度、at％。

Cc Dual Dopant Source.
Ccデュアルドーパントソース。

Dopant Concentration Tolerance: 0.1%.
ドーパント濃度許容差：0.1％。