LOW ON-RESISTANCE - 日本語 への翻訳

• 低オン抵抗

英語 での Low on-resistance の使用例とその 日本語 への翻訳

Hybrid MOS GN series brings together the superior characteristics of MOSFET and IGBT The Hybrid MOS is a MOSFET with a novel structure that combine the high-speed switching and low on-resistance at small currents of super-junction MOSFETs(hereafter"SJ-MOSFETs"), and the low on-resistance at large currents of IGBTs, bringing together the best features of both transistors.
MOSFETとIGBTの優れた特性を併せ持つHybridMOSGNシリーズHybridMOSは、スーパージャンクションMOSFET(以下SJMOSFET)の高速スイッチングと低電流時の低オン抵抗、IGBTの高耐圧と大電流時の低オン抵抗という、両方の優れた特性を併せ持つ新構造のMOSFETです。

The H-bridge of the AP1029ADN employs the P-N construction that eliminates the need for charge pump reducing the external parts, and its low on-resistance realizes high efficiency while keeping low consumption. An anomaly detection output pin, under voltage detection circuit, thermal shut down circuit and over-current protection circuit are integrated.
チャージポンプレスのP-N構成を採用し、外付け部品の削減かつ低オン抵抗で低消費、高効率を実現しセットのエコに貢献します。異常検出出力端子を内蔵するとともに、保護機能として低電圧検出回路、過熱保護回路、過電流保護回路を内蔵しておりセットの信頼性を高めます。

Sanken has developed the SPF7302 IC for driving DC motors. The IC employs a full-bridge configuration circuit required for driving DC motors, the rated current is 3 A, and a low-loss, low on-resistance power elements(MOSFETs) are incorporated in one chip which is encapsulated in a compact surface mount package.
そこで弊社では、DCモータの駆動に必要なフルブリッジ構成の回路を採用、定格電流を3Aにし、また、低損失な低オン抵抗のパワー素子(MOSFET)を1チップ化して小型面実装パッケージに封入したDCモータ駆動用IC「SPF7302」を開発したものです。

An n-channel MOSFET is optimal for higher current applications, because its lower on-resistance reduces the voltage drop across the switch.
NチャネルMOSFETは、大電流アプリケーションに最適ですが、それは、低いオン抵抗が、スイッチ両端の電圧降下を低減するためです。

High voltage switch, low on-resistance.
高圧スイッチ低オン抵抗。

SiC helps achieve high-voltage devices with very low on-resistance.
オン抵抗が非常に低い高耐圧デバイスを実現。

The low on-resistance of the switches minimizes conduction loss and power dissipation.
スイッチは低オン抵抗のため、導通損失と消費電力が最小限に抑えられます。

Very low on-resistance MOSFETs normally have higher gate capacitance CGS.
MOSFETのオン抵抗が非常に小さい場合は、通常、ゲート容量(CGS)が大きくなります。

The RP131 Series are CMOS-based LDO regulators featuring 1A output with low on-resistance.
RP131シリーズは低オン抵抗Tr.を内蔵したCMOSの1A出力可能なLDOレギュレータです。

On-chip low on-resistance transistor can provide low dropout voltage(LDO) and large output current.
低オン抵抗トランジスタを内蔵しているのでドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができます。

The low on-resistance and high bandwidth allow use in digital- and analog-signal switching applications.
この低オン抵抗と高帯域幅によって、デジタルおよびアナログ信号スイッチアプリケーションでの使用が可能です。

Integrated switches with low on-resistance ensure high efficiency at heavy loads while minimizing critical inductances.
低オン抵抗の内蔵スイッチによって、重要なインダクタンスを最小限に抑制しながら、重負荷で高効率を実現します。

Due to the low on-resistance, the Nch MOSFET can be used as a power switch to improve efficiency.
NchMOSFETはオン抵抗が低く、スイッチとして使えば効率を向上させることができます。

Due to a built-in N-channel transistor with low on-resistance of 120mΩ, R5540 provides a low dropout voltage.
MΩの低オン抵抗Nch.ドライバトランジスタを内蔵し、低入出力電圧差を実現しています。

With their low on-resistance, which minimizes power dissipation, as well as high bandwidth, they can be used in both digital- and analog-signal switching applications.
電力損失を最小限に抑える低オン抵抗と高帯域幅によって、デジタルおよびアナログ信号スイッチングアプリケーションでの使用が可能です。

Housed in small plastic packages, such as DFN and Flip-chip, they integrate a control circuit and a power switch with low on-resistance, connecting the input port to the load.
DFNやフリップチップなどの小型プラスチック・パッケージに収められ、制御回路や低いオン抵抗を持つ電源スイッチを集積しており、入力ポートと負荷装置をつなぎます。

These processes cover the requirements of systems with power supplies from 5V~ 700V and include low on-resistance(Low Rdson) power devices(LDMOS) and UHV devices(Ultra High Voltage Devices).
この一連の製造プロセスの提供する電源電圧範囲は5V~700Vに及び、その中には低導通抵抗(LowRdson)の高効率デバイス(LDMOS)や超高電圧デバイス(UltraHighVoltageDevice)を含みます。

The DPAK package is suitable for medium power applications designed for low on-resistance and high-speed switching MOSFETs such as motor drivers, power supply circuits, DC-DC converters, consumer and automotive products.
DPAKは、モータードライバー、電源供給回路、DC-DCコンバーター、民生品および自動車向け製品などの低オン抵抗と高速スイッチングMOSFET向けに設計されたミディアムパワーアプリケーションに最適なパッケージです。

In addition to a built-in low on-resistance transistor which provides a very small dropout voltage and a large output current, this voltage regulator also has a built-in ON/ OFF circuit.
また、低オン抵抗トランジスタを内蔵しているので、ドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができ、さらにON/OFF回路を内蔵しています。

The low on-resistance(RDS(on)) of the bypass switch minimizes conduction loss and power dissipation. The phase shift and pulse width for each individual LED in the string are programmable.
バイパス・スイッチのオン抵抗(RDS(on))が低いため、伝導損失と消費電力を最小化できます。位相シフトおよびパルス幅は、ストリング内の各LEDについて個別にプログラム可能です。