低オン抵抗 - 英語 への翻訳

• low on-resistance
• low on resistance
• low turn-on resistance

日本語 での 低オン抵抗 の使用例とその 英語 への翻訳

最大3Aの動作電流をサポートするSTの単一インダクタ同期バックブースト・コンバータは、PCBスペースの節減と電力損失の低減に寄与する4つの低オン抵抗パワーMOSFETを集積しており、リチウムイオン・バッテリで動作するアプリケーションに適しています。
Supporting up to 3 A of operating current, ST's single-inductor synchronous buck-boost converters integrate four low on-state resistance power MOSFETs which contribute to PCB saving and reduced power losses, making them ideal for Li-ion battery-powered applications.

OfferingdesignflexibilityformediumpowerapplicationsAmkorのHSON8パッケージは、モータードライバ、インジェクションドライバ、電源回路、ランプドライバおよび自動車向け製品に使われる、低オン抵抗と高速スイッチングMOSFET向けに設計されたミディアムパワーアプリケーション向けに最適なパッケージです。
Offering design flexibility for medium power applications Amkor's HSON8 package is optimized for medium power applications designed for low on-resistance and high-speed switching MOSFETs, found in motor drivers, injection drivers, power supply circuits, lamp drivers and automotive products.

S-1131シリーズは、CMOS技術を使用して開発した、低ドロップアウト電圧,高精度出力電圧,低消費電流の正電圧ボルテージレギュレータ(LDOレギュレータ)です。低オン抵抗トランジスタを内蔵しているのでドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができます。
The S-1131 Series is a positive voltage regulator with a low dropout voltage(LDO), high output voltage accuracy, and low current consumption developed based on CMOS technology. A built-in low on-resistance transistor provides a low dropout voltage and large output current, and a built-in overcurrent protector prevents the load current from exceeding the current capacitance of the output transistor.

MOSFETとIGBTの優れた特性を併せ持つHybridMOSGNシリーズHybridMOSは、スーパージャンクションMOSFET(以下SJMOSFET)の高速スイッチングと低電流時の低オン抵抗、IGBTの高耐圧と大電流時の低オン抵抗という、両方の優れた特性を併せ持つ新構造のMOSFETです。
Hybrid MOS GN series brings together the superior characteristics of MOSFET and IGBT The Hybrid MOS is a MOSFET with a novel structure that combine the high-speed switching and low on-resistance at small currents of super-junction MOSFETs(hereafter"SJ-MOSFETs"), and the low on-resistance at large currents of IGBTs, bringing together the best features of both transistors.

S-13A1シリーズは、CMOS技術を使用して開発した、低ドロップアウト電圧、高精度出力電圧、低消費電流の正電圧ボルテージレギュレータです。2.2μFの小さなセラミックコンデンサが使用可能です。また、低オン抵抗トランジスタでドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができます。
The S-13A1 Series is a positive voltage regulator with a low dropout voltage, high-accuracy output voltage, and low current consumption developed based on CMOS technology. A 2.2 μF small ceramic capacitor can be used, and the very small dropout voltage and the large output current due to the built-in transistor with low on-resistance are provided.

高圧スイッチ低オン抵抗。
High voltage switch, low on-resistance.

また、このバックコンバータのハイサイドおよびローサイドMOSFETの低オン抵抗もバッテリ寿命の延長に貢献します。
Also enhancing battery life are the buck converter's low on resistance for its high- and low-side MOSFETs.

低オン抵抗トランジスタを内蔵しているのでドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができます。
On-chip low on-resistance transistor can provide low dropout voltage(LDO) and large output current.

電力損失を最小限に抑える低オン抵抗と高帯域幅によって、デジタルおよびアナログ信号スイッチングアプリケーションでの使用が可能です。
With their low on-resistance, which minimizes power dissipation, as well as high bandwidth, they can be used in both digital- and analog-signal switching applications.

低オン抵抗と低ゲート容量(Qg)を両立し、スイッチング性能指数FOMを大幅に改善したサンケン電気の新世代低QgMOSFET。
By combining low on resistance and low gate threshold(Qg), Sanken Electric's new generation low Qg MOSFET delivers a product with improved switching performance(FOM).

同期整流機能では、ボディダイオードの代わりに低オン抵抗のMOSFETで整流を行い、回生時の電力損失を低減できます。
The synchronous rectification fnction rectifies by MOSFET of low temperature resistance in place of a body diode, thus reducing power loss at the time of regeneration.

また、低オン抵抗トランジスタを内蔵しているので、ドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができ、さらにON/OFF回路を内蔵しています。
In addition to a built-in low on-resistance transistor which provides a very small dropout voltage and a large output current, this voltage regulator also has a built-in ON/ OFF circuit.

各デバイスは、2つの4.0Ω低オン抵抗ハイスピードUSBスイッチ、電流制限された低電圧31mΩBUSスイッチを備え、高電圧外部パワースイッチコントローラを内蔵しています。
Each device features two low 4.0Ω on-resistance Hi-Speed USB switches, a current-limited low-voltage 31mΩ BUS switch, and provides an integrated high-voltage external power-switch controller.

動機eGaN®FETとICは、小型、超高速スイッチング、低オン抵抗という特徴によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータを設計できます。
Motivation eGaN® FETs and ICs enable very high-density power converter design, owing to their compact size, ultra-fast switching, and low on-resistance.

ドライバにDMOSトランジスタを用いることで、高耐圧動作と低オン抵抗(VSET=10V時0.6Ω以下)を実現しています。
The R8152 series provides high input voltage operation and low on-resistance(at VSET=10V, below 0.6Ω) because of using DMOS transistor.

以下は、低オン抵抗と高速スイッチングを特長とするNch600V4AのMOSFETR6004KNXのデータシートからの抜粋です。
The following data is excerpted from the datasheet for the Nch 600V 4A MOSFET F6004KNX, which features a low turn-on resistance and fast switching.

ドライバにDMOSトランジスタを用いることで、高耐圧動作と低オン抵抗(VSET=10V時0.6Ω以下)を実現しています。
R1500 provides high input voltage operation and low on-resistance(at VSET=10V, below 0.6Ω) because of using DMOS transistor.

これらのアナログスイッチは低オン抵抗と低消費電流を備え、+1.8V~+5.5Vの単一電源で動作します。
These analog switches have a low on-resistance and low supply current, and operate from a single +1.8V to +5.5V supply.

低オン抵抗(0.25Ω)のため、このデバイスはオーディオやビデオなど、低歪みのスイッチングが要求されるアプリケーションにも最適です。
The low on-resistance(0.25Ω) also makes the device ideal for low-distortion switching applications, such as audio or video.

出力電流の最大定格は3Aなので、低オン抵抗のロードスイッチとしても使用可能です。
Since the maximum rating of output current is 3A, it is able to use as a load switch of low on-resistance.