POWER DISSIPATION - 日本語 への翻訳

• 消費電力
• 電力損失
• 電力の消滅

英語 での Power dissipation の使用例とその 日本語 への翻訳

The DS90LV031A is a quad CMOS differential line driver designed for applications requiring ultra low power dissipation and high data rates.
DS90LV031Aは、クワッドCMOS差動ライン・ドライバで、非常に低い消費電力と高いデータ速度を必要とするアプリケーション用に設計されています。

Features: Low power dissipation, attack resistance, large register capacity, convenient operation and reliable characteristic.
特徴:低い電力の消滅、攻撃の抵抗、大きいレジスタ容量、便利な操作および信頼できる特徴。

These devices are particularly advantageous in display applications where low power dissipation and/or low package count are important.
これらの装置は低い電力の消滅および/orの低いパッケージの計算が重要の表示塗布で特に有利です。

The high maximum input voltage combined with excellent power dissipation capability makes this device particularly well-suited to industrial and automotive applications.
高い最大入力電圧と、非常に優れた消費電力能力との組み合わせにより、このデバイスは産業用および車載用アプリケーションに特に適しています。

Low power dissipation, quiescent operation current below 5μA, guarantee battery of a long service lifespan.
低い電力の消滅、5μAの下の静止操作の流れ、長いサービス寿命の保証電池。

Power Dissipation and Temperature These high input-voltage levels lead us directly to the next point to consider.
電力損失と温度これらの高い入力電圧レベルは、そのまま次の考慮点につながります。

They enable a more robust design, safer SMPS, very low power dissipation and low stress for secondary side components.
さらに、堅牢な設計、安全なSMPS、超低消費電力、および2次側部品のストレス低減を可能にします。

Low power dissipation, quiescent operation current below 5 μ A, guarantee battery of a long service life.
低い電力の消滅、5μの下の静止操作の流れAの長い耐用年数の保証電池。

Pd= Power dissipation when device is in the tripped state in 25°C still air environment at rated voltage.
装置が評価される電圧に25°C空気環境のつまずかせた州にそれでもある場合のPd=電力損失。

Because only leakage currents flow into the switch or mux during a fault condition, the chip cannot be destroyed by power dissipation.
フォルト状態時、リーク電流のみがスイッチまたはマルチプレクサを流れるため、チップは電力損失によって破損する可能性はありません。

With no load current, the only source of power dissipation is the reference IC's quiescent current.
負荷電流がない状態では、電力消費の唯一のソースはリファレンスICの静止電流です。

When the ambient temperature declines, on paper it should be possible to increase the power dissipation.
周囲温度が下がれば計算上は損失電力を増やすことが可能なはずです。

The following equations calculate the value and power dissipation of R1, and power dissipation in the shunt reference Figure 3.
次式では、R1の値と電力消費、およびシャントリファレンスでの電力消費を計算しています(図3)。

Power Dissipation(Pd) This is the quiescent power dissipated by the device under the given supply voltages.
電力消費(Pd)これは所定の電源電圧とした場合のデバイスによって消費される自己消費電力です。

During this process, the junction temperature of each MOSFET is assumed, and both the MOSFETs' power dissipation and allowable ambient temperature are calculated.
このプロセス中、各MOSFETの接合温度が推定され、MOSFETの電力消費および許容される周囲温度の両方が計算されます。

In either case, follow these steps: Control the power dissipation conditions appropriate for ΘJB or ΨJB.
いずれの場合も、以下の手順に従います。ΘJBまたはΨJBに適切な電力消費条件を制御します。

At voltages above Vmax, the power dissipation within the thermoelectric begins to elevate the system temperature, and diminish ΔT.
Vmaxの上の電圧で、熱電の内の電力損失はシステム温度を上げ始めΔTを減少します。

Care is to be taken that power dissipation does not exceed the absolute maximum rating of the product.
心配は電力損失がプロダクトの絶対最高評価を超過しないこと取られるべきです。

The output stage is LVDS(Low-Voltage Differential Signaling), which helps to minimize power dissipation and interfaces directly with many FPGAs and CPUs.
出力段はLVDS(Low-VoltageDifferentialSignaling)で、消費電力の最小化に役立ち、多数のFPGAおよびCPUと直接インタフェースします。

Note that the MAX5977's power dissipation will be significantly less than 100mW.
MAX5977の消費電力は100mWより大幅に低いことに注意してください。