REVERSE CURRENT - 日本語 への翻訳

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英語 での Reverse current の使用例とその 日本語 への翻訳

True Shutdown disconnects the output from the input with no forward or reverse current.
TrueShutdownは出力を入力から切り離し、順方向または逆方向の電流をゼロにします。

This will work, as long as you isolate the MAX4895E's VCC pin with a diode to prevent reverse current flow.
これは可能ですか?MAX4895EのVCC端子をダイオードで絶縁して逆電流を防止している限り、可能です。

There is also a low-side sinking current limit which turns off the low-side MOSFET to prevent excessive reverse current.
ローサイドのシンク電流制限により、ローサイドMOSFETがオフになることで、過剰な逆電流が防止されます。

The MAX14819 integrates two low-power sensor supply controllers with advanced current limiting, reverse current blocking, and reverse polarity protection capability to enable low-power robust solutions.
MAX14819は、高度な電流制限、逆電流ブロック、および逆極性保護機能を備えた2つの低電力センサー電源コントローラを内蔵し、低電力で堅牢なソリューションを実現します。

Ultra-high-speed devices have high VF values, but because the reverse current IR is low, they experience low losses in continuous current mode of PFC(power factor correction) applications, to which they are well suited.
超高速タイプはVFが高いのですが、逆電流IRが低いことから連続モードのPFC(力率改善)用途には損失が少ないので適しています。

They can tolerate up to 5 V of noise spiking on the ground line and can handle up to 0.5 A of reverse current on the driver outputs.
それらは地上ラインで打ちつける騒音の5ボルトまで容認して、も運転者の出力の逆の流れの0.5までAを扱ってもいいです。

From the standpoint of current paths, these external FRDs are not needed, but the internal diode of a MOSFET does not have a very fast trr, and so the reverse current Irr during this time trr results in a large loss.
電流経路の観点からは、これらの外付けFRDは必要ありませんが、MOSFETの内部ダイオードはtrrがあまり速くないため、その間の逆電流Irrが大きな損失になってしまいます。

For a Si FRD, as the temperature rises the carrier concentration increases, and more time is accordingly required for reverse recovery; the reverse current and trr are both larger relative to the values at room temperature.
Si-FRDは温度が上がるとキャリア濃度が上昇するので、その分逆回復に時間を要し、室温に対して逆電流とtrrがともに大きくなっています。

Reverse-Biased Diode Basics After inspecting the diode equation presented in Equation 1, one might assume that a reverse-biased diode draws a reverse current IR equal to IS.
逆バイアスダイオードの基礎式1に示すダイオードの公式を見ると、逆バイアスダイオードに流れる逆電流IRもISに等しいと思えるかも知れません。

The device also provides high reverse blockage(low reverse current) and ground pin current that is nearly constant over all values of output current..
さらに、優れた逆方向阻止特性(低逆方向電流)を持ち、グランド・ピン電流は出力電流の値に関係なくほぼ一定です。

Based on this rule and a reference point, we can use Equation 3 to calculate reverse current relative to temperature: I0 is the reverse current as specified at temperature T0.
このルールおよび1つの基準点を元に、式3を用いて温度に対応する逆電流を計算することができます。I0が、温度T0における逆電流です。

The synchronous type sustains regulated operations by maintaining a continuous inductor current, albeit some decline in efficiency due to the fact that the reverse current flows are supplied from the output capacitor.
同期式は連続したインダクタ電流を維持することで安定した動作を継続します。ただし、逆電流は出力コンデンサから供給することになるので、効率が若干低下します。

However, in AC/DC conversion, the diode reverse voltage is high and a large reverse current flows, and so discontinuous mode, in which a reverse current does not flow and losses are reduced, is generally used.
それに対してAC/DC変換では、ダイオードの逆電圧が高く大きな逆電流が流れるので、損失を低減するために逆電流が流れない不連続モードで使用することが一般的です。

The ICs take ultra-low quiescent current and have what Maxim calls True ShutdownTM that disconnects the output from the input with no forward or reverse current.
これらのICは超低自己消費電流で、マキシムがTrueShutdownTMと呼ぶ、出力を入力から切り離して順方向または逆方向の電流をゼロにする機能を備えています。

Schemes to avoid this are possible by forcing CCM with variable frequency modes or even detecting the reverse current flow through the MOSFET and cutting its drive.
これを防止する方法としては、可変周波数モードでCCMを強制するか、MOSFETを通る逆電流を検出して駆動をカットする方法が考えられます。

In low-voltage switching DC/DC conversion, the reverse voltage of the rectifying diode is low and the reverse current is also small, and so generally the continuous mode is used, giving priority to reducing the output ripple voltage and harmonics.
低電圧のスイッチングDC/DC変換では、整流ダイオードの逆電圧が低く逆電流も小さいので、出力リップル電圧や高調波の低減など優先して連続モードを使うことが一般的です。

Finally, we have up till now said that almost no reverse current flows in an SiC SBD, but in the waveform diagram, it is clear that the current is much smaller than in an Si FRD, but is not zero.
最後に、SiC-SBDには逆電流はほとんど流れないような表現をしてきましたが、波形図ではSi-FRDに比べて大幅に少ないのは明らかですが、皆無ではありません。

Diodes D1 and D2 prevent reverse current from flowing between inputs via the"System Load" power path, while the charger has built-in circuitry to prevent reverse current through the charging path at BATT.
D1とD2のダイオードは「システム負荷」の電源経路を通して両方の電源間で逆電流が流れるのを防ぐ。一方、充電器には充電経路(BATTの位置)を通して流れる逆電流を防ぐ回路が内蔵されている。

If the device is operated in a continuous mode, the reverse current that flows during the reverse recovery time trr of the diode causes diode losses to increase, and moreover the reverse current may reach the peak current while the MOSFET is ON, thus also increasing MOSFET losses.
連続モードで動作させると、ダイオードの逆回復時間、trrの間に流れる逆電流によってダイオードの損失が増加し、さらにこの逆電流がMOSFETオン時のピーク電流にもなるため、MOSFETの損失も増加します。

Differences in Reverse Recovery Characteristics of SiC SBDs and Si PNDs First, the reader should already know that reverse recovery refers to a phenomenon in which, when a diode has entered a reverse-biased state, it does not immediately turn off completely, and a reverse current flows for a time, and that trr is this time in which the reverse current is flowing.
SiC-SBDとSi-PNDの逆回復特性の違いまず、逆回復もしくはリカバリというのは、ダイオードが逆バイアス状態になった時、すぐには完全なオフになれず、ある時間逆電流が流れてしまう現象で、trrはその逆電流が流れる時間であることは理解していると思います。