SWITCHING SPEED - 日本語 への翻訳

• スイッチング速度
• スイッチングスピード
• 切り替え速度は

英語 での Switching speed の使用例とその 日本語 への翻訳

This application note provides an easy-to-use spreadsheet for estimating a circuit's switching speed with different component values, battery parameters, and charge modes.
このアプリケーションノートはさまざまな部品の値、バッテリパラメータ、および充電モードでの回路のスイッチング速度を推定するための使いやすいスプレッドシートを提供します。

Power devices, the key component of power electronics, are required to deliver high performance, such as low power loss and high switching speed.
パワーエレクトロニクスでキーとなるのがパワーデバイスであり,その性能としては電力損失が小さく,スイッチング速度が高速であることなどが重要である。

In the power MOSFETs we are here considering that handle large amounts of power, the parasitic capacitance must be regarded as a parameter that limits the usage frequency and switching speed.
ここでの話題である大電力を扱うパワーMOSFETでは、使用周波数やスイッチング速度を制限するパラメータとしてとらえる必要があります。

The parallel connection of the three drivers enhances the switching speed of the power MOSFETs, because each one of the IC2-IC3 halves can deliver 4A of peak gate current, which is 12A for the three combined.
つのドライバの並列接続によって、パワーMOSFETのスイッチング速度が高められますが、これは、IC2-IC3の各半分の部分が4Aのピークゲート電流を供給可能で、3つを合わせると12Aにもなるからです。

A compromise is needed because switching loss and switching noise are mutually conflicting factors: Increasing the switching speed reduces the switching loss, whereas the greater the switching speed, creating sharp current changes, the greater is the resulting switching noise.
妥協点というのは、スイッチング損失とスイッチングノイズは相反する関係にあるからです。スイッチングスピードを上げるとスイッチング損失は減少します。ところが、スイッチングスピードが速いと急峻な電流変化が生じるので、スイッチングノイズが大きくなります。

It can be seen that the main factors affecting the switching speed of the DS2715 switch-mode NiMH charger are the inductor value, ICHARGE, the headroom of VIN above the battery stack voltage, and in some cases delays resulting from the slow switching of QSW.
スイッチモード充電器のDS2715のスイッチング速度に影響する主な要素はインダクタの値、ICHARGE、バッテリスタック電圧を上回るVINのヘッドルーム、および場合によってはQSWの遅いスイッチングによる遅延であることが分かります。

Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN(eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks.
D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN(eGaN)FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク(冷却器)を不要にできる高い効率を可能にします。

Switching speed is determined by the amount of time needed for ICHARGE to go from one peak to the other and back again, which includes any delays in the feedback circuit and in the process of turning QSW and DCATCH off and on.
スイッチング速度はICHARGEが1つのピークから他のピークになり、再び元に戻るのに必要な時間量によって決定されます。それにはフィードバック回路およびQSWとDCATCHをオフおよびオンにするプロセスでの遅延が含まれています。

Switching speed while QCC is conducting is determined by the amount of time needed for ICHARGE to go from one peak to the other and back again, which includes any delays in the feedback circuit and in the process of turning QSW and DCATCH off and on.
QCCが導通している間のスイッチング速度はICHARGEが1つのピークから他のピークになり、再び元に戻るのに必要な時間量によって決定されます。それにはフィードバック回路およびQSWとDCATCHをオフおよびオンにするプロセスでの遅延が含まれています。

Multiple Producer Onyx systems are already in pilot production for advanced logic device manufacturing."With each successive technology node, interconnect wires get closer to one another, increasing the potential for parasitic capacitance, or crosstalk, between adjacent lines- which wastes power and restricts switching speed.
すでに複数台のProducerOnyxが先進的ロジックデバイスの製造に向けたパイロット生産に採用されています」技術ノードの進化につれて配線間隔が狭くなるため、隣接する導線間に寄生容量あるいはクロストークが発生しやすくなり、無駄な電力消費やスイッチ速度の低下をもたらします。

Mode switch speed increased.
モード切り替え速度の増加。

High switching speeds enable the use of very small external inductors.
高速のスイッチング速度で非常に小さい外部インダクターが使用可能です。

Its switching speeds were fast, and both the turn-on time 20ns and turn-off time were 20 ns and 47 ns respectively.
スイッチング速度も速く、ターンオン時間が20ns、ターンオフ時間が47nsであった。

Comparison of Power Transistor Structures and Features The following graphic compares the structures, rated voltages, ON-resistances, and switching speeds of various power transistors.
パワートランジスタの構造と特徴の比較以下の図は、各パワートランジスタの構造と、耐圧、オン抵抗、スイッチングスピードの比較です。

Subtitles are decoded separate of video files for improved loading and switching speeds.
字幕は読み込みとスイッチ速度の改善のためにビデオファイルから独立でデコードされます。

Redid the gearbox, increasing the working resource stock and reducing the noise from switching speeds;
ギアボックスを再調整し、作業資源の在庫を増やし、速度切り替えによるノイズを減らしました。

On each circle, 3-5 errors were made when switching speeds.
各円では、速度を切り替えるときに3〜5のエラーが発生しました。

Switching Speeds: Comparison with IGBTs The graphs below compare dV/dt, that is, switching speed when the switch is on and off for a full-SiC power module and an IGBT module.
スイッチング速度:IGBTとの比較以下の図は、IGBTモジュールとのスイッチオン時とスイッチオフ時のdV/dt、つまりスイッチング速度を示しています。

As off-line adapters and inverters increasingly push toward smaller size, less weight, and higher power density, the demand for corresponding higher voltage and faster switching speeds is increasing.
オフラインの(独立して動作する)アダプタやインバータは、ますます小型、軽量、高出力密度に向かって開発が進んでおり、より高い電圧、より速いスイッチング速度に対する要求が高まっています。

A 50% increase in switching speeds significantly saves testing time for connection-intensive architectures. These switches are components of the MAP-200 family.
接続負荷の大きいアーキテクチャでは、スイッチ速度が50%早くなりテスト時間が大幅に減少します。これらのスイッチはMAP-200ファミリーの構成部品です。