A TRANSISTOR - 한국어로 번역

• 트랜지스터
• transistor

영어에서 A transistor 을 사용하는 예와 한국어로 번역

In the BT test, it is important to use a transistor which has never been subjected to a BT test.
BT 시험시에는, 아직 한번도 BT 시험을 행하지 않은 트랜지스터를 이용하여 시험을 행하는 것이 중요하다.

As the transistors 804 and 808, a transistor including a highly purified oxide semiconductor was used.
트랜지스터(804 및 808) 각각으로서, 고순도화된 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터가 이용되었다.

we must first determine what a transistor is.
우리는 첫째로 트랜지스터가인 무슨 결정해야 합니다.

According to one embodiment of the present invention, a transistor having stable electric characteristics can be manufactured.
본 발명의 일 실시형태에 따라, 안정한 전기 특성들을 갖는 트랜지스터가 제공될 수 있다.

Therefore, in the case where a transistor including amorphous silicon or a transistor including polysilicon is used in the pixel,
그러므로, 비정질 실리콘을 포함하는 트랜지스터 또는 폴리실리콘을 포함하는 트랜지스터가 화소에 사용되는 경우에,

In order to increase the operation speed of the memory cell, a transistor with a higher switching speed(e.g., a higher field-effect mobility)
메모리 셀의 동작 속도를 증가시키기 위하여, 트랜지스터(162)보다 높은 스위칭 속도(예를 들어,

In the disclosed invention, a semiconductor device is formed using a material that can sufficiently reduce off-state current of a transistor, for example, an oxide semiconductor material that is a wide gap semiconductor.
개시된 발명에서는, 반도체 장치는 트랜지스터의 오프 전류의 충분한 저감을 허용하는 재료를 이용하여 형성된다; In the disclosed invention, a semiconductor device is formed using a material that allows sufficient reduction of the off current of the transistor; 예를 들어, 와이드 갭 반도체인 산화물 반도체 재료가 이용된다.

Thus, when it is combined with a transistor including an oxide semiconductor, a semiconductor device can perform operation(e.g.,
따라서, 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터와 조합되면, 반도체 장치는 충분히 고속으로 동작(예를 들어,

Whether etching a gate, a transistor isolation trench,
게이트, 트랜지스터 분리 트렌치,

A transistor including a material which is not an oxide semiconductor can operate at a higher speed than a transistor including an oxide semiconductor; thus, when it is combined with a transistor including an oxide semiconductor, a semiconductor device can perform operation(e.g., data reading operation)
산화물 반도체가 아닌 재료를 포함하는 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터보다 고속으로 동작할 수 있다; A transistor including a material other than an oxide semiconductor can operate at a higher speed than a transistor including an oxide semiconductor; 따라서, 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터와 조합되면, 반도체 장치는 충분히 고속으로 동작(예를 들어,

increase the operation speed of the memory cell, a transistor with a higher switching speed(e.g., a higher field-effect mobility)
메모리 셀의 동작 속도를 증가시키기 위하여, 트랜지스터(162)보다 높은 스위칭 속도(예를 들어,

is lower than or equal to one hundred thousandth of the amount of off current of a transistor including a silicon semiconductor;
The amount of the off current of the transistor 162 including an oxide semiconductor,

Where is a transistor used?
트랜지스터는 어디에 사용됩니까?

Describe what the"Q point" actually means for a transistor amplifier circuit, and how its value may be altered.
트랜지스터 증폭기 회로에 대해 실제로 "Q 포인트"가 의미하는 것과 그 값이 어떻게 변경 될 수 있는지 설명하십시오.

In this discussion, we use the parameters of the Hybrid-pi model to characterize the small-signal, grounded emitter characteristics of a transistor.
이 토론에서는 하이브리드 파이 모델의 파라미터를 사용하여 트랜지스터의 작은 신호, 접지 방출기 특성을 특성화합니다.

A and 37B show I-V characteristics of a transistor which has not been subjected to- BT test and has been subjected to- BT test.
도 37a 및 도 37b는 -BT 시험을 받지 않은 트랜지스터와 -BT 시험을 받은 트랜지스터의 IV 특성들을 도시한 도면들.

the transistor 162 including an oxide semiconductor is lower than or equal to one hundred thousandth of the amount of off current of a transistor including a silicon semiconductor;
is 1 or less in an amount of 100,000 minutes of off current of a transistor including silicon;

For example, if a- BT test is performed with the use of a transistor which has been once subjected to a+BT test,
예를 들어, 한번 +BT 시험이 행해진 트랜지스터를 사용하여 -BT 시험을 행하면, 이미 행한 +BT

A NPN transistor BC548;
는 NPN 트랜지스터 BC548;

What Is a C945 Transistor?
C945 트랜지스터 란 무엇입니까?