트랜지스터가 - 영어로 번역

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한국어에서 트랜지스터가 을 사용하는 예와 영어로 번역

년에는, 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터가 발명되고, 그 전기 특성이 개시되어 있다(특허문헌 2 참조).
In 1995, a transistor using an oxide semiconductor was invented, and its electrical characteristics were disclosed(see Patent Document 2).

트랜지스터가 작아지고 그 사이의 공간도 작아지면서 트랜지스터를 서로 물리적으로 분리시키기가 갈수록 더 어렵습니다.
As the transistors shrink, so do the spaces between them, making it increasingly difficult to physically isolate them from one another.

트랜지스터(804 및 808) 각각으로서, 고순도화된 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터가 이용되었다.
As the transistors 804 and 808, a transistor including a highly purified oxide semiconductor was used.

본 발명의 일 실시형태에 따라, 안정한 전기 특성들을 갖는 트랜지스터가 제공될 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, a transistor having stable electric characteristics can be manufactured.

너무 많은 열이 방출되기 때문에 단일 칩에 많은 양의 트랜지스터가 열 손상을 일으키지 않고 한 번에 전원을 켤 수 없다.
Because too much heat is given out, a large amount of transistors on a single chip can't be powered up at once without causing heat damage.

보다 작은 공간에 더욱 많은 트랜지스터가 장착되자 처리 성능이 향상되고 에너지 효율성이 높아졌으며 최종 사용자에게는 더욱 저렴한 가격으로 제공할 수 있게 되었습니다.
As more transistors fit into smaller spaces, processing power increased and energy efficiency improved, all at a lower cost for the end user.

가변 조정기 IC를 선택했으며, 이 제품에는 몇 가지 추가적인 지원 부품 및 부피가 큰 TO-3 패키지의 외부 2N3055 NPN 전력 트랜지스터가 필요했습니다.
I chose the µA723 adjustable regulator IC in a ten pin TO-5 package, which required several additional support components and an external 2N3055 NPN power transistor in a big, beefy TO-3 package.

각각의 신규 세대에서 트랜지스터의 저항이 전압보다 많이 감소할 수 있고 트랜지스터가 더욱 많은 전류를 누출할 수 있기 때문에, CMOS 회로에는 더욱 많은 전류가 요구될 수 있다.
Since the resistance of transistors in each new generation may decrease more than voltage, and transistors may leak more current, CMOS circuits may demand more current.

따라서, 온/오프 비율이 높은 박막 트랜지스터가 제공될 수 있다.
therefore, a thin film transistor with a high on/off ratio can be provided.

데이터 객체의 크기는 점점 더 커져지고, 칩에 더 많은 트랜지스터가 포함되는 것은 4비트나 8비트의 워드를 오늘날 64비트까지 늘릴 수 있게 한다.
The size of data objects became larger; allowing more transistors on a chip allowed word sizes to increase from 4- and 8-bit words up to today's 64-bit words.

따라서, 온/오프 비율이 높은 박막 트랜지스터가 제공될 수 있다.
therefore, a thin film transistor with a high on/off ratio can be provided.

최신 마이크로프로세서에 있는 트랜지스터는 매우 작아서 그 안에 있는 임계 필름층 중 일부는 원자 몇 개의 두께밖에 되지 않아서 이 문장의 마침표 안에 백만 개가 훨씬 넘는 트랜지스터가 들어갈 수 있습니다.
Transistors in a modern microprocessor are so small that some of the critical film layers in them are only a few atoms thick and well over a million transistors would fit inside the period at the end of this sentence.

그러므로, 비정질 실리콘을 포함하는 트랜지스터 또는 폴리실리콘을 포함하는 트랜지스터가 화소에 사용되는 경우에,
Therefore, in the case where a transistor including amorphous silicon or a transistor including polysilicon is used in the pixel, image signals cannot

1450년대의 인쇄기계나 1950년대의 트랜지스터가 미칠 영향을 몰랐던 것 처럼, 3D 프린팅의 장기적인 영향을 전망하기는 불가능하다.
engine in 1750- or the printing press in 1450, or the transistor in 1950- it is impossible to foresee the long-term impact of 3D printing.

또한, 트랜지스터가 화소에 대한 화상 신호의 입력을 제어하기 위한 스위치로서 사용될 때,
Further, when the transistor is used as a switch for controlling input of an image signal to a pixel, the size of

특히, 오프 전류의 양과 드레인 전압의 레벨이 알려지면, 트랜지스터가 오프일 때의 저항값(오프 저항(R))은 오옴의 법칙을 사용하여 계산될 수 있다.
Specifically, if the amount of off-state current and the level of drain voltage are known, resistance when the transistor is off(off resistance R) can be calculated using Ohm's law.

더 높은 전계-효과 이동도)를 갖는 트랜지스터가 트랜지스터(160)로서 이용된다.
a transistor with a higher switching speed(e.g., a higher field-effect mobility) than the transistor 162 is used as the transistor 160.

기판 온도가 40℃로 완전히 감소되기 전에 전압의 인가가 중단되는 경우, -BT 시험 동안 손상된 트랜지스터가 잔열의 영향으로 회복된다.
If application of voltage is stopped before the substrate temperature was completely decreased to 40° C., the transistor which has been damaged during the BT test is repaired by the influence of residual heat.

기판 온도가 40℃까지 완전하게 감소되기 전에 전압의 인가가 중지되면, -BT 시험 동안 손상된 트랜지스터가 잔류 열의 영향에 의해 수리된다.
If application of voltage is stopped before the substrate temperature was completely decreased to 40° C., the transistor which has been damaged during the BT test is repaired by the influence of residual heat.

그러므로, 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터가 저온 폴리실리콘을 포함하는 트랜지스터와 비교되는 경우에, 산화물 반도체를 포함하는
Therefore, in the case where the transistor including an oxide semiconductor is compared with the transistor including low-temperature polysilicon,