THE OXIDE SEMICONDUCTOR - 한국어로 번역

• 산화물 반도체
• the oxide semiconductor
• oxide semiconductor

영어에서 The oxide semiconductor 을 사용하는 예와 한국어로 번역

nitrogen in the multilayer film 111 including the oxide semiconductor layer is preferably reduced as much as possible; the concentration of nitrogen is preferably set to,
For this reason, nitrogen in the oxide semiconductor film is so desirable that much reduced as much as possible;

The technical idea of the present invention is that the impurity is not added to the oxide semiconductor but, on the contrary, the oxide semiconductor itself is refined by removing impurities such as water or hydrogen which are undesirably present therein.
본 발명의 실시 형태의 기술적인 아이디어는 불순물이 산화물 반도체에 첨가되지 않고 반대로 산화물 반도체 자체가 그 안에 바람직하지 않게 존재하는 물 또는 수소 등의 불순물을 제거함으로써 고순도화된다는 것이다.

In other words, a feature of an embodiment of the present invention is that the oxide semiconductor itself is refined by sufficiently supplying oxygen to remove water or hydrogen that forms the donor level and also to remove oxygen defects.
달리 말하면, 본 발명의 일 실시형태의 특징은 산화물 반도체 그 자체가 도너 레벨을 형성하는 물 또는 수소를 제거하고 또한 산소 결손들을 제거하기 위해 산소를 충분히 공급함으로써 정제된다는 것이다.

the dehydration or dehydrogenation of the oxide semiconductor layers can be achieved; thus, water(H2O) can be prevented from being contained
When the oxide semiconductor layer to be a heat treatment at less than 750 ℃ than 400 ℃,

The technical idea of the present invention is that the impurity is not added to the oxide semiconductor but, on the contrary, the oxide semiconductor itself is refined by removing impurities such as water or hydrogen which are undesirably present therein.
본 발명의 기술적 아이디어는 불순물이 산화물 반도체에 부가되지 않고 그와는 반대로 상기 산화물 반도체 자체가 그 안에 바람직하지 않게 존재하는 물 또는 수소와 같은 불순물을 제거함으로써 정제된다는 것이다.

dehydration or dehydrogenation of the oxide semiconductor layer can be achieved; Therefore, water(H 2 O) can be prevented from
When the oxide semiconductor layer to be a heat treatment at less than 750 ℃ than 400 ℃,

For this reason, nitrogen in the oxide semiconductor film is preferably reduced as much as possible; the concentration of
이러한 이유로, 해당 산화물 반도체 막에 있어서의 질소는 가능한 한 많이 저감되는 것이 바람직하므로;

is used for the oxide semiconductor film 359,
예를 들어 산화물 반도체막(359)에 이용할 경우,

As described above, the oxide semiconductor film can be highly purified through the treatment for supplying oxygen such as the second heat treatment or the third heat treatment after the dehydrogenation treatment by the first heat treatment.
상술된 바와 같이, 상기 산화물 반도체막은 상기 제 1 가열 처리에 의해 탈수소화 처리 후에 상기 제 2 가열 처리 또는 상기 제 3 가열 처리와 같은 산소를 공급하기 위한 처리를 통해 고순도화될 수 있다., Can be highly purified by the oxide semiconductor film wherein the process for supplying the oxygen, such as the second heat treatment, or the third heat treatment, after the dehydrogenation process by the first heat treatment as described above.

As described above, the oxide semiconductor film including a crystalline region has favorable crystallinity as compared to an oxide semiconductor film which is entirely amorphous,
상술한 바와 같이, 결정 영역을 포함하는 산화물 반도체막은, 전체가 비정질인 산화물 반도체막과 비교해서 양호한 결정성을 가지며, 산소 결함으로 대표되는 결함이나,

is used for the oxide semiconductor film 359,
예를 들어 산화물 반도체막(359)에 이용할 경우,

The oxide semiconductor film 393 is formed on the substrate 394 as follows:
상기 산화물 반도체 막 ( 393 ) 은 다음 과 같이 상기 기판 ( 394 ) 위 에 형성 된다:

obtain a single crystal material; for example, crystal growth at a temperature extremely higher than a process temperature of the oxide semiconductor is needed or epitaxial growth over a special substrate is needed.
a single crystal material; 예를 들면, 상기 산화물 반도체의 처리 온도보다 매우 높은 온도에서의 결정 성장이 요구되거나 또는 특별한 기판 위에서의 에피택셜 성장이 요구된다.

The oxide semiconductors and 4H-SiC have some commonalities.
산화물 반도체 및 4H-SiC는 몇몇 공통점들을 가진다.

As a material for the oxide semiconductor, a material containing zinc oxide and zinc oxide as its components is known.
산화물 반도체의 재료로서는, 산화아연 또는 산화 아연을 그 성분으로 함유하는 재료가 알려져 있다. * The material of the oxide semiconductor, it is known a material containing zinc oxide or zinc oxide as the component.

Wherein electron affinity of the oxide semiconductor layer is higher than electron affinity of the first oxide layer by 0.2 eV or more.
상기 산화물 반도체층의 전자 친화력은 상기 제 1 산화물층의 전자 친화력보다 0.2eV 이상 높고, The electron affinity of the oxide semiconductor layer is at least 0. 2 eV higher than the electron affinity of the first oxide layer.

In this case, it is preferable to remove the residual moisture in the treatment chamber in the film formation of the oxide semiconductor film 345.
상기 경우에, 상기 산화물 절연 층 ( 356 ) 의 성막 에 있 어서 상기 처리 실에 서의 잔여 수분 을 제거 하 는 것 이 바람직 하 다. * In this case, it is preferable to remove the residual water in the treatment chamber in the film formation of the oxide insulating layer (356).

Note that the appropriate thickness of the second oxide semiconductor layer differs depending on the oxide semiconductor material to be used, the usage of the semiconductor device, or the like;
산화물 반도체층의 적절한 두께는 이용된 산화물 반도체 재료, 반도체 장치의 용도, 등에 따라 다르며; Appropriate thickness of the oxide semiconductor layer is specific to the use of an oxide semiconductor material, the semiconductor device is used, or the like;

For example, crystal growth at a temperature extremely higher than a process temperature of the oxide semiconductor is needed or epitaxial growth over a special substrate is needed.
예를 들면, 상기 산화물 반도체의 처리 온도보다 매우 높은 온도에서의 결정 성장이 요구되거나 또는 특별한 기판 위에서의 에티택셜 성장이 요구된다.

The mask used for etching the oxide semiconductor film 106
산화물 반도체 막 ( 55 ) 을 에칭 하 는데 이용 되 는 마스크 는, 포토 리소그래피 법,