MOSFETS in Korean translation

• MOSFET
• MOSFET은
• mosfets를
• MOSFETS

Examples of using Mosfets in English and their translations into Korean

RF MOSFETs) has been transferred to Ampleon(October 5, 2105).
RF MOSFET)는 Ampleon (2105 년 10 월 5 일)으로 이전되었습니다.

Logic& MOSFETs) has been transferred to Nexperia(Feb 7, 2017).
Logic & MOSFETs)는 Nexperia (2017 년 2 월 7 일)로 이전되었습니다.

Present LCD TV designs use MOSFETs with two fast recovery diodes(FRDs) and two blocking diodes in a half-bridge circuit to initiate the non-zero voltage switching.
현재 LCD TV 설계는 Non-zero voltage switching 을 접하는 하프브릿지 설계에서 두개의 고속 정류 다이오드 (FRDs) 와 두개의 블로킹 다이오드와 함께 MOSFET 을 설계한다.

allowing the integration of a control IC and MOSFETs in a very efficient and compact package.
제어 집적회로(control IC)와 MOSFET을 효율적이고 콤팩트한 패키지로 통합시킬 수준이 되었다.

such as regarding impurity concentrations, but it is the different structures that enable SJ MOSFETs to achieve greatly lowered ON-resistances RDS(on) and gate charge amounts Qg.
이러한 구조적 차이점으로 인해, SJ MOSFET 쪽이 ON 저항 RDS (ON)과 게이트 전하량 Qg를 대폭 저감할 수 있습니다.

The driver is capable of turning on logic-level MOSFETs from a 2.75V supply or standard MOSFETs from a 5V supply.
운전사는 2.75V 공급에서 논리 수준 MOSFETs 또는 5V 공급에서 표준 MOSFETs를 켜기 가능합니다.

Click for hi-res image SAN JOSE, Calif.- January 24, 2011- Designers of switch mode power supplies need high voltage MOSFETs that can withstand reverse recovery current spikes and can reduce switching losses.
Click for hi-res image 스위치 모드 파워서플라이 설계자들은 역방향 회복 전류 스파이크를 견디고 스위칭 손실을 줄일 수 있는 높은 전압의 MOSFET이 필요하다.

The addition of these new PowerTrench® devices enhances Fairchild's low-voltage MOSFET offering, and is part of a comprehensive portfolio of PowerTrench MOSFETs that are instrumental in achieving higher energy efficiency by meeting the electrical
이번 신형 PowerTrench® 디바이스의 추가로 페어차일드의 저전압 MOSFET 제품이 강화되었으며, 최신 전자장치의 전기 및 열 성능 요구사항을 충족시킴으로써

These MOSFETs are part of Fairchild's comprehensive portfolio of MOSFETs that offer designers a wide range of breakdown voltages(-500V to 1000V),
이 MOSFET은 설계자들에게 넓은 범위의 항복전압(-500V ~ 1000V),

We have explained that SJ MOSFETs have low ON-resistances,
SJ MOSFET는 ON 저항이 작다고 했는데,

In addition, new power MOSFETs with integrated gate drivers(DrMOS) that also integrate current sensing have become available in recent years, but to date, not enough data exists to conclude how well DrMOS sensing works in terms of accuracy and quality of the sensed signal.
이 외에 전류 감지를 통합한 게이트 드라이버(DrMOS)를 포함하는 새로운 전력 MOSFET가 몇 년 전부터 선보이고 있지만 아직 감지된 신호의 정확도와 품질과 관련해 DrMOS 감지가 얼마나 우수한지 결론을 내릴 수 있는 충분한 데이터가 없다.

IGBTs that operate up to +500V, while the FAN7190 can drive MOSFETS and IGBTs that operate up to +600V.
FAN7190 은 최대 600V 이상에서 동작하는 MOSFET와 IGBT를 구동할 수 있다.

TUF MosfetsCertified military-grade MOSFETs with lower RDS(on)*.
인증 받은 군용급 MOSFET 및 더욱 낮은 RDS(on)*.

TUF MosfetsCertified military-grade MOSFETs with lower RDS(on)*.
TUF MOSFETs: 인증된 군사 등급 MOSFET과 더 낮아진 RDS(on)*.

Most power MOSFETs are made using this technology.
대부분의 전력 MOSFET은 이 기술을 이용하여 만든다.

TUF MosfetsCertified military-grade MOSFETs with lower RDS(on)*.
인증된 군사 등급 MOSFET과 더 낮아진 RDS(on)*.

Most of the power MOSFETs are made using this technology.
대부분의 전력 MOSFET은 이 기술을 이용하여 만든다.

MOSFETs. The high voltage capability combines safety with performance.
MOSFETs. 고전압 기능은 성과도 안전을 결합합니다.

MOSFETs and power ICs.
MOSFET & Power Driver ICs.

Now, the reality is that there is very good news about SiC MOSFETs.
그러나 이제 SiC MOSFET에 관한 아주 좋은 소식이 있습니다.