NITRIDE in Korean translation

질화물
nitride
질화
nitride
nitriding
nitrification
is nitrided
nitride

Examples of using Nitride in English and their translations into Korean

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Material Silicon Nitride Balls.
물자 실리콘 질화물 공.
Silicon, silicon dioxide, and silicon nitride.
실리콘, 이산화 실리콘 및 실리콘 질화물.
Durable RF Power Transistor Wide Band DC To 6GHz 25W Gallium Nitride 28 Volt.
GHz 25W 갈륨 질화물에 튼튼한 RF 힘 트랜지스터 넓은 밴드 DC 28 볼트.
Oxide, Nitride and Compound.
SiNx, AlOx, SiOx 등.
BALINIT® CNI, a sputtered chromium nitride coating, increases surface hardness and protects components against seizure and abrasion.
스퍼터링 된 크롬 질화 코팅인 BALINIT® CNI는 표면 경도를 향상시키며 소착과 마모로부터 부품을 보호합니다.
Hydrogen nitride is used in the production of saltsammonium
질화 수소는 소금의 생산에 사용됩니다.
PCBNSecomax™ is a range of high performance cutting tool grades based on PCBN-Polycrystalline Cubic Boron Nitride.
PCBNSecomax™(세코맥스)는 PCBN(Polycrystalline Cubic Boron Nitride, 다결정 입방형 질화붕소)를 기본 재질로 하는 고성능 절삭 공구 재종입니다.
Aluminum Nitride(AlN) is a ceramic material possessing outstanding properties such as high thermal conductivity,
질화 알루미늄 (AlN)은 높은 열 전도성, 높은 전기 저항, 낮은 유전 손실
Secomax™ is a range of high performance cutting tool grades based on PCBN- Polycrystalline Cubic Boron Nitride.
Secomax™는 PCBN(Polycrystalline Cubic Boron Nitride, 다결정 입방형 질화붕소)을 기본 재질로 하는 고성능 절삭 공구입니다.
Mainly used for precision cutting, line cutting and punching for aluminium oxide, aluminium nitride, zirconia ceramics;
주로 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 지르코니아 세라믹 정밀 절단 선 절단 및 펀칭 사용;
The invention was published in the Nature Communications journal last month("Extremely large magnetoresistance in few-layer graphene/boron- nitride heterostructures").
이 연구결과는 저널 Nature Communications에 "Extremely large magnetoresistance in few-layer graphene/boron - nitride heterostructures"라는 제목으로 게재되었다.
Nm, 99.9% silicon nitride nano powders with high quality use as the molds,
Nm, 99.9 % 질화 규소 나노 분말을 고품질의 용도로 사용 금형,
gallium nitride(GaN).
gallium nitride (GaN)을 사용하고있다.
In dielectrics like Aluminum Nitride, heat is transferred through lattice vibrations(also known as"phonons").
질화 알루미늄과 같은 유전체에서 열은 격자 진동 ( \"포논 (phonons)\"이라고도 함)을 통해 전달됩니다.
PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding(gallium nitride)GaN substrate wafer, which is for UHB-LED and LD.
Pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다.
free high purity copper, on a beryllia or aluminum nitride ceramic substrate, or even on a diamond substrate.
베릴 리아 또는 질화 알루미늄 세라믹 기판 또는 다이아몬드 기판에 직접 장착됩니다.
InGaN SiC wafer 4H-SiC epitaxial wafer GaN epitaxy GaN substrate epitaxial wafers gasb substrate 레이저 다이오드 에피 택셜 구조 germanium wafer gallium nitride.
잉가 웨이퍼 4h-sic 에피 택셜 웨이퍼 간 에피 택시 가스 기재 에피 택셜 웨이퍼 가스 기질 레이저 다이오드 에피 택셜 구조 게르마늄 웨이퍼 질화 갈륨.
InGaN SiC wafer 4H- SiC epitaxial wafer GaN epitaxy GaN substrate epitaxial wafers gasb substrate 레이저 다이오드 에피 택셜 구조 germanium wafer gallium nitride.
잉가 웨이퍼 4h-sic 에피 택셜 웨이퍼 간 에피 택시 가스 기재 에피 택셜 웨이퍼 가스 기질 레이저 다이오드 에피 택셜 구조 게르마늄 웨이퍼 질화 갈륨.
And a film made of silicon nitride is formed as a barrier film 511c by sputtering on the stress relaxing film 511b.
실리콘 질화물로 이루어진 막이 응력 이완 막(511b)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(511c)으로서 형성된다.
After treated by gases and nitride the barrel, it possesses strong wear-
가스와 질화물에 의해 대우하는 후에 배럴,
Results: 133, Time: 0.0479

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