RESISTIVITY - переклад на Українською

• опір
• опором
• опору

Приклади вживання Resistivity Англійська мовою та їх переклад на Українською

which is the inverse of resistivity.
яка є зворотньою до опору.

A 15A, 17A are better adapted to objects characterized by high amplitudes of resistivity changes, while maps illustrating changes in a narrow range figs.
A, 17A краще ілюструють об'єкти, які характеризуються великою амплітудою змін опору; карти, що ілюструють зміни у вузькому діапазоні рис.

They result in melting points more or less important in terms of impacts in the case of high resistivity materials.
Вони призводять до точки плавлення більш-менш значним з точки зору впливу в разі високих опорів матеріалів.

The resistivity of ionic solutions(electrolytes)
Опір іонних розчинів(електролітів)

Silicon's resistivity of 5- 40 Ohm-cm which is higher than most semiconductor applications.
Опір кремнію 5-40 Ом-см, що вище, ніж у більшості напівпровідникових застосувань.

By release of quantities of energy importants the resistivity of the crossed materials are put into games.
По випуску кількостей енергії важливоs питомий опір схрещених матеріалів вводяться в іграх.

The alloy has a resistivity Cr20Ni80- 650 Ohms/ cmf,
Сплав Х20Н80 має питомий опір- 650 Ohms/ cmf,

The alloy has a resistivity- 675 Ohms/cmf,
Сплав має питомий опір- 675Ohms/cmf,

The magnetic bead has high resistivity and permeability, which is equivalent to parallel resistance
Магнітний кулька має високий питомий опір і проникність, яка еквівалентна паралельне опір

Structural defects significantly affect the lifespan of the charge carriers and the resistivity of the material, which lead in the result to changes in the voltamper characteristics of the solar cell.
Структурні дефекти суттєво впливають на тривалість життя носіїв заряду і питомий опір матеріалу, що призводить в результаті до зміни вольтамперних характеристик ФЕП.

This table shows the resistivity(ρ), conductivity and temperature coefficient of various materials at 20 °C(68 °F, 293 K).
У цій таблиці показано питомий опір(ρ), провідності та температурний коефіцієнт електричного опору різних матеріалів при 20°C(293 К), 68°F.

Impedivity is the sum of a real component, the resistivity, and an imaginary component, the reactivity(in analogy to reactance).
Непроникність- це сума реальної складової, питомого опору та уявної складової, реактивності(аналогічно реактивності).

When the resistivity of a material has a directional component,
Коли питомий опір матеріалу має спрямовану складову,

Equipment for the surface resistivity measuring in the temperature range 4.5- 300 K and a frequency range 1- 100 MHz.
Установка для вимірювання поверхневого електроопору в інтервалі температур 4. 5- 300 К та діапазоні частот 1- 100 МГц.

low impurity contents and resistivity, Indium oxide is raw materal of the most widely used for indium tin oxides.
з високим коефіцієнтом пропускання, низький вміст домішок і опір, Оксид індію і сирої Materal з найбільш широко використовується для оксидів індію та олова.

Electrical resistivity(also called specific electrical resistance or volume resistivity) and its inverse, electrical conductivity, is a fundamental property of a material that quantifies how strongly it resists or conducts electric current.
Електричний опір(його також називають питомим електричним опором або об'ємним опором) та обернена до нього електропровідність, є основною властивістю матеріалу, яка визначає, наскільки сильно чинить опір чи проводить електричний струм.

are not reflected in the resistivity image of the shallow layer.
не має відбитті в зображенні опору неглибокого шару.

Even if the material's resistivity is known, calculating the resistance of something made from it may, in some cases, be much more
Навіть якщо відомий опір матеріалу обчислення опору чогось зробленого з нього може в деяких випадках бути набагато складніше,

Then, the controller 30 converts the resistivity of the heating element 20 in the magnitude of the actual operating temperature of the heating element, by comparing the measured resistivity ρ with a lookup table.
Потім контролер 30 перетворює питомий опір нагрівального елемента 20 у значення фактичної робочої температури нагрівального елемента шляхом порівняння виміряного питомого опору ρ з довідковою таблицею.

Testing was performed for the structure sample from four plates of the own GaAs(with a resistivity of 0.1 Mohm* cm) without the use of the additional PC patterns for the radiation in the frequency range f= 75- 110 GHz.
Тестування виповнено на зразку структур из чотирьох пластин власного GaAs(з питомим опіром 0, 1 Мом*см) без застосування додаткової ФК структури для випромінювання в діапазоні частот f= 75- 110 ГГц.