パワー半導体 - 英語 への翻訳

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日本語 での パワー半導体 の使用例とその 英語 への翻訳

パワー半導体素子は、電力機器向けの半導体素子である。直流―交流変換、周波数変換等の電力の変換や制御用に使用される。
Power semiconductor devices, which are used for electric power equipment, are used for electric power conversion, such as AC/DC conversion and frequency conversion, and for control.

GaNおよびSiCパワー半導体(水平構造および垂直構造)のオンウェーハ試験方法はシリコンデバイス向けのものに似ていますが、これらの新しいワイドバンドギャップデバイスには、試験機能の拡張が必要です。
While on-wafer testing methodologies for GaN and SiC power semiconductors(lateral and vertical structures) are similar for Si devices, expanded test capabilities are needed for these newer wide band gap devices.

水晶デバイス、光デバイス、パワー半導体、CANデバイス、レーザーダイオード、MEMSデバイス、SAWフィルタ、小型リレーなど、気密性が求められる小型電子部品のリークテスト装置です。
Leak Test Systems for compact electronic parts requiring airtightness such as crystal devices, ceramic oscillators, optical devices, power semiconductor devices, CAN devices, laser diodes, MEMS-related products, SAW filters, compact relays.

ＧａＮおよびＳｉＣパワー半導体（ラテラル構造および垂直構造）のオンウェーハテスト方法論はＳｉデバイスに類似しているが、これらの新しいワイドバンドギャップデバイスには拡張されたテスト能力が必要である。
While on-wafer testing methodologies for GaN and SiC power semiconductors(lateral and vertical structures) are similar for Si devices, expanded test capabilities are needed for these newer wide band gap devices.

次世代のパワー半導体デバイスである「SiCMOSFET」を利用することで、電力の損失が少なく、設定電流値からの偏差が0.001%精度という、高効率かつ高安定性を持つ電源を実現しました。
Using a next-generation power semiconductor device SiC MOSFET, an efficient and stable power supply was developed. One with low power loss and an accurate 0.001% deviation from set electric current values.

同様に、中国政府はパワー半導体向けのSiCおよびGaN材料の国内での研究を重視し、これらの製品を供給する半導体ファブの建設も支援している。
Likewise, China has placed great importance on the domestic resesearch of SiC and GaN components for power semiconductors and is also supporting the construction of fabs that supply these products.

パワー半導体モジュールや、インバーター、コンバーター等のエレクトロニクス分野に用いられ、他の絶縁材から置き換えることで、製品の高出力化・小型化・軽量化が実現します。
They are used in electronics fields such as power semiconductor modules, inverters and converters, replacing other insulating materials to increase production output and reduce size and weight.

さらに、ドレスデンでは世界初の300mm薄型ウェハによるパワー半導体の量産施設を建設しており、今後数年間で数億ユーロの投資も計画しています。
Also, in Dresden, Infineon is currently building the world's first high-volume production of power semiconductors on 300-millimeter thin wafers and is also planning on investing several hundred million euros in the coming years.

現在、一般的に使用されているラジエータアルミニウムの種類は、電子機器、電気機器、コンピュータラジエータアルミニウム、ソーラーフラワーアルミニウムラジエータ、パワー半導体ラジエータプロファイルです。
At present, the commonly used radiator aluminum types are: electronics, electrical appliances, computer radiator aluminum, solar flower aluminum radiator, power semiconductor radiator profiles.

IPM製品は、パワー半導体（今回のケースではIGBT）と集積回路（IC）部品を、高信頼性のコンパクトな単一パッケージデバイスに集積しています。
IPM products combine power semiconductors(IGBTs in this case) and integrated circuit(IC) components in high reliability and compact single package devices.

主な利用効果プロセッサベースのシミュレーションには、パワーエレクトロニクスで使用されるブリッジ回路向けの平均値モデルが用意されており、パワー半導体スイッチングデバイスの正確なシミュレーションを保証します。
Key Benefits For processor-based simulation, there are mean value models for bridge circuits used in power electronics to assure precise simulation of power semiconductor switching devices.

その温度管理を目的に、パワー半導体の筐体はより効率的に放熱できるようにヒートシンクに実装する設計となっています。
Due to their need for thermal management, the enclosures of power semiconductors are designed in such a way that they can be mounted on heatsinks in order to dissipate the heat more efficiently.

しかしながら、シリコンからワイドバンドギャップ基板素材(GaNやSic)への移行が進められており、それによりパワー半導体性能の著しい向上が見込まれます。
However, there is a migration from Si to wide band gap substrate materials(GaN and SiC), that promises significant power semiconductor performance gains.

また、他方では、インフィニオンは、若い技術者や経営者に対して、センサー、マイクロコントローラ、パワー半導体デバイスの分野の新しいテクノロジーに接する機会を提供しています。
On the other hand, Infineon gives young engineers and business owners access to new technologies in the areas of sensors, microcontrollers, and power semiconductor devices.

パワー半導体分野で世界トップ（IMSリサーチ調べ、2006年9月）に立つインフィニオンは、特に低電圧のパワー変換アプリケーションで最適な性能を発揮するようOptiMOS3ファミリを設計しています。
As the worldwide market leader in power semiconductors(IMS Research, September 2006), Infineon designed the OptiMOS 3 family of devices specifically for optimum performance in low-voltage power conversion applications.

このプレゼンテーションでは、GaN技術の最先端と今後数年間にわたって期待される進歩について説明し、ムーアの法則がパワー半導体技術の世界で生きていることを示します。
In this presentation, we will discuss the state-of-the-art and the expected progress of GaN technology over the next few years, showing that Moore's Law is alive and well in the world of power semiconductor technology.

Boschとの協業により、インフィニオンは、自動車分野向け半導体市場のシェアを拡大するだけでなく、Boschにとってパワー半導体の優先サプライヤーにもなります。
By working with Bosch, Infineon is not just expanding its share of the semiconductor market in the automotive segment, it will also be Bosch's preferred supplier of power semiconductors.

この発表では、GaN技術の最先端と今後数年間にわたって予想される進歩を説明し、ムーアの法則は健在であり、パワー半導体技術の世界では成り立つことを示します。
In this presentation, we will discuss the state-of-the-art and the expected progress of GaN technology over the next few years, showing that Moore's Law is alive and well in the world of power semiconductor technology.

近年急速に社会意識の高まりを見せている電気自動車用大出力急速充電器のほか、それらを支えるパワー半導体、車載充電器や絶縁型DC/DCコンバーターを展示しました。
In addition to the high-power rapid charger for electric vehicles showing a rapid rise in social awareness in recent years, we also exhibited power semiconductors, car chargers, and isolated DC/DC converters that support them.

このプレゼンテーションでは、GaN技術の最先端と今後数年間にわたって期待される進歩について説明し、ムーアの法則がパワー半導体技術の世界で生きていることを示します。
In this presentation, Alex will discuss about the state-of-the-art and the expected progress of GaN technology over the next few years, showing that Moore's Law is alive in the world of power semiconductor technology.