POWER SEMICONDUCTOR - 日本語 への翻訳

• パワー半導体
• power semiconductor
• 力の半導体

英語 での Power semiconductor の使用例とその 日本語 への翻訳

In this presentation, Alex will discuss about the state-of-the-art and the expected progress of GaN technology over the next few years, showing that Moore's Law is alive in the world of power semiconductor technology.
このプレゼンテーションでは、GaN技術の最先端と今後数年間にわたって期待される進歩について説明し、ムーアの法則がパワー半導体技術の世界で生きていることを示します。

After graduation, Suda moved to the laboratory of Prof. Hiroyuki Matsunami, who was the first to develop a power semiconductor used in power control from silicon carbide.
須田さんも学位取得後、電力制御に使われるパワー半導体を新材料のシリコンカーバイド(SiC)で初めて開発した松波弘之教授の研究室に転じた。

Since pilot production of Korea's first 16Kb SRAM in 1984, SK Hynix consistently led the industry with smaller, faster and lower power semiconductor.
年の韓国初の16KbSRAMの試験的製造以来、SKHynixは継続的に、小型かつ高速で低消費電力の半導体で業界をリードしてきました。

Other Materials Derived from Precious Metals Demand for power semiconductor devices is increasing, though it is more appropriate to refer to such devices as energy-saving rather than new energy.
貴金属の派生としてほかの材料もそのほか、新エネルギーというよりも、省エネルギーという方が適切だが、パワー半導体の需要が伸びている。

In addition, we displayed a low-void solder paste for vacuum reflow, which suppresses void generation and is therefore suitable for connection of power semiconductor heat sinks.
また、参考出品として、真空リフローに対応し、ボイド発生を極力抑え、パワー半導体のヒートシンク接続に適した、低ボイドソルダーペーストを展示いたします。

production and sales of electric components and systems for driving, controlling and steering power semiconductor systems.
PowerIntegrationsCT-ConceptTechnologieGmbHは「パワー半導体システムの駆動、制御、運転を行うための電子部品及びシステムの開発、生産及び販売」に対するISO9001:2008認証を取得しました。

Both companies had been developing their power semiconductor businesses independently up until now. However, both concurred that concentrating on their specialist areas would further both companies' competitiveness, and therefore came to an agreement at this time.
両社はこれまで独自にパワー半導体事業を展開して参りましたが、それぞれの得意分野に集中することで、一層の競争力を発揮できるとの認識で両社の目的が一致し、このたびの基本合意に達したものです。

Using high power semiconductor at 808 nm to pump in an optical sense a crystal that produces light of a wavelength of 1064 nm, this light in turn casts upon a duplicating crystal(LBO-triborate lithium) to halve the wavelength of 1064 nm and emit green light of 532nm.
Nmの波長を2等分し、532nmの緑色航法燈を出すために光学感覚のポンプへの808nmの高い発電の半導体を使用して1064nmの波長のライトを作り出す水晶は複写の水晶（LBOtriborateリチウム）に、このライト次々と投げます。

This system applies a reverse bias of from several hundred to 3,000 V between D and S on the IGBT, power MOSFET, or other power semiconductor, the Ice/Ids leak current value is measured, and the data is regularly logged.
IGBT、パワーMOSFETを中心としたパワー半導体のG端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧としてD－S間に数100～3,000Vの逆バイアスを印加、Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングします。

Used for making lighting sources parts, high temperature shields, boats high temperature container etc. Molybdenum sheet is used for heater of electronic vacuum furnace and heat-insulation screen, Molybdenum round sheet to produce Molybdenum boat and electric power semiconductor, raw materials to make vacuum light house.
照明源部品、高温シールド、ボート高温容器etc.を作るために使用モリブデンシートはモリブデンボートと電力半導体、真空光の家を作るための原料を製造するために、電子真空炉と断熱スクリーン、モリブデンラウンドシートのヒーターのために使用されます。

To meet this growth, GaN-on-Si technology is rapidly moving from R&D to full scale production of highly efficient components, cost optimized to meet the power semiconductor industry's requirements.
この成長に応えるために、GaNテクノロジーは、研究開発段階から本格的な規模の生産段階へ急速に移行しています。この生産段階とは、電力用半導体業界の要件に最適なコストで高効率の部品を製造できることを意味します。

To fully utilize this material, development in the area of peripheral technology is currently underway. A more compact and highly efficient equipment can be created, by replacing conventional Si(Silicon) semiconductors with a GaN or SiC based new generation power semiconductor.
この素材を活かす周辺技術開発が現在進められており、従来のSi(シリコン)半導体から、GaNやSiCを使った次世代パワー半導体へ置き換えることで、さらに大幅な機器の小型化・高効率化が実現できます。

High Temperature Molybdenum Product 1 Molybdenum-lanthanum Alloy Molybdenum lanthanum(MoLa) can be used as electric vacuum device in high temperature furnaces, tube component element in cathode-ray pipe, power semiconductor device, tool for manufacturing glass and glass fiber, internal part in light bulbs, high temperature heat shield, annealing filament and electrode, high temperature container and component in microwave magnetron.
高温モリブデン製品1モリブデンランタン合金モリブデンランタン(モーラ)は、高温炉電気真空装置、カソード線管における管構成要素、パワー半導体素子、電球において、高温熱シールド、アニールガラス、ガラス繊維、内部の部品を製造するためのツールとして使用することができますマイクロ波マグネトロンフィラメントと電極、高温コンテナとコンポーネント。

According to IMS Research's 2009 report“ The World Market for Power Semiconductor Discretes& Modules” the global market for these devices grew by 1.5 percent in 2008, to US $13.96 billion(from US $13.76 billion in 2007), whereas Infineon grew by 7.8 percent.
IMSResearchの2009年度レポート「TheWorldMarketforPowerSemiconductorDiscretes&Modules」によると、これらのデバイスの世界市場は、2008年の成長率が1.5%、市場規模が139億6000万ドル（2007年：137億6000万ドル）であったのに対し、インフィニオンは7.8%の成長を達成しました。

From reading circuit boards and flat panel displays to verify their quality and initiate repair, through writing metalized circuits on multiple surfaces and connecting with better radio frequency and power semiconductor devices, Orbotech is fully fluent in the Language of Electronics- and helping to write its future.
回路基板やフラットパネルディスプレイ上の情報を読み込んでその品質を確認したり修正を開始したりすることから、複数の表面にメタライズされた回路を書き込み、より適切な無線周波数やパワー半導体デバイスに接続することまで、オルボテックはエレクトロニクスの言語に精通しています。そして、その技術が、エレクトロニクスの未来を築く手助けをしています。

Application: Power semiconductors.
アプリケーション:力の半導体。

Applicatoin: Power semiconductors.
Applicatoin:力の半導体。

Non-toxic 2.5w Power semiconductors high temperature thermal grease TIG780-25.
無毒な2.5w力の半導体の高温熱グリースTIG780-25。

With Infineon, you get a reliable field-proven partner for high power semiconductors.
インフィニオンは、高出力半導体で実績のある信頼できるパートナーです。

The use of new power semiconductors is expected to reduce losses during charging and, ultimately, make charging almost noiseless.
最新のパワー半導体の使用により、充電時の損失を減らし、最終的に充電をほぼノイズレスにできると期待されます。