POWER SEMICONDUCTORS - 日本語 への翻訳

• パワー半導体
• 力の半導体

英語 での Power semiconductors の使用例とその 日本語 への翻訳

The new R&S RT-ZHD high voltage differential probes are ideal for measurements on modern power semiconductors.
新型のR&SRT-ZHD高電圧差動プローブは、最新のパワー半導体の測定に最適です。

Next-generation power semiconductors, in which SiC epitaxial wafers developed by Showa Denko are used, are playing a central role in this trend.
その中心となっているのは、私たちが開発したSiCエピタキシャルウェハーの使われている次世代型パワー半導体です。

With SPT9, Infineon enables power semiconductors of an unmatched level of integration.".
SPT9によって、インフィニオンは、圧倒的な集積度のパワー半導体を実現できます」。

From renewable energy to electric vehicles and more, the industries of the future need power semiconductors.
再生可能エネルギーから電気自動車に至るまで、将来の産業にはパワー半導体が必要です。

It is expected that the expanded use of silicon carbide(SiC) power semiconductors, which contain epitaxial wafers.
そこで今後、活躍が期待されるのがSiC(炭化シリコン)エピタキシャルウエハーを用いたSiCパワー半導体です。

While on-wafer testing methodologies for GaN and SiC power semiconductors(lateral and vertical structures) are similar for Si devices, expanded test capabilities are needed for these newer wide band gap devices.
GaNおよびSiCパワー半導体（横型および縦型構造）のオンウェーハテスト方法はSiデバイスと似ていますが、これらの新しいワイドバンドギャップデバイスにはテスト機能の拡張が必要です。

While on-wafer testing methodologies for GaN and SiC power semiconductors(lateral and vertical structures) are similar for Si devices, expanded test capabilities are needed for these newer wide band gap devices.
GaNおよびSiCパワー半導体(水平構造および垂直構造)のオンウェーハ試験方法はシリコンデバイス向けのものに似ていますが、これらの新しいワイドバンドギャップデバイスには、試験機能の拡張が必要です。

While on-wafer testing methodologies for GaN and SiC power semiconductors(lateral and vertical structures) are similar for Si devices, expanded test capabilities are needed for these newer wide band gap devices.
ＧａＮおよびＳｉＣパワー半導体（ラテラル構造および垂直構造）のオンウェーハテスト方法論はＳｉデバイスに類似しているが、これらの新しいワイドバンドギャップデバイスには拡張されたテスト能力が必要である。

Likewise, China has placed great importance on the domestic resesearch of SiC and GaN components for power semiconductors and is also supporting the construction of fabs that supply these products.
同様に、中国政府はパワー半導体向けのSiCおよびGaN材料の国内での研究を重視し、これらの製品を供給する半導体ファブの建設も支援している。

Also, in Dresden, Infineon is currently building the world's first high-volume production of power semiconductors on 300-millimeter thin wafers and is also planning on investing several hundred million euros in the coming years.
さらに、ドレスデンでは世界初の300mm薄型ウェハによるパワー半導体の量産施設を建設しており、今後数年間で数億ユーロの投資も計画しています。

IPM products combine power semiconductors(IGBTs in this case) and integrated circuit(IC) components in high reliability and compact single package devices.
IPM製品は、パワー半導体（今回のケースではIGBT）と集積回路（IC）部品を、高信頼性のコンパクトな単一パッケージデバイスに集積しています。

Due to their need for thermal management, the enclosures of power semiconductors are designed in such a way that they can be mounted on heatsinks in order to dissipate the heat more efficiently.
その温度管理を目的に、パワー半導体の筐体はより効率的に放熱できるようにヒートシンクに実装する設計となっています。

As the worldwide market leader in power semiconductors(IMS Research, September 2006), Infineon designed the OptiMOS 3 family of devices specifically for optimum performance in low-voltage power conversion applications.
パワー半導体分野で世界トップ（IMSリサーチ調べ、2006年9月）に立つインフィニオンは、特に低電圧のパワー変換アプリケーションで最適な性能を発揮するようOptiMOS3ファミリを設計しています。

By working with Bosch, Infineon is not just expanding its share of the semiconductor market in the automotive segment, it will also be Bosch's preferred supplier of power semiconductors.
Boschとの協業により、インフィニオンは、自動車分野向け半導体市場のシェアを拡大するだけでなく、Boschにとってパワー半導体の優先サプライヤーにもなります。

In addition to the high-power rapid charger for electric vehicles showing a rapid rise in social awareness in recent years, we also exhibited power semiconductors, car chargers, and isolated DC/DC converters that support them.
近年急速に社会意識の高まりを見せている電気自動車用大出力急速充電器のほか、それらを支えるパワー半導体、車載充電器や絶縁型DC/DCコンバーターを展示しました。

Established in 1973, TEM has steadily expanded the scale of its assembly operations, primarily of discrete and analog semiconductors. In recent years, its main product has been power semiconductors.
TEMは、1973年設立後、主にディスクリートとアナログ製品の組み立てを中心に事業を拡大してきており、近年の主力製品はパワー半導体です。

Since the circuit boards used to control these power semiconductors need to be resistant to Electro-chemical migration at high voltages, there is a need to evaluate their Electro-chemical migration resistance characteristic.
そしてそのパワー半導体の制御に用いられる回路基板などには、高電圧での耐エレクトロケミカルマイグレーション特性が求められ、その特性評価が課題になっています。

Power conditioners that utilize next-generation power semiconductors are an important technology when it comes to using the electricity obtained from solar cells with low losses, and the hope is that they will grow in popularity in the future.
次世代パワー半導体を用いたパワーコンディショナは太陽電池で得られた電力を低損失で利用するために重要な技術であり、今後普及することが期待される。

As with the eRamp project, it is led by Infineon Dresden. Background: More energy efficiency through power electronics Power electronics comprises electronic components and the chips built into them, so-called power semiconductors.
欧州のエレクトロニクス産業を強化する主要プロジェクトパワーエレクトロニクスは、その中に組み込まれている電子部品とパワー半導体と呼ばれるチップから構成されています。

Proton-Electrotex is the Russian leader in designing and manufacturing power semiconductors including diodes, thyristors and IGBT modules as well as heatsinks, voltage suppressors, resistors and measurement equipment.
JSCのProton-Electrotexについて：Proton-Electrotexは、ダイオード、サイリスタ、IGBTモジュール、ヒートシンク、電圧抑制器、抵抗器、測定機器などのパワー半導体の設計と製造におけるロシアのリーダーです。