結晶成長 - 英語 への翻訳

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日本語 での 結晶成長 の使用例とその 英語 への翻訳

特別な結晶化過程により、当社の鉱物およびマトリックス工学の技術は、結晶成長および温度安定相の多孔度を制御し、好ましい結晶形状および集合組織を作り出します。
By means of a special crystallization process our technique of mineral and matrix engineering controls the crystal growth and the porosity of temperature-stable phases, forming preferred crystal shapes and aggregate structures.

モアッサナイトは目に見える包有物とともに販売されていませんが、針状の包有物は結晶成長プロセスに固有のものであり、拡大して見ることができます。
Though moissanite is not sold with eye-visible inclusions, needle-like inclusions are inherent to the crystal growth process and can be seen under magnification.

今回の実験を通して結晶の完全性を支配する要因を、結晶成長メカニズムとの関連で明らかにすることができれば、そのアイデアを地上の結晶成長に役立てることができるのです。
If such factors that affect the perfection of crystals in relation to the protein growth mechanisms through this series of experiments are found, the findings can be applied to the crystal growth on the ground.

これが縁で、1964年、新設の松下電器東京研究所に招かれ、III-V族化合物半導体の結晶成長と発光素子の研究を始めました。
This achievement led me to a position at the then newly-established Matsushita Research Institute Tokyo, Inc. in 1964, where I began my research on crystal growth and light-emitting devices of III-V compound semiconductors.

サファイア基板は、耐熱性、機械的強度、化学的安定性の面から、III-V族窒化物半導体の結晶成長プロセス(主にMOCVDプロセス)用に優れた基板である。
Sapphire substrate has heat resistance, mechanical strength and chemical stability, which is suitable for the crystal growth process(mainly MOCVD process) of group-III-V nitride semiconductor.

結晶成長において対流は、(1)成長している結晶の形の対称性を崩す、(2)得られる結晶中の成分の不均一をもたらす、(3)成長界面で起こっている現象の解明を妨げる、などさまざまな影響があります。
Convection in crystal growth has various impacts including: i deforming the symmetry of the growing crystal shape; ii causing heterogeneity of constituents in the obtained crystal; and iii impeding elucidation of the phenomena occurring in the growing interface.

また、当社はフィルムの層構成や材料の混合、塗布、結晶成長などのプロセス条件最適化のために流体、構造、光学に関するシミュレーションをおこなう専門組織をもち、理論的なアプローチで実挙動の検証をおこない、開発・設計から製造まで幅広くサポートしています。
In addition, we have a specialized organization which performs simulations of fluids, structures, and optics to optimize process conditions for film layer configuration, material mixing, coating, and crystal growth.

いずれも化合物半導体を技術基盤としており、自社での結晶成長プロセス、微細加工、モジュール化技術をコアとして卓越したデバイスを実現しています。これにより自社の計測器の性能向上、および通信・計測分野の発展に貢献しています。
It develops excellent devices using Anritsu's unique crystal growth processes, micro-fabrication, and modularization as core technologies supported by compound semiconductor technologies to increase the performance and functions of Anritsu measurement solutions and help growth in the communications and measurement fields.

この研究の新規性・独創性(1)次世代パワーデバイス材料SiCの高品質結晶成長溶液法に特有の高品質メカニズムを解明し、結晶中の各種欠陥密度を市販基板の1/10~1/100まで低減できることを実証している。
Novelty and originality of this research(1) High quality crystal growth of SiC for next-generation power deviceWe revealed the mechanism of high-quality SiC growth by the solution method and demonstrated the reduction of the number of the defect in crystal..

きぼう」以前の結晶成長実験結晶成長に伴い、その周囲の環境相では温度、濃度分布が多少なりとも不均一になり、重力環境下ではこれらの不均一が浮力対流の駆動力となります。
Crystal growth experiments before"Kibo" As crystals grow, temperature and concentration distribution at the environment phase around them become inhomogeneous to some degree. Under the terrestrial condition, these heterogeneities act as a drive force of buoyancy convection.

有機単結晶への極微量ドーピング効果とホール効果測定有機単結晶成長技術と超低速蒸着技術を組み合わせて、1ppmの極低濃度でドーピングしたルブレン単結晶を作製し、ホール効果シグナルを検出することに世界で初めて成功した。
Hall effect in bulk-doped organic single crystals By combining the organic single crystal growth technique and ultra-low speed deposition technique, we fabricated a rubrene single crystal doped at extremely low concentration of 1 ppm and succeeded to detect the Hall effect signal.

電気電子工学科の材料・デバイス関連研究室・共同利用クリーンルームには、世界最先端の結晶成長装置やデバイス作製・評価設備が勢ぞろいしており、研究設備の充実度は世界中の大学と比べても最高クラスといえます。
The Material-Device Laboratory and shared use clean room in the Department of Electrical and Electronics Engineering are equipped with the most advanced crystal growth equipment in the world. The array of device manufacturing and evaluation equipment is said to be the highest class, complete university research facility in the world.

燃焼,結晶成長,生命科学の分野などに,広く存在する。
combustion, crystal growth, and life science.

また、これらの同じ特性は、宝石に関連しない用途としても非常に魅力的であり、サファイアを使用した製品の需要に応えるため、これまでで最も進んだ合成結晶成長および処理技術のいくつかが誕生しました。
These same properties have also made it very attractive for non-gem applications as well, and some of the most sophisticated synthetic crystal growth and processing techniques to date have resulted from demand for these products.

透過電子顕微鏡を用いた"その場"観察法を駆使して、ナノ領域特有の物性や特異現象に関する物質科学の研究を背景に、惑星科学や天文学、結晶成長学へと実験的研究を学際的に展開してきた。
By utilizing"in situ" observation methods using a transmission electron microscope based on materials science studies of physical properties and phenomena peculiar to nano-domains, he has been developing interdisciplinary experimental research into planetary science, astronomy, and crystal growth.

合成する有機材料系技術、結晶成長などの無機系技術、フィルム状の基材に材料を塗布または真空環境下で薄膜形成する技術、必要とされる形状に高精度に裁断する技術など、製造プロセスを構築する多くの技術を保有しています。
For example, organic material technology to mix/disperse/synthesize materials, inorganic technology for crystal growth, technology to coat thin materials on base film or forming thin layers in vacuum environment, and technology to slit films into required shapes.

SiCの結晶成長から物性評価、デバイス作製までを一連の流れとして行うべきだという松波さんの方針のもと、須田さんはSiCの研究を進める一方で、独自のテーマとして、かつての宿敵であるGaNの結晶成長やパワー半導体への応用に向けた研究にも取り組んだ。
Following Matsunami's strong preference for doing the entire process from growing SiC crystals to evaluating their physical properties to fabricating devices, Suda carried out SiC research while, on the side, pursuing his own research on growing crystals and developing power devices with GaN, his old rival.

荒川教授のグループは、約15年前から、物性物理と結晶成長技術の両面から窒化ガリウム量子ドットの研究に取り組んできており、2016年には、世界最高温度（ゆで卵ができる温度の77℃）で動作する単一光子発生素子を実現しています（図3）。
For the last 15 years or so, Arakawa's research group has been approaching gallium nitride quantum dot research from the perspective of both condensed-matter physics and crystal growth technology, and in 2016, succeeded in fabricating a single-photon source that operates at the highest temperature achieved to date(77 degrees Celsius, hot enough to hard-boil an egg)(figure 3).

また、当社はフィルムの層構成や材料の混合、塗布、結晶成長などのプロセス条件最適化のために流体、構造、光学に関するシミュレーションをおこなう専門組織をもち、理論的なアプローチで実挙動の検証をおこない、開発・設計から製造まで幅広くサポートしています。
In addition, we have a specialized organization which performs simulations of fluids, structures, and optics to optimize process conditions for film layer configuration, material mixing, coating, and crystal growth, to mention a few. By verifying actual behavior through theoretical approach, this organization offers extensive support for our fundamental development, product development and also for process development.

IJMSAは、微小重力などの宇宙環境を利用した流体科学、結晶成長、物理化学、材料科学、生物科学、燃焼、理工学など、学際的研究分野における理論、実験、技術、装置開発に関する研究成果および関連記事を掲載する学術雑誌です。
The IJMSA Journal is a scientific journal that publishes research results and related articles concerning theories, experimental testing, technique and equipment development in the interdisciplinary fields of research that utilize microgravity and other space environments, including the fluid sciences, crystal growth, physical chemistry, materials sciences, biological sciences, combustion, science and engineering.