CRYSTAL GROWTH - 日本語 への翻訳

• 結晶成長
• 結晶育成
• crystal growth

英語 での Crystal growth の使用例とその 日本語 への翻訳

Details of the new technology will be presented at the International Conference on Crystal Growth(ICCG) to be held from August 9 in Grenoble, France.
本技術の詳細は、8月9日からフランス・グルノーブルで開催される国際会議「InternationalConferenceonCrystalGrowth(ICCG)」で発表します。

POWDEC contributes to the social infrastructure in 21st century through developing/providing Gallium Nitride(GaN) power devices" We have been developing power electronic devices to consistently from the crystal growth of GaN semiconductor.
GaN系半導体素子および基板の開発・生産を通じて、21世紀社会のインフラストラクチャー構築に貢献する"を掲げてGaN半導体の結晶成長からパワー電子素子まで一貫して開発を行っております。

The new facilities will enable astronauts to observe physical processes at high temperatures, protein crystal growth and genetic alterations as well as a variety of other important space phenomena.
これらの新しい施設は、高温でのタンパク質結晶の成長、遺伝子の変化、様々な他の重要な宇宙現象など、宇宙飛行士達が物理的なプロセスを観測するのを可能にするだろう。

In order to utilize this property, we made silver nanoparticles selectively absorb capping agent that interferes crystal growth, and successfully produced slender nanowires with great efficiency.
この特性を利用し、銀ナノ粒子に結晶成長を阻害するキャッピング剤を選択的に吸着させることで、細長いワイヤーを効率的に生産することに成功しました。

High GOx concentrations result in a smaller signal because fast crystal growth leads to the formation of silver nanocrystals in solution, and thus to less silver deposited on the nanostars.
これに対して、GOx濃度が高いと結晶成長が速くなるため、溶液中で銀ナノ結晶が形成されてしまいナノスターに銀が析出しにくくなるので、シグナルは弱くなる。

Based on those fundamental studies of crystal growth mechanisms, we have developed a crystal growth technology for obtaining high-quality multicrystalline Si(mc-Si) ingots for solar cells.
太陽電池用Si多結晶インゴットの成長技術開発結晶成長の研究では、実際に社会に役立つ結晶の開発も重要な課題です。

In this article, I would like to discuss the space experiment history in Japan for crystal growth, one of materials science fields, and its future research themes.
本稿では、物質科学の一つの領域である結晶成長に関する日本での宇宙実験の経緯と今後の研究テーマ例について述べます。

By the late 1970s, many researchers had withdrawn from studies on this"unexplored semiconductor," but day in and day out I continued my research of GaN crystal growth simple-mindedly, feeling as if I was"exploring the wilderness alone.
年代後半、多くの研究者がこの"未到の半導体"の研究から撤退し、"一人荒野を行く"心境で愚直にGaNの結晶成長に明け暮れていました。

Convection in crystal growth has various impacts including: i deforming the symmetry of the growing crystal shape; ii causing heterogeneity of constituents in the obtained crystal; and iii impeding elucidation of the phenomena occurring in the growing interface.
結晶成長において対流は、(1)成長している結晶の形の対称性を崩す、(2)得られる結晶中の成分の不均一をもたらす、(3)成長界面で起こっている現象の解明を妨げる、などさまざまな影響があります。

In addition, we have a specialized organization which performs simulations of fluids, structures, and optics to optimize process conditions for film layer configuration, material mixing, coating, and crystal growth.
また、当社はフィルムの層構成や材料の混合、塗布、結晶成長などのプロセス条件最適化のために流体、構造、光学に関するシミュレーションをおこなう専門組織をもち、理論的なアプローチで実挙動の検証をおこない、開発・設計から製造まで幅広くサポートしています。

It develops excellent devices using Anritsu's unique crystal growth processes, micro-fabrication, and modularization as core technologies supported by compound semiconductor technologies to increase the performance and functions of Anritsu measurement solutions and help growth in the communications and measurement fields.
いずれも化合物半導体を技術基盤としており、自社での結晶成長プロセス、微細加工、モジュール化技術をコアとして卓越したデバイスを実現しています。これにより自社の計測器の性能向上、および通信・計測分野の発展に貢献しています。

Novelty and originality of this research(1) High quality crystal growth of SiC for next-generation power deviceWe revealed the mechanism of high-quality SiC growth by the solution method and demonstrated the reduction of the number of the defect in crystal..
この研究の新規性・独創性(1)次世代パワーデバイス材料SiCの高品質結晶成長溶液法に特有の高品質メカニズムを解明し、結晶中の各種欠陥密度を市販基板の1/10~1/100まで低減できることを実証している。

Crystal growth experiments before"Kibo" As crystals grow, temperature and concentration distribution at the environment phase around them become inhomogeneous to some degree. Under the terrestrial condition, these heterogeneities act as a drive force of buoyancy convection.
きぼう」以前の結晶成長実験結晶成長に伴い、その周囲の環境相では温度、濃度分布が多少なりとも不均一になり、重力環境下ではこれらの不均一が浮力対流の駆動力となります。

Hall effect in bulk-doped organic single crystals By combining the organic single crystal growth technique and ultra-low speed deposition technique, we fabricated a rubrene single crystal doped at extremely low concentration of 1 ppm and succeeded to detect the Hall effect signal.
有機単結晶への極微量ドーピング効果とホール効果測定有機単結晶成長技術と超低速蒸着技術を組み合わせて、1ppmの極低濃度でドーピングしたルブレン単結晶を作製し、ホール効果シグナルを検出することに世界で初めて成功した。

The Material-Device Laboratory and shared use clean room in the Department of Electrical and Electronics Engineering are equipped with the most advanced crystal growth equipment in the world. The array of device manufacturing and evaluation equipment is said to be the highest class, complete university research facility in the world.
電気電子工学科の材料・デバイス関連研究室・共同利用クリーンルームには、世界最先端の結晶成長装置やデバイス作製・評価設備が勢ぞろいしており、研究設備の充実度は世界中の大学と比べても最高クラスといえます。

combustion, crystal growth, and life science.
燃焼,結晶成長,生命科学の分野などに,広く存在する。

These same properties have also made it very attractive for non-gem applications as well, and some of the most sophisticated synthetic crystal growth and processing techniques to date have resulted from demand for these products.
また、これらの同じ特性は、宝石に関連しない用途としても非常に魅力的であり、サファイアを使用した製品の需要に応えるため、これまでで最も進んだ合成結晶成長および処理技術のいくつかが誕生しました。

By utilizing"in situ" observation methods using a transmission electron microscope based on materials science studies of physical properties and phenomena peculiar to nano-domains, he has been developing interdisciplinary experimental research into planetary science, astronomy, and crystal growth.
透過電子顕微鏡を用いた"その場"観察法を駆使して、ナノ領域特有の物性や特異現象に関する物質科学の研究を背景に、惑星科学や天文学、結晶成長学へと実験的研究を学際的に展開してきた。

Considering silicon crystal growth based on the above assumption, it is noticeable that it is very different from the conditions of other crystal growth, such as melted metal-to-metal crystals like sodium and melted salt-to-ion crystal like sodium chloride.
このことをもとにシリコンの結晶成長を考えてみると、ナトリウムのような金属融体から金属結晶への結晶成長、あるいは塩化ナトリウムのような溶融塩からイオン結晶への結晶成長とは状況が大きく異なっていることが分かります。

Is such that crystal growth almost parallel to a substrate surface is made by applying the above techniques, and the present inventor et al. refer to a formed crystallized region especially as a side growth region(or a lateral grow region).
特に、特開平8-78329に記載された技術は上記技術を応用して基板面とほぼ平行な結晶成長を行わすものであり、発明者らは形成された結晶化領域を特に横成長領域（またはラテラル成長領域）と呼んでいる。