逆回復 - 英語 への翻訳

• reverse recovery

日本語 での 逆回復 の使用例とその 英語 への翻訳

逆回復特性は、ダイオード、特に高速タイプのダイオードでは基本的かつ重要なパラメータですので、trrの数値比較だけではなく、その波形や温度特性などを理解することはダイオードを使う上で役立ちます。
The reverse recovery characteristic is a basic and very important parameter of diodes, and particularly of fast-operating diodes. Hence comparing the numerical values of trr alone is insufficient; understanding the waveform, temperature characteristic and other behavior is useful when using diodes.

R60xxJNxシリーズは、構造を最適化することにより、従来品に比べソフトリカバリ指数を30%改善し、業界最速の逆回復時間(trr)を維持したまま、ノイズを低減させることに成功しました。
Through optimization of their structure, the R60xxJNx series of MOSFETs feature a 30% improvement in the soft recovery index over previous devices as well as reduced noise while maintaining the industry's fastest reverse recovery time trr.

この無線デモ・アンプの改訂版には、ZVSのD級アンプの上側FETに電力を供給する同期ブートストラップFETを搭載し、このアンプは、上側FETのエネルギーを逃がすためにゲート・ドライバに内蔵したブートストラップ・ダイオードの逆回復損失を排除します。
This revision of the wireless demonstration amplifier includes a synchronous bootstrap FET supply for the upper FETs of the ZVS class-D amplifier that eliminates the reverse recovery losses of the gate driver's internal bootstrap diode that dissipates energy in the upper FET.

D級オーディオ・アンプには、通常はパワーMOSFETを使いますが、エンハンスメント・モードGaN(eGaN)FETによって提供される、より低い導通損失、より速いスイッチング速度、および逆回復損失がないことは、音質の著しい向上、およびヒートシンク(冷却器)を不要にできる高い効率を可能にします。
Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN(eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks.

主な特徴と利点内蔵ダイオードの逆回復時間(Trr)の改善による効率の向上dV/dt性能上昇による信頼性向上車載用アプリケーション向けのAEC-Q101認定済み600Vおよび650V高速回復MOSFETSTの幅広いSTPOWERTM製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。
Key features and benefits Improved intrinsic diode reverse recovery time(Trr) for increased efficiency Higher dV/dt capability for improved system reliability AEC-Q101-qualified 600 V and 650 V fast recovery MOSFETs for automotive applications Our wide STPOWERTM product portfolio, combined with state-of-the art packaging and protections for high reliability and safety, helps designers find the right solutions for customized, high-efficiency applications that will last a long lifetime.

主な特徴と利点内蔵ダイオードの逆回復時間(Trr)の改善による効率の向上dV/dt性能上昇による信頼性向上車載用アプリケーション向けのAEC-Q101認定済み400V、500V、600Vおよび650Vスーパー・ジャンクションMOSFETSTの幅広いSTPOWERTM製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。
Key features and benefits Improved intrinsic diode reverse recovery time(Trr) for increase efficiency Higher dV/dt capability for improved system reliability AEC-Q101-qualified 400 V, 500 V, 600 V and 650 V super-junction MOSFETs for automotive applications Our wide STPOWERTM product portfolio, combined with state-of-the art packaging and protections for high reliability and safety, helps designers find the right solutions for customized, high-efficiency applications that will last a long lifetime.

逆回復時間および逆回復充電の低い値。
Low charge and duration of reverse recovery.

この逆回復時間の違いは、すべてダイオード構造によるものです。
These differences in reverse recovery times are all due to the diode structures.

逆回復電流もほとんど流れないためErrが大幅に削減されます。
And because there is almost no reverse recovery current, Err is far lower as well.

少数キャリアが存在しないので、これらのデバイスには逆回復がありません。
As no minority carriers are present, these devices have no reverse recovery.

高耐圧パワーMOSFET、超低速逆回復損失Qspeedダイオード、コントローラ、及びゲートドライバを内蔵。
Incorporates high-voltage power MOSFET, ultra-low reverse recovery loss Qspeed diode, controller, and gate driver.

周波数に依存する逆回復損失が上側のデバイスで生じるので、アンプの高周波特性を制限します。
This limits high frequency performance of the amplifier because the frequency dependent reverse recovery losses are dissipated in the upper device.

右のグラフは、各FRDによる回路効率に対しFRDのtrr(逆回復時間)を重ねてあります。
The graph on the right superposes the FRD trr(reverse recovery time) versus circuit efficiency for each of the FRDs.

オン抵抗36Ω(代表値)の内蔵ブートストラップダイオードにより超高速の逆回復が可能となっています。
It is a perfect match for IGBT and MOSFET switches rated up to 650 V. The integrated bootstrap diode offers ultra-fast reverse recovery with a typical 36 Ω on-resistance.

これまで、ダイオードの低損失化には、逆回復時間(trr)を短縮することが一般的でした。
Until now, loss caused by diodes has commonly been reduced by shortening reverse recovery time trr.

CrM操作により、低ターンオン損失を実現し、出力ダイオードコストを削減できます(逆回復が遅い安価なダイオード)。
The CrM operation results in low turn-on losses and reduces cost of output diode(slower reverse recovery).

さらに、きわめて低い逆回復電荷(SuperSO8の最小Qrr26nC)により、コミュテーションの堅牢性を向上します。
Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge(lowest Qrr in SuperSO8 26 nC) increases commutation ruggedness.

CrM制御により、ターンオン損失を抑制し、出力ダイオードのコスト低減が可能です(逆回復が遅い安価なダイオードが使用可)。
The CrM operation results in low turn-on losses and reduces cost of output diode(slower reverse recovery).

PN接合ダイオードで高速性を高めたのがFRD(ファストリカバリダイオード)ですが、それでもtrr(逆回復時間)特性などはSBDより劣ります。
When the operating speed of a PN-junction diode is raised, the result is a fast-recovery diode(FRD); even so, however, the trr(reverse recovery time) and other characteristics are inferior to those of SBDs.

連続モード動作では、スイッチオン時の整流ダイオード逆回復時間(trr)*の間に逆電流が流れ、この逆電流による損失が発生します。
In the continuous mode operation, a reverse current flows during rectifying diode reverse recovery time(trr)* at switch-on time, and losses occur due to the reverse current.