GAN - 日本語 への翻訳

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• ガン
• 甘
• 窒化ガリウム

英語 での Gan の使用例とその 日本語 への翻訳

GaN is ideally suited for RF applications such as cellular base stations, radars and cable TV.
GaNは細胞基地局、レーダーおよびケーブル・テレビのようなRFの適用に理想的に適します。

For next generation SiC and GaN power semiconductor manufacturing, epitaxial growth is a vital technology.
次世代を担うとされるSiCやGaNが注目を集めるパワー半導体製造において、エピタキシャル成長技術は欠かせません。

GaN can be used in many areas such as LED display, High-energy Detection.
GaNはLED表示、高エネルギー検出のような多くの地域で使用することができます。

The law firm staff Wu Gan is accused of inciting subversion of state power.
法律事務所スタッフの呉淦は国家政権転覆扇動罪で逮捕された。

The GaN layer 110 may be formed to have a thickness in a range of about 40-50 nm.
ＧａＮ層１１０は約４０〜５０ｎｍの範囲の厚さを有するように形成できる。

Furthermore, SiC and GaN can operate at high temperatures of over 200 °C, which is the limit for Si power devices.
また、SiCやGaNはいずれも、Siのパワーデバイスで限界とされる200℃以上という高温で動作します。

GaN has a major role in medical applications and we have only begun to discover and implement innovative solutions.
GaNは、医療用途において主要な役割を担っており、革新的なソリューションを発見し実装し始めたばかりです。

Katerina Gan is a rising sophomore at the University of Chicago studying Economics.
KaterinaGanは現在アメリカシカゴ大学で経済学を学んでいる2年生です。

It was developed specifically for power supplies and frequency converters that operate with fast-switching power semiconductors on a GaN basis.
これは、高速スイッチングパワー半導体、GaNで駆動する電源およびDC/DCコンバータ向けに開発されたものです。

Gallium nitride(GaN) is one of the technologies that could well displace silicon MOSFETs in the next generation of power transistors.
窒化ガリウム(GaN)は、次世代のパワー・トランジスタとして、シリコンMOSFETを十分に置き換えることができる技術の1つです。

First, as a next-generation semiconductor material, GaN possesses functional characteristics not found in other materials.
まず、次世代半導体材料としてのGaNも、他の材料にないすぐれた特徴を持っている。

GaN is making possible wireless power not only for our phones, but also for our homes.
GaNは、私たちの携帯電話だけでなく、私たちの家庭のための無線充電も可能にしています。

Power semiconductor devices using SiC or GaN have a potential for high temperature operation excess 200 deg.
SiCやGaNを用いたパワー半導体デバイスは、200℃以上の高温動作の可能性がある。

Entrance to the village a stone bridge, a few trees, several hundred elderly people with Yan Gan, squatting small talk.
村の石造りの橋は、いくつかの木、ヤンガンで数百人の高齢者への入り口は、世間話を占拠。

Podcast: Where engineers trying to learn power GaN get into trouble.
ポッドキャスト:パワーGaNを学ぼうとしているエンジニアがトラブルに巻き込まれる場所。

InGaN SiC wafer 4H- SiC epitaxial wafer GaN epitaxy GaN substrate epitaxial wafers gasb substrate 레이저 다이오드 에피 택셜 구조 germanium wafer gallium nitride.
インガンシリコンウェーハ4hエピタキシャルウェハガンエピタキシーガン基板エピタキシャルウェーハガスボンベレーザダイオードエピタキシャル構造ゲルマニウムウェハー窒化ガリウム。

Thick GaN will be used for manufacturing high luminance LED with using Laser Lift Off.
厚膜GaNはLaserLiftOffを使用した高輝度LEDの製造に使用可能です。

We can use Si3N to replace GaN on the top, the adhesion is strong, it is coated by sputter or PECVD.
Si3nを使用して上部のガンを交換することができます。接着力は強く、スパッタリングやペークドでコーティングされています。

Currently we can offer GaN epitaxial wafer for fundamental research and device product development use, including GaN template, AlGaN.
現在AlGaN私達はGaNに基本的な研究および装置製品開発の使用のためのエピタキシアルウエファーを、GaNの型板を含んで提供してもいいです。

As the main ingredients in the manufacturing of the tear-gas bomb/gan, and self-defenders and etc?
(5)製造の主要な原料として、爆弾/ganを催涙ガス等と自己擁護者。