窒化ガリウム - 英語 への翻訳

• gallium nitride
• gan

日本語 での 窒化ガリウム の使用例とその 英語 への翻訳

今後はSiCで成功したノウハウを生かし、パワーデバイス用新素材として拡大が期待されるGaN(窒化ガリウム)やダイヤモンドなど他の素材にも着目し、生産性向上に役立つ新たな製品を開発していきたいと考えています。
We are hoping to apply the knowhow we acquired with SiC to other prospective materials of power devices, such as gallium nitride(GaN) and diamond, and develop other new products that contribute to the achievement of higher productivity.

インチモデルに付属していた87Wアダプタと同じサイズを実現しているが、昨今の市場で人気が高い、窒化ガリウム（GaN）採用で小型化を果たした充電器と比べると、依然として大きなサイズとなっている。
Although it has the same size as the 87W adapter that came with the 15-inch model, it is still larger than the charger that has been popular in the market these days and has been downsized with gallium nitride(GaN).

窒化ガリウム（GaN）は、従来のシリコンMOSFETよりも高い効率と速いスイッチング速度を発揮する新世代の電力スイッチング素子を実現し、現代の高性能エレクトロニクスの需要に応えていますVeeco社のMOCVDシステムは、粒子の発生が少ないことや収率が高いことなど、GaN-on-Siの生産で重要な優位性を提供します。
Gallium nitride(GaN) is enabling a new generation of power switching devices that offer higher efficiency and switching speed than the traditional silicon MOSFET, to satisfy the demands of today's high-performance electronics. Veeco MOCVD systems provide key advantages for GaN-on-Si production, including low particle counts and excellent yields.

窒化ガリウム(GaN)技術を使って製造されたパワー・トランジスタは、従来のシリコン・パワー・デバイスよりも高性能であり、この電力変換アプリケーションにおいて、これらのeGaNFETは、駆動電力を80%低減し、オン抵抗を25%低減し、消費電力を5%下げ、3.19立方インチと非常に小さいパッケージ内に収めてあります。
Power transistors fabricated using gallium nitride(GaN) technology are higher performing than traditional silicon power devices and, in this power conversion application, these eGaN FETs provide an 80% reduction in the driving power, a 25% reduction in on resistance, and 5% less power dissipation all in a very small, 3.19 cubic inch package.

荒川教授のグループは、約15年前から、物性物理と結晶成長技術の両面から窒化ガリウム量子ドットの研究に取り組んできており、2016年には、世界最高温度（ゆで卵ができる温度の77℃）で動作する単一光子発生素子を実現しています（図3）。
For the last 15 years or so, Arakawa's research group has been approaching gallium nitride quantum dot research from the perspective of both condensed-matter physics and crystal growth technology, and in 2016, succeeded in fabricating a single-photon source that operates at the highest temperature achieved to date(77 degrees Celsius, hot enough to hard-boil an egg)(figure 3).

このインタビューは、GaNデバイスの差異、コストの低減、最新デバイスの革新、高速で小型のデバイス動作、熱管理、どのようにGaNの市場がシリコンの市場を上回るのか、窒化ガリウム技術開発の将来展望など、半導体業界によるGaNデバイスの採用拡大への質問に答えるという形で、さまざまな興味深い領域を網羅しています。
The interview extensively covers various areas of interests in answering the question of wider adoption of GaN devices by the semiconductor industry including differentiations of GaN devices, lowering of costs, latest device innovations, high-frequency plus small-size device operations, heat management, how GaN's markets would surpass silicon's markets and the future development of gallium nitride technology.

窒化ガリウム半導体基板。
Gallium nitride semiconductor substrates.

窒化ガリウム技術を探求する。
Exploring gallium nitride technology.

窒化ガリウムは未来のシリコンです。
Gallium nitride is the silicon of the future.

シリコンを押しのけ、窒化ガリウム・チップが引き継ぐ。
Silicon. Gallium nitride chips are taking over.

次世代窒化ガリウム6kV超高耐圧パワートランジスタの開発。
POWDEC announces 6 kV Gallium Nitride Transistor.

中村による窒化ガリウム青色発光半導体デバイス開発4.1。
GaN-based blue light emitting device development by Nakamura 4.1.

つ目は、宇宙用途に適した窒化ガリウム技術についてでした。
The second was about Gallium Nitride technology that would be suitable for space applications.

インガンシリコンウェーハ4hエピタキシャルウェハガンエピタキシーガン基板エピタキシャルウェーハガスボンベレーザダイオードエピタキシャル構造ゲルマニウムウェハー窒化ガリウム。
InGaN SiC wafer 4H- SiC epitaxial wafer GaN epitaxy GaN substrate epitaxial wafers gasb substrate 레이저 다이오드 에피 택셜 구조 germanium wafer gallium nitride.

PAM-XIAMENはエピタキシャルウェーハと共に窒化ガリウム材料の製造技術を確立しました。
PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for Gallium Nitride material along with epitaxial wafers.

窒化ガリウム半導体に関する米レイセオン社の仕事は、レーダーを超えて広がりました。
Raytheon's work on gallium nitride semiconductors could have a reach beyond radars.

高速データ移行を実現させる窒化ガリウム製の5G用パワーアンプ（フラウンホーファーIAF）。
Power amplifiers for 5G made of gallium nitride(Fraunhofer IAF).

最新の窒化ガリウムの技術は、ワイヤレス・パワー伝送のアプリケーション開発を推進しています。
The latest gallium nitride technology has been propelling the development of wireless power transfer application.

EPCについてEPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。
About EPC EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices.

また、このデバイスはローサイドエンハンスメントモード窒化ガリウム(GaN)FETの駆動に必要な機能も備えています。
The device also has the features necessary to drive low-side enhancement-mode Gallium Nitride(GaN) FETs.