GALLIUM NITRIDE - 日本語 への翻訳

• 窒化ガリウム
• ガリウムナイトライド

英語 での Gallium nitride の使用例とその 日本語 への翻訳

Inch free-standing GaN substrates, GaN wafer for LD, semiconducting Gallium Nitride Wafer for led, GaN template, 10x10mm GaN substrates, native GaN wafer.
Inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mmGaNの基質、GaNの天然ウエファー、。

Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion, talks to Leo Laporte about Gallium Nitride, and how it is being used to create the next generation of microchips and wirelessly power the world.
EfficientPowerConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlexLidow(アレックス・リドウ)は、次世代マイクロチップと世界のワイヤレス・パワーを創造するための窒化ガリウムの利用方法について、LeoLaporte氏に語っています。

Within the suite will be end-user application units enabled by eGaN FETs and ICs as well as EPC gallium nitride(GaN) products and development boards.
このスイート・ルームには、eGaNFETとICによって可能になるエンド・ユーザー向けアプリケーション機器、および、EPCの窒化ガリウム(GaN)製品と開発基板を展示します。

In the first article in this series, how gallium nitride(GaN)-on-silicon low voltage power devices have enabled many new applications, such as light detection and ranging(LiDAR), envelope tracking, and wireless power was discussed.
このシリーズの最初の回では、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスが、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの多くの新しいアプリケーションを可能にした方法について説明しました。

With the emergence of the 48V bus architecture, a new hybrid converter using gallium nitride(GaN) transistors can be employed which achieves a peak efficiency that exceeds 95% and with 225W/in3 power density.
Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム(GaN)・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95%を超えるピーク効率と225W/立方インチの電力密度を達成することができます。

The practical realization technology for power electronics devices and also for the next generation power devices using new materials such as GaN(Gallium Nitride) and SiC(Silicon Carbide) is one of those new technologies and R&D activities for realization of stable mass production of these devices are rapidly progressing.
GaN(ガリウムナイトライド)やSiC(シリコンカーバイド)などの新材料を用いたパワーエレクトロニクスデバイスや高速通信用の次世代パワーデバイスの実用化技術もその一つであり、量産化に向けた研究開発が急速に進展しています。

The test results described in this ninth reliability report show that EPC gallium nitride products in wafer level chip-scale packages have the superior reliability, cost, and performance to displace silicon as the technology of choice for semiconductors.
この9番目の信頼性レポートに記載されたテスト結果は、ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ封止の当社の窒化ガリウム製品が、半導体技術の選択肢として、シリコンを置き換えることができる優れた信頼性、コスト、性能を備えていることを示しています。

Gallium Nitride(GaN) transistors and integrated circuits, which EPC sells to almost every major electronics company in the world, allow companies to make smaller, faster and more power-efficient products compared with those made from silicon.
EPC社が世界のほぼすべての大手エレクトロニクス企業に販売している窒化ガリウム(GaN)のトランジスタや集積回路は、シリコンで作られたものと比べて、より小さく、より速く、より電力効率の高い製品にすることを可能にします。

Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. EPC9016 development board features 40 V, 33 A enhancement mode gallium nitride(eGaN®) FETs in parallel operation increasing current capability by 67% and optimum layout techniques maximize efficiency.
開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67%増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。

Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. EPC9106 Class-D audio amplifier reference design, using high frequency switching gallium nitride power transistors, demonstrates efficiency enhancement, size reduction and eliminates need for a heat sink while delivering prosumer quality sound.
高周波スイッチング可能な窒化ガリウム・パワー・トランジスタを使ったD級オーディオ・アンプのリファレンス設計EPC9106は、プロシューマ品質のサウンドを実現すると同時に、高効率化、小型化が可能で、ヒートシンクが不要です。

Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. The first three installments in this series covered field reliability experience and stress test qualification of EPC's enhancement-mode gallium nitride(eGaN) field effect transistors(FETs) and integrated circuits ICs.
このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)と集積回路(IC)のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。

Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. EPC9106 Class D audio amplifier reference design, using high frequency switching gallium nitride power transistors, demonstrates efficiency enhancement, size reduction and eliminates need for a heat sink while delivering prosumer quality sound.
D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク(冷却器)が不要です。

GaN engineering and its impact on the futureHiroshi AmanoProfessor, Nagoya University Amano talked about his research on the blue light emitting diode(LED) and gallium nitride(GaN), which led to his receiving the 2014 Nobel Prize in Physics.
GaNの工学と未来社会へのインパクト」名古屋大学天野浩教授まずは、名古屋大学の天野浩教授が、ノーベル物理学賞の受賞理由となった青色発光ダイオード(LED)とその材料となる窒化ガリウム(GaN)について講演しました。

Hitachi Cable has decided to manufacture and sell samples of two-inch diameter, low defect density, single-crystal gallium nitride(GaN) substrates for blue-violet lasers used in next-generation Blu-ray Discs and other optical discs.
このたび当社は、Blu-rayDisc等の次世代光ディスクに用いられる青紫色レーザー用の2インチ直径低欠陥単結晶窒化ガリウム(GaN)基板の開発に成功し、サンプル製造、販売を開始することにいたしました。

Blue light emitting semiconductor device Silicon carbide(SiC), zinc selenide(ZnSe) and gallium nitride(GaN) were all potential semiconductor materials for the development of blue light emitting semiconductor devices, based on the width of their energy band gaps.
青色発光半導体デバイス青色発光半導体デバイス用材料としては、バンドギャップの大きさから、炭化シリコン(SiC)、セレン化亜鉛(ZnSe)、そして窒化ガリウム(GaN)の3種類が考えられた。

Since the Robotics and Mechatronics Institute is highly interested in the improvement of sensor and power electronics, we used the opportunity of this new robot development to evaluate the new enhancement mode Gallium Nitride FET technology from EPC and compare it with our up to this time best inverter design.
ドイツ航空宇宙センター(DLR)のTheInstituteofRoboticsandMechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。

Gallium Nitride(GaN) is widely used as substrate mainly for light-emmiting diode(blue color LED, violet color LED, ultraviolet LED and white color LED) and blue-violet color laser diode for blue ray.
ガリウムナイトライド(GalliumNitride)とも呼ばれる窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に発光ダイオード青色LED、紫色LED、紫外LED、白色LED）やブルーレイ用の青紫色LD(レーザーダイオード)用基板として幅広く使用されています。

Silicon carbide and gallium nitride, called next generation single crystals, are superior to silicon in performance as semiconductors. However, the current state of substrate processing technology in the next generation single crystal is still under development.
次世代単結晶と呼ばれるSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などはSiよりも半導体としての性能は優れていますが、次世代単結晶での基板加工技術がまだまだ発展途上なのが現状です。

For example, Sapphire, Silicon Carbide(SiC), Gallium Arsenic(GaAs), Gallium Phosphorus(GaP) and Gallium Nitride substrate are being used according to LED application characteristics and thin deposition(epitaxial layer) is formed on substrate in order to produce device function.
例えばLED用途には特性に応じて基板にサファイア、シリコンカーバイト（SiC）、ガリウム砒素（GaAs）、ガリウム燐(GaP)、窒化ガリウム（GaN）などが用いられ、デバイス機能を作るために基板上に薄膜（エピタキシャル層）が形成されます。

Gallium nitride(GaN) is enabling a new generation of power switching devices that offer higher efficiency and switching speed than the traditional silicon MOSFET, to satisfy the demands of today's high-performance electronics. Veeco MOCVD systems provide key advantages for GaN-on-Si production, including low particle counts and excellent yields.
窒化ガリウム（GaN）は、従来のシリコンMOSFETよりも高い効率と速いスイッチング速度を発揮する新世代の電力スイッチング素子を実現し、現代の高性能エレクトロニクスの需要に応えていますVeeco社のMOCVDシステムは、粒子の発生が少ないことや収率が高いことなど、GaN-on-Siの生産で重要な優位性を提供します。