SWITCHING FREQUENCIES - 日本語 への翻訳

['switʃiŋ 'friːkwənsiz]

英語 での Switching frequencies の使用例とその 日本語 への翻訳

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However, in equipment for automotive applications, switching frequencies of 2 MHz and above are basically required, and so the option of lowering the switching frequency is not available.
ただし車載機器では基本的に2MHz以上のスイッチング周波数が求められますので、スイッチング周波数を下げるという逃げ口はありません。
The higher switching frequencies allow use of smaller inductors, but the efficiency drops by approximately 2% with every doubling of the switching frequency..
高いスイッチング周波数であれば小さなインダクタを使用できますが、スイッチング周波数が倍増するたびにスイッチング・ロスの影響などにより効率がおよそ2%低下します。
Infineon's L5 low saturation voltage(VCEsat) TRENCHSTOPTM 5 IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50 Hz to 20 kHz.
インフィニオンの低飽和電圧(VCEsat)TRENCHSTOPTM5IGBTL5ファミリーは、50Hz〜20kHzの低スイッチング周波数に特化して最適化されています。
They exceed the performance of the best trench Schottky diodes by at least a factor of two, which is particularly beneficial for applications with high switching frequencies.
これらのデバイスは、最も優れたトレンチショットキーダイオードの性能よりも少なくとも2倍以上優れており、高スイッチング周波数の用途で特に有利となります。
Where the switching frequency is concerned, through adoption of SJ MOSFETs with low switching losses and the capability for high-speed switching, it has become possible to set comparatively high switching frequencies while maintaining efficiency.
スイッチング周波数に関しては、スイッチング損失が小さく高速スイッチングが可能なSJMOSFETを採用したことにより、効率を維持しながら、比較的速いスイッチング周波数を設定できました。
Chopping timing diagram. Switching Artifacts as Shown on a Data Sheet Traditionally, zero-drift amplifiers have fairly large broadband noise and low switching frequencies, ranging from a few kilohertz to a few tens of kilohertz.
チョッピングのタイミング図データシートのスイッチング・アーチファクトこれまでゼロドリフト・アンプというと、ノイズが広い帯域にわたって非常に大きく、またスイッチング周波数が数キロ~数十キロヘルツと低いものが一般的でした。
The latest IGBTs offer an excellent price-performance ratio because of their significantly lower manufacturing complexity, chip areas that are often smaller than superjunction MOSFETs, and their high switching frequencies.
最新のIGBTは、製造の複雑さが著しく低いことによる素晴らしい対費用効果や、超接合MOSFETよりもしばしば小さいチップ面積、また高いスイッチング周波数を提供します。
The key to solving the size problem is that modern, submicron BiCMOS mixed-signal processes enable smaller power-supply ICs and faster switching frequencies for smaller external components.
サイズの問題を解決する鍵は、最新のサブミクロンBiCMOSミックスドシグナルプロセスによって、外付け部品用の電源ICを小型化し、スイッチング周波数を高速にするということです。
Where inductors are concerned, a small inductance is necessary to pass large currents, and in a power supply circuit, switching frequencies must be high in order to operate with small inductances.
インダクタについては、大電流を流すにはインダクタンスは小さい必要があり、電源回路としては、小さなインダクタンスで動作するにはスイッチング周波数が高い必要があります。
As a consequence, much effort is devoted to studying trr losses in Si PN-junction diodes with high withstand voltages, and the inability to handle fast switching frequencies in switching power supplies remains a problem.
そのため、高耐圧SiPN接合ダイオードではtrrの損失が大きな検討事項であり、また、スイッチング電源で高速なスイッチング周波数に対応できないという課題があります。
These currents can lead to sparking in the bearings, cause surface erosion and therefore severely limit the service life of the bearings. In order to achieve high energy efficiency, the power semiconductors of the inverters are operated at switching frequencies in the range between 4 kHz and 15 kHz.
この電流はベアリングのスパークを引き起こし、表面損傷の原因となるので、ベアリングの寿命を大幅に短縮させます。エネルギー効率を高めるため、インバータ用パワー半導体は4kHzから15kHzの範囲のスイッチング周波数で動作します。
Infineon's CoolSiCTM Schottky diodes 600V G3 feature the industry's lowest device capacitance for any given current rating, which further enhances overall system efficiency, especially at higher switching frequencies and under low load conditions.
InfineonのCoolSiCTMショットキー・ダイオードの第3世代は、任意の定格電流に対して業界最小のデバイス容量を特長としており、特に高いスイッチング周波数および低負荷条件下でのシステム全体の効率をさらに向上させます。
For typical switching frequencies in the 300 kHz to 5 MHz range, additional damping is required to reduce the filter Q. Figure 4.(a) A TDK MPZ1608S101A ZRX plot and(b) a S21 response for a ferrite bead and capacitor low-pass filter.
KHz~5MHzの標準的なスイッチング周波数を使用するには、フィルタのQ値を下げるために、さらなるダンピングを行う必要があります。図4.(a)はMPZ1608S101AのZRXグラフ。
The reduction in gate charge in these third-generation parts is significant and will allow a lot of existing designs to migrate to higher switching frequencies, maintaining efficiency while reducing the real estate used by circuit passives- or by increasing efficiency at the presently-used switching frequencies of those designs,” EN-Genius said.
エネルギーや回路基板スペースの効率的な使用を可能とします。EN-Geniusのコメント「こうした第3世代の部品におけるゲート電荷の削減は非常に重要です。これにより、多くの既存設計を受動回路で使用する面積を削減しながら効率性を維持したまま、より高いスイッチング周波数へと移行させることが可能となるため、あるいは、。
Switching frequency 20kHz.
切換えの頻度20kHz。
Switching frequency: 1MHz.
発振周波数:1MHz。
Switching Frequency 5 Cycles/ Sec.
切換えの頻度5つの周期/秒。
Variable switching frequency to simplify EMI filter design.
さまざまな発振周波数の切り替えによるEMIフィルタ設計の簡素化。
Maximum allowable switching frequency times/min.
最大スイッチの周波数次/分。
Switching Frequency: 4.0MHz, supporting very small 0.47uH inductor3.
発振周波数:4.0MHz,0.47uHの小型インダクター対応3。
結果: 46, 時間: 0.0349

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