THE WAFER - 日本語 への翻訳

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• ウエハ
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• ウエハー
• ウェハー
• ウエファーの
• wafer

英語 での The wafer の使用例とその 日本語 への翻訳

Expands the dicing tape after the wafer is cut through exposure to plasma, separating the DAF.
プラズマ照射によるウェハー切断後に、ダイシングテープをエキスパンドすることでDAFを分割します。

This exposure of all the shot regions on the wafer W2 is carried out continuously, even after reticle exchange.
このようなウエハＷ２上の全ショット領域に対する露光がレチクル交換後にも連続して行なわれる。

The Wafer head is fully seated when the head is flush with the work surface.
はウエファーの頭部十分に頭部が仕事表面と同じ高さのときつきます。

Velox AutoAlign is the most ergonomic and quickest way to align a wafer in theta and determine the wafer diameter and die size.
Velox社AutoAlignはシータでウェーハを位置合わせし、ウェーハ径を決定し、サイズを死ぬ最も人間工学的かつ迅速な方法です。

Figure 3: A corrective move is made to the wafer in X, Y and Z.
図3：X、Y、Zのウエハーに対して修正動作が行われます。

The wafer delivery cases which we collect from each user are cleaned and reused by us.
ウェハ納入ケースは､各ユーザー様より回収を行い洗浄再利用しています。

The operation of the various components during this double exposure of the wafer W2 is also controlled by the main controller 90.
このウエハＷ２の二重露光中の各部の動作も主制御装置９０によって制御される。

Components on the wafer may include defects, for example due to a contaminant or imperfection in the fabrication process.
ウェハー上のコンポーネントは、例えば、製造プロセスにおける汚染物質または不完全性による欠陥を含み得る。

Backflow valve stop batter to release from doser while adjustable doser help control the wafer size.
含まれている鋼鉄ふるい。doserから解放するべき逆流弁停止ねり粉間調節可能なdoserの助け制御ウエファーのサイズ。

After exposure, the wafer is subjected to developing, etching, doping and other processes that leave just the circuit on the wafer.
この露光処理の後、「現像」「エッチング」「ドーピング」などの処理を経てウエハー上に回路を形成します。

With flash memory, in order to stack die in the limited packaging space, it is necessary to cut out high-quality, thin die from the wafer.
フラッシュメモリーでは限られたパッケージスペースにチップを積層するため、高品位な薄チップをウェーハから切り出す必要があります。

Fully protects the wafer surface during back grinding and prevents wafer surface contamination from infiltration of grinding fluid and/or debris.
バックグラインド時にウェハ表面を確実に保護し、研削水・研削屑の浸入によるウェハ表面の汚染を防ぎます。

Here, the ions are generated, concentrated, accelerated dramatically and guided at high speed to the wafer.
ここでイオンが生成、集束、加速されて、高速でウエハーに誘導されます。

A thin diaphragm is then created by selectively etching away silicon on the backside of the wafer.
次に、ウェハ背面のシリコンを選択的にエッチングすることによって、薄膜ダイヤフラムを生成します。

Hence, the face on which the electronic circuits of the wafer are to be made are adhering to the sheet.
この際、ウエハの電子回路が形成されている面を粘着面側にして密着させる。

The part of the wafer containing the circuit is very delicate, and even a small injury would destroy the circuit.
ウエハの回路が形成された面は非常にデリケートで、傷がつけばその回路は破壊されてしまう。

When finished, the backside of the wafer looks like a waffle with each dimple in the waffle corresponding to an individual pressure sensor.
終了したとき、ウェハの背面は、個々の圧力センサに対応して各くぼみを備えたワッフルのように見えます。

The technique minimizes stress to the wafer while the tape is peeled, allowing the equipment to process thin wafers..
ウェハにかかるストレスを最小限に抑えてテープの剥離を行うため、薄型ウェハの処理にも対応します。

The robust design ensures consistent operation and reduced maintenance, while the wafer style design reduces weight in the pipeline.
堅牢な設計が継続運転を確保してメンテナンスを軽減する一方で、ウエハスタイル設計によりパイプラインの重量が削減されます。

With this system, an ID number on the wafer is read, the data is then converted to barcode, and a label is attached.
ウェハ上のIDナンバーを読み取り、そのデータをバーコード化してラベルを貼りつけます。