絶縁膜 - 英語 への翻訳

• insulating film
• insulation film
• dielectric film

日本語 での 絶縁膜 の使用例とその 英語 への翻訳

電気二重層キャパシタは、電気二重層(導電体の表面に電解液の分子が並んだ薄い層)を絶縁膜として利用し、電極に多孔質の活性炭を用いることで、従来の電解コンデンサの約100倍の電気エネルギーを蓄えられ、鉛蓄電池のような繰り返し充放電による劣化が少ないため、メンテナンスも不要という優れた特徴を持ってる。
The electric double-layer capacitor(EDLC) can store the electrical energy about 100 times of a past electrolytic capacitor by using an electric double-layer as an insulation film, and using the activated carbon of the porous quality for the electrode. Deterioration by the repeated charge and discharge like the lead-acid battery is a little in the EDLC, so the maintenance is unnecessary.

バリア膜絶縁膜加飾膜疎膜浸水膜。
Barrier film Insulating film Decorative film Hydrophobic film Underwater film..

R2R式ウェットコートで絶縁膜によるパターン化。
R2R wet coating was used for patterning by insulating layer formation.

このため、ポリマー絶縁膜を用いたフレキシブルデバイスの性能を向上させることは困難でした。
Thus, it was difficult to enhance the performance of flexible devices using a polymer insulation film.

その力を弱める最も効果的な対策が、金属配管の内面に薄い電気絶縁膜を付けることです。
The most effective approach to weakening that effect is affixing a thin insulation coating to the inner side of the metal pipe.

色の組み合わせで、4mmEPEの泡+0.15mm厚PVC絶縁膜として600Dポリエステル、熱シール縫い目防水。
D polyester in colors combination, 4mm EPE foam+ 0.15mm thickness PVC sheet as insulation lining, heat sealed seam, water-proof;

この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIです。
In order to reduce this floating capacitance, an isolation film is formed beneath MOSFET channel, SOI is used to reduce floating capacitance.

またこの時、ゲート電極５２２はｎ型不純物領域５２０の一部とゲート絶縁膜５１４を介して重なるように形成する。
Further, here, the gate electrode 522 is formed so as to overlap a part of the n type impurity region 520 through the gate insulating film 514.

やがて1970年代後半に絶縁膜の製造方法に技術的な目処がつき、研究テーマは電気的なデータの書き換え手法に移行しました。
The late 1970s were a technical watershed for insulation film manufacturing methods, when the research theme shifted to electrical data overwriting methods.

絶縁膜と金属膜を除去し、CMPプロセスが不要になることで、テストウェーハの寿命を延ばし、お客様のテストウェーハの消費を削減します。
By removing dielectric and metal layers without the need for a subsequent CMP process, the RegenSi family increases the effective lifetime each test wafer- thereby reducing the customers test wafer spend.

また、フラッシュメモリの上記原理によって、絶縁膜の劣化が進行し、書き換え回数の限界（１００００回程度）という別の問題も生じる。
Due to the above principle of the flash memory, the deterioration of the insulating film proceeds, and another problem of the limit of the number of rewrites(about 10,000 times) occurs.

また、太陽電池だけでなく、半導体表面上に絶縁膜を形成する各種デバイス(LSIやパワーデバイスなど)の界面電荷の測定法としても期待される。
This group's technique is anticipated as a method for measuring interfacial charge of various devices(LSI and power devices) that have insulating film on the surface of semiconductors.

また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン（バルクウエハ）と呼ばれる場合があります。
Moreover, a wafer including such an isolation film is called SOI wafer. On the other hand, a conventional wafer sometimes is called bulk silicon(or bulk wafer) to distinguish from SOI wafer.

図７では、ゲート絶縁膜７１１が２層の絶縁膜で形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。
The gate insulating layer 711 is formed of two layers of insulating films; however, the present invention is not limited to this structure.

金属膜、絶縁膜、電導膜、絶縁膜、保護膜、反射膜、触媒、コーティング、回路、電池、MEMS、新素材開発などの研究開発用途に活躍します。
It plays an active role in R&D applications such as metal films, insulating films, conductive films, protective films, reflective films, catalysts, coatings, circuits, batteries, MEMS and new advanced material.

保護膜、絶縁膜、光学膜。
Protective film, insulating film, optical film..

保護膜絶縁膜光学。
Protective film Insulation film Optics.

絶縁膜に対するリンの添加は、熱処理によって行われる。
The addition of phosphorus to the insulating film is carried out by heat treatment.

通常の環境にやさしい新しい絶縁膜。
(1)Ordinary environmentally friendly new insulating film.

ALDHigh-Kゲート絶縁膜。
AID High-K gate insulating film.