酸化物半導体 - 英語 への翻訳

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日本語 での 酸化物半導体 の使用例とその 英語 への翻訳

銅酸化物と並ぶ高温超伝導物質の新大陸となった鉄ニクタイド系超伝導物質、有機ELテレビなどに応用されているIGZO(イグゾー)等の酸化物半導体、そして温和な条件下でのアンモニア合成触媒への道を開いた無機エレクトライドの創出といった開拓的研究の業績が評価されたものです。
His discovery of a high-Tc iron-pnictide superconductor, which has grown into a new continent of high-Tc superconductors comparable to high Tc cuprates, and development of oxide semiconductors such as IGZO used in OLED televisions, and inorganic electrides that have opened the way to catalysts for ammonia synthesis under mild conditions were highly evaluated as pioneering achievements.

これは、ゲートドライバ、いくつかのリレーまたは金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の数は、Hブリッジ、センス抵抗、センス電圧を増幅するオペアンプ回路、及びAデジタル、を形成するために使用されるマイクロコントローラを含みます検出電圧を測定するためのアナログ/デジタル変換器(ADC)、障害保護のためのヒューズ、および様々な目的のための多数の受動部品を含む。
This includes a microcontroller, a number of gate drivers, several relays or metal oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs) used to form the H-bridge, a sense resistor, an op amp circuit to amplify the sense voltage, and a A digital-to-analog converter(ADC) for measuring the detection voltage, a fuse for fault protection and a large number of passive components for various purposes.

セラミックスの主原料である透明な酸化物を対象に、独自の物質設計指針に基づき、透明p型半導体、大きな電子移動度をもつ透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)などを創出し、紫外発光ダイオード、IGZOに代表される高移動度薄膜トランジスタや酸化物CMOSなどの電子デバイスを実現することで、透明酸化物エレクトロニクスの領域を切り拓いたことが評価されました。
They were praised for opening up the new field of transparent oxide electronics by creating materials such as transparent P-type semiconductors and transparent amorphous oxide semiconductors(TAOS) with high electron mobility based on an original materials design approach with transparent oxides from which ceramics are mainly made, as well as realizing electronic devices such as oxide CMOS and high-mobility thin-film transistors typified IGZO.

Roose氏は、TouchIDなどの相補型金属酸化物半導体（CMOS）センサーは一般的に消耗して一定期間後には使用できなくなると指摘し、アップルはセンサーをより良く製造する方法を見つけたかもしれないが、作業を停止すると、ユーザーはパスコードを使用し直すだけで、指紋認識をもう一度やり直すことができる。
Roose also noted that complementary metal oxide semiconductor(CMOS) sensors, such as those found on Touch ID, generally wear out and become unusable after some period of time, and while Apple may have found a way to manufacture the sensors better, if the sensors stop working, users may just switch back to using their passcode, making fingerprint recognition a non-starter once again.

酸化物半導体(OS)。
Oxide Semiconductor(OS).

酸化物半導体（OS）5件。
Oxide Semiconductor(OS): 5 papers.

ITO製造技術の酸化物半導体材料への展開。
Expansion of ITO manufacturing technology to oxide semiconductor materials.

複合酸化物半導体への蛍光分子の固定化（九州大学）。
Immobilization of a fluorescent molecule onto composite oxide semiconductors（kyushu university）.

型の酸化物半導体層３５２が形成される。
As a result, an i-type oxide semiconductor layer 352 is formed.

酸化第二スズSnO2）金属酸化物半導体材料の電気伝導度は、周囲のガス濃度に応じて変化します。
The conductivity of tin dioxide(SnO2) metal oxide semiconductor materials changes according to gas concentration changes.

FPDInternational2013に出展、「酸化物半導体応用のフレキシブルディスプレイ/照明/電池」で「FPDInternational2013アワード優秀賞」を受賞。
Exhibited displays at FPD International 2013 and received Outstanding Achievement Prize for“Flexible display, lighting and battery using oxide semiconductor”.

近年、当社が注力してきたテーマ「結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO」の基礎物性・LSIおよびディスプレイへの応用について解説する技術書です。
These technical books describe the fundamental properties and the application to LSI and displays of crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO, a research theme we have focused on.

弊社が世界で初めて見いだした結晶系薄膜酸化物半導体構造であり、C軸方向に配向し、ab面には必ずしも配向を示さないという特徴を有する。
CAAC is a crystal in a thin oxide semiconductor film which SEL found for the first time in the world. CAAC is aligned in the c-axis direction and not necessarily aligned in the a-b plane direction.

よって、酸化物半導体膜を成膜する際の加熱及び成膜後の加熱処理の一つ又は複数を行うことにより、ゲートバイアス・ストレスに対する安定性が高くなることがわかる。
Thus, it can be seen that stability against gate bias stress is increased by performing one or more of heating in forming the oxide semiconductor film and heat treatment after the deposition.

次いで、第１の酸化物半導体領域３０８及び第２の酸化物半導体領域３０９上にスパッタリング法によりＴｉとＡｌを順に堆積し、Ｔｉ層とＡｌ層を形成する。
Subsequently, over the first oxide semiconductor region 308 and the second oxide semiconductor region 309, Ti and Al are deposited by a sputtering method to form a Ti layer and an Al layer.

酸化物半導体の分類。
Classification of Oxide Semiconductors.

酸化物半導体の応用。
Application of Oxide Semiconductors.

当社代表取締役山﨑舜平が、結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO®に関する共編書3冊を2016年10月より順次刊行します。
Book Announcement: President Shunpei Yamazaki is going to publish three jointly edited books on crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO®, sequentially from October 2016.

酸化物半導体の多くは広いバンドギャップを有し、可視光域の電磁波を透過します。
Most of oxide semiconductors have a wide bandgap which is transmmisive for electromagnetic wave of visual light range.

山﨑社長他が編者となった「結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO®」に関する書籍3冊がJohnWiley&Sons社より刊行」。
President Yamazaki published three jointly edited books on crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO® from John Wiley& Sons, Inc.