OXIDE SEMICONDUCTOR - 日本語 への翻訳

• 酸化物半導体
• oxide semiconductor

英語 での Oxide semiconductor の使用例とその 日本語 への翻訳

When a contact hole is formed in the gate insulating layer 397, the process can be performed at the time of forming the oxide semiconductor layer 399.
また、ゲート絶縁層３９７にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体層３９９の形成時に行うことができる。

Such highly purified oxide semiconductors are extremely sensitive to interfacial state density and interfacial charge; Therefore, the interface between the oxide semiconductor layer and the gate insulating layer is important.
このような高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要である。

Just one year after Boy Noyce and Gordon Moore started Intel, the company launched the 1101, its first metal oxide semiconductor(MOS) static RAM.
BoyNoyce氏とGordonMoore氏がIntelを立ち上げてからちょうど1年後、同社初の金属酸化物半導体（MOS）スタティックRAMである「1101」が発売された。

Each of the two highly sensitive image sensors, equipped with colour recognition and complementary metal oxide semiconductor(CMOS) technology, has a resolution of 1280 by 960 megapixels and is capable of processing extreme contrasts.
色認識とCMOS（相補型金属酸化膜半導体）の技術を搭載したきわめて高精度な2つのイメージセンサーの解像度は1280x960メガピクセルとなっており、高コントラストな映像を再現できます。

The first transistor, the third transistor, and the fourth transistor are also referred to as OSFETs because they include an oxide semiconductor in a channel formation region.
第１のトランジスタ、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するため、ＯＳＦＥＴとも示す。

Kamiya-Katase Group Research topics Novel functional materials and devices in uncultivated fields and ideas Amorphous Oxide Semiconductor(AOS) In 2004
神谷・片瀬研究室常識を覆す新しい電子機能材料とデバイスを創る使える新しい機能材料とデバイスの開発アモルファス酸化物半導体(AOS)2004年以前は、Si,

Higher performance, multi- functional and smaller piezoelectric MEMS devices for the next generation of advanced sensor technology is rapidly expanding its applications by the integration with CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) devices.
さらに次世代技術として、圧電MEMSを半導体先進デバイスのCMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)と融合することでデバイスの高性能化・多機能化・小型化を図り、応用範囲の飛躍的拡大を目指した動きが加速しています。

Camera phones comprised over 70% of all digital cameras that shipped in 2005, and the vast majority of these devices used Complimentary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) sensors, with the remainder using Charge-Coupled Devices(CCDs).
カメラ付き携帯電話は、2005年に出荷された全デジタルカメラの70%以上を占め、これらの大部分がCMOS(ComplimentaryMetalOxideSemiconductor)センサを使用しており、それ以外はCCD(Charge-CoupledDevices)である。

A new material which will replace silicon in the power chain For the past 35 years, most power supplies have relied on power MOSFETs(metal oxide semiconductor field effect transistors)- voltage-controlled devices made of silicon that are used to switch and condition electricity.
過去35年間、ほとんどの電源は、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、すなわち、電気をオン/オフしたり、状態を調整したりするために使われるシリコン製の電圧制御デバイスに依存していました。

We have found two new crystal structures for oxide semiconductors(OS): c-axis aligned crystalline oxide semiconductor(CAAC-OS®) and nanocrystalline oxide semiconductor(nc-OS®). We have also found first in the world that the FETs fabricated with these crystalline oxide semiconductor materials(CAAC-IGZO, in particular) exhibit unique characteristics.
その結果、酸化物半導体の結晶構造としてCAAC-OS®(c-axisalignedcrystallineoxidesemiconductor)及びnc-OS®(nanocrystallineoxidesemiconductor)という新結晶構造を見出し、これら結晶性酸化物半導体、特にCAAC-IGZOを用いたFET1が類まれな特性を発現することを、世界で初めて発見しました。

By combining this with an n-channel TFT element, which uses a transparent amorphous oxide semiconductor TAOS[3]; developed by the study group of Professor Hosono, the low-driving-voltage electron transport layer can be manufactured stably and with high production yields even in the case of an inverted-structure organic EL display whose structure is advantageous for a device.
これに細野教授の研究グループが開発した透明非晶質酸化半導体(TAOS[用語3])を用いたn-チャンネルのTFT素子を組み合わせる事で、デバイス構造として有利な逆構造型でも、駆動電圧の低い電子輸送層を、安定して高い歩留りで製造する事ができるようになります。

This includes a microcontroller, a number of gate drivers, several relays or metal oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs) used to form the H-bridge, a sense resistor, an op amp circuit to amplify the sense voltage, and a A digital-to-analog converter(ADC) for measuring the detection voltage, a fuse for fault protection and a large number of passive components for various purposes.
これは、ゲートドライバ、いくつかのリレーまたは金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の数は、Hブリッジ、センス抵抗、センス電圧を増幅するオペアンプ回路、及びAデジタル、を形成するために使用されるマイクロコントローラを含みます検出電圧を測定するためのアナログ/デジタル変換器(ADC)、障害保護のためのヒューズ、および様々な目的のための多数の受動部品を含む。

Roose also noted that complementary metal oxide semiconductor(CMOS) sensors, such as those found on Touch ID, generally wear out and become unusable after some period of time, and while Apple may have found a way to manufacture the sensors better, if the sensors stop working, users may just switch back to using their passcode, making fingerprint recognition a non-starter once again.
Roose氏は、TouchIDなどの相補型金属酸化物半導体（CMOS）センサーは一般的に消耗して一定期間後には使用できなくなると指摘し、アップルはセンサーをより良く製造する方法を見つけたかもしれないが、作業を停止すると、ユーザーはパスコードを使用し直すだけで、指紋認識をもう一度やり直すことができる。

Classification of Oxide Semiconductors.
酸化物半導体の分類。

Application of Oxide Semiconductors.
酸化物半導体の応用。

Introducing the manufacturing technologies of displays using oxide semiconductors.
酸化物半導体によるディスプレイ製造技術の最新情報をご紹介。

Most of oxide semiconductors have a wide bandgap which is transmmisive for electromagnetic wave of visual light range.
酸化物半導体の多くは広いバンドギャップを有し、可視光域の電磁波を透過します。

The citation of this award is"for the discovery of high Tc iron-based superconductors, creation of transparent oxide semiconductors and inorganic electrides.
受賞業績は「鉄系高温超伝導体の発見と透明酸化物半導体と無機エレクトライドの創出」です。

CONDUCTIVE LAYERS like metals, metal pastes, metal oxides, semiconductors for.
導電層金属、金属ペースト、金属酸化物、半導体など。以下の用途向き：。

Transparent amorphous oxide semiconductors(TAOS) is a notable example of Dr. Hosono's achievement in which he discovered its prominent characteristics and guided the materials research and device development, which ultimately led to large scale industrial applications in recent years.
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)は、博士がその優れた特性を見出し、材料研究とデバイス開発を先導し、近年大きな産業利用へとつながった顕著な実例である。